阵列基板缺陷修补方法技术

本发明专利技术公开了本发明专利技术提供了一种阵列基板缺陷修补方法，包括如下步骤：将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除；对该缺陷子像素进行切割；将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连。本发明专利技术与现有技术相比，通过对缺陷子像素中缺陷部分进行打孔、切割、与相邻的正常的子像素连接最终达到修补的作用，而且由于本发明专利技术中的修补为修补缺陷部分所在的膜层，因此其修补难度低，提高修补的成功率。

Defect repair method of array substrate

The invention discloses an array substrate defect repair method, which comprises the following steps: eliminating defective parts in defective sub-pixel, cutting the defective sub-pixel, and connecting the cutting defect sub-pixel with the adjacent normal sub-pixel. Compared with the prior art, the defect pixels part for drilling, cutting, and normal sub pixels connected to repair, but due to the invention of repair for remedying the defect part where the film, so the difficulty of repair, improve the success rate of repair.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板缺陷修补方法
本专利技术涉及一种显示面板技术，特别是一种阵列基板缺陷修补方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示面板已经日益普及至各行各业，而在TFT(ThinFilmTransisto，薄膜晶体管)阵列基板中，子像素缺陷时常出现，子像素缺陷不仅影响薄膜晶体管显示面板的品质，而且也会大大的增加了生产成本，目前行业中还没有一种较好的对子像素缺陷进行修补的方法，。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术提供一种阵列基板缺陷修补方法，从而提高修补成功率以及降低修补的难度。本专利技术提供了一种阵列基板缺陷修补方法，包括如下步骤：将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除；对该缺陷子像素进行切割；将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连。进一步地，所述将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层进行打孔。进一步地，所述对该缺陷子像素进行切割包括将缺陷子像素分割为两半。进一步地，所述将缺陷子像素分割为两半具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层分割为两半。进一步地，所述将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连具体为将缺陷子像素中分割后的缺陷部分所在膜层与相邻正常的子像素中对应膜层相连。进一步地，所述将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连采用化学气相沉积的方式进行。进一步地，所述分割采用沿缺陷子像素的对角线或相对两侧的中点连线进行切割。进一步地，所述在将缺陷子像素中缺陷部分进行打孔之前，对阵列基板的每一道制程进行监控。进一步地，当其中一道制程中出现缺陷子像素时，停机并对缺陷子像素进行修补。本专利技术与现有技术相比，通过对缺陷子像素中缺陷部分进行打孔、切割、与相邻的正常的子像素连接最终达到修补的作用，而且由于本专利技术中的修补为修补缺陷部分所在的膜层，因此其修补难度低，提高修补的成功率。附图说明图1是本专利技术修补方法的流程图；图2是本专利技术缺陷子像素中缺陷部分的示意图；图3是本专利技术剔除缺陷部分的示意图；图4是本专利技术对缺陷子像素进行切割的示意图；图5是本专利技术将切割后的缺陷子像素与相邻正常子像素进行相连的示意图；图6是相连后的亮度示意图；图7是本专利技术的第一种切割位置的示意图；图8是本专利技术的第二种切割位置的示意图；图9是本专利技术的第三种切割位置的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。如图1所示，本专利技术提供了一种阵列基板缺陷修补方法，包括如下步骤：步骤S01、如图3所示，将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除(图中黑色填充部分为缺陷部分，即标示11)；在该步骤中，缺陷子像素的四周可能均具有一个正常的子像素(图2所示)，也有可能在缺陷子像素的至少两侧有一个正常的子像素；具体地，将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层进行打孔，这里的打孔可采用现有技术中缺陷修补时所采用的修补机台对缺陷部分进行打孔；但本专利技术不限于此，还可以采用将缺陷子像素中缺陷部分对应位置进行打孔，即将缺陷部分所在膜层以及缺陷部分对应的其余膜层均进行剔除。所述打孔的孔为矩形孔、圆孔等。步骤S02、如图4所示，对该缺陷子像素进行切割；具体地，所述对该缺陷子像素进行切割包括将缺陷子像素分割为两半；在本专利技术中将缺陷子像素分割为两半具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层分割为两半；但本专利技术不限于此，分割还可以为将缺陷子像素整体分割成两半。步骤S03、如图5所示，将切割后的缺陷子像素与相邻的正常子像素相连；具体地，将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连具体为将缺陷子像素中分割后的缺陷部分所在膜层与相邻正常的子像素中对应膜层相连，在图5中，缺陷子像素与上下两个子像素相连，这里的相连可以为电性连接或一般连接；若缺陷部分所在膜层为导电膜层时(如公共电极、像素电极等)则相连为电性连接，若缺陷部分所在膜层为一般膜层(如钝化层、平坦层等)则相连为一般连接；但本专利技术不限于此，还可以采用当缺陷子像素被整体分割成两半时，将缺陷子像素中被切割的部分膜层与相邻正常的子像素中的对应膜层相连，例如被切割的缺陷子像素的公共电极与相邻的正常的子像素的公共电极电性连接；被切割的缺陷子像素的平坦层与相邻的正常的子像素的平坦层连接；被切割的缺陷子像素的钝化层与相邻的正常的子像素的钝化层连接；被切割的缺陷子像素的像素电极与相邻的正常的子像素的像素电极电性连接等。从而使被切割的像素电极的电压与正常的子像素的电压一致。所述步骤S03中，将切割后的缺陷子像素与相邻的正常子像素相连采用化学气相沉积的方式进行，采用化学气相沉积大对缺陷部分所在的膜层进行修补，例如若缺陷部分在于像素电极，则对切割后的像素电极通过化学气相沉积沉积用于电性连接的膜层材料，当然，材料的选择可以为与膜层相同的材料。本专利技术的阵列基板的修补方法中，在步骤S01之前，还可以对阵列基板的每一道制程进行监控，这里的监控为在源漏极的制备之后。当其中一道制程中出现缺陷子像素时，停机并对缺陷子像素进行修补；但本专利技术不限于此，也可以是在阵列基板所有制程结束后进行监控并对缺陷子像素进行修补。本专利技术的修补方法针对的是源漏极以上的膜层，即包括了平坦层、公共电极、钝化层和或像素电极等。本专利技术将缺陷子像素切割为两半是为了避免缺陷子像素1与相邻的一个正常的子像素2、3整体相连时会对显示的亮度造成较为明显的区别，因此将缺陷子像素切割为两半111、112，并各自与相邻的正常的子像素2、3相连，那么该缺陷子像素的亮度就为相邻两个正常的子像素亮度的平均值亮度(如图6所示)，这样该缺陷子像素就不会与正常的子像素有较明显的区别。如图7所示，本专利技术的第一种切割方法中，沿缺陷子像素相对两侧的中点连线进行切割。具体地，为图中左右两侧边的中点连线进行切割，这样使缺陷子像素被均分为上下两半，这样在进行步骤S03时，为与上下相邻的两个正常的子像素进行相连，也可以与左右相邻的两个正常的子像素进行相连。如图8所示，本专利技术的第二种切割方法中，沿缺陷子像素相对两侧的中点连线进行切割。具体地，为图中上下两侧边的中点连线进行切割，这样使缺陷子像素被均分为左右两半，这样在进行步骤S03时，为与左右相邻的两个正常的子像素进行相连，也可以与上下相邻的两个正常的子像素进行相连。如图9所示，本专利技术的第三种切割方法中，沿缺陷子像素的对角线进行切割。具体地，为图中左下角和右上角的对角线进行切割，这样使缺陷子像素被均分为左右两半，这样在进行步骤S03时，为与左右相邻的两个正常的子像素进行相连，也可以与上下相邻的两个正常的子像素进行相连。本专利技术的切割方法不限于上述的三种切割方式，还可根据实际情况以及缺陷部分的位置进行具体的调整。下面以缺陷部分在图1中所示的位置，对本专利技术进行说明；如图2所示，当监测到位置中间的子像素为缺陷子像素时，采用以下修补方法：步骤S01、如图2和图3所示，将缺陷子像素1中缺陷部分11进行剔除；具体地，将缺陷子像素1中缺陷部分11进行剔除具体为将缺陷子像素1中缺陷部分11所在膜层进行打孔，使缺陷部分11变为图中的矩形孔12，这里的打孔可采用现有技术中缺陷修补时所采用的修补机台对缺陷部分进行打孔；但本专利技术不限于此，还可以采用将缺陷子像素中缺陷部分对应位置进行打孔，即将缺陷部分所在膜层以及缺陷部分对应的其余膜层均进行剔除。所述打孔的孔为矩形孔、圆孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：包括如下步骤：将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除；对该缺陷子像素进行切割；将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：包括如下步骤：将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除；对该缺陷子像素进行切割；将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连。2.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层进行打孔。3.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述对该缺陷子像素进行切割包括将缺陷子像素分割为两半。4.根据权利要求3所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述将缺陷子像素分割为两半具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层分割为两半。5.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述将切割后的缺...

【专利技术属性】
技术研发人员：申肖晴，金元仲，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42