一种多种产品晶圆缺陷的分析方法技术

本发明专利技术提供了一种多种产品晶圆缺陷的分析方法，应用晶圆缺陷分析，其特征在于，具体包括以下步骤：提供一基准晶圆以及多个目标晶圆；通过扫描分别获取基准晶圆的第一缺陷数量以及目标晶圆的第二缺陷数量；获取基准晶圆的第一有效扫描面积以及第一缺陷扫描面积；获取目标晶圆的第二有效扫描面积以及第二缺陷扫描面积；根据第二缺陷数量以及第二缺陷扫面面积获取目标晶圆的第二根据第二缺陷密度以及第一有效扫描面积，形成一将目标晶圆转换为基准晶圆的等效计算模型并保存。其技术方案的有益效果在于，可以客观的、准确的分析生产线上(多种产品)某种缺陷类别的水平；进而协助工程部门相对应设备进行缺陷水平的改善。

An analysis method of wafer defects in a variety of products

The present invention provides an analysis method for a variety of product defects in wafer, wafer defect analysis application, which is characterized in that it includes the following steps: providing a reference wafer and a plurality of target wafer; first the number of defects and target wafer second number of defects were obtained by scanning the reference wafer; the first effective scanning area obtaining reference wafer and the first defect scanning area; second effective scanning area of target wafer and defect scanning area second; second and second according to the number of defects and defect area of target wafer second according to the second and the first effective scanning area of defect density, the formation of a target wafer will be converted to equivalent reference wafer calculation model and save. The beneficial effect of its technical scheme is that it can objectively and accurately analyze the level of some defect class on the production line (multiple products), and then assist the engineering department to improve the level of defects corresponding to the equipment.

【技术实现步骤摘要】
一种多种产品晶圆缺陷的分析方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种多种产品晶圆缺陷的分析方法。
技术介绍
晶圆的缺陷分析是指通过对晶圆进行缺陷分析，进而方便技术人员根据缺陷查找问题及改善，提高工艺水平，现有的晶圆量产产品种类繁多，无法实现每一种产品的缺陷水平都可以监控，即需要将同一平台的多种产品组合分析缺陷水平，但是每种产品的晶粒大小及晶粒数量上存在很大差异，在执行缺陷扫描时，晶粒多的产品有效的扫描面积要少于晶粒少的产品，假如随机撒落n颗颗粒物，由于扫描面积的差异，在晶粒多的产品上检测到的缺陷数量少于晶粒少的产品(缺陷随机分布)，如果以目前的分析方法，无法精准将不同晶粒数的产品混合到一起分析缺陷的水平。
技术实现思路
针对现有技术中晶圆缺陷分析存在的上述问题，现提供一种旨在实现通过获取等效计算模型，根据等效计算模型可对多种目标晶圆进行等效缺陷分析，获取多种晶圆等效缺陷的分析方法。具体技术方案如下：一种多种产品晶圆缺陷的分析方法，应用于晶圆缺陷分析，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、提供一基准晶圆以及多个目标晶圆；步骤S2、通过扫描分别获取所述基准晶圆的第一缺陷数量以及所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多种产品晶圆缺陷的分析方法，应用晶圆缺陷分析，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、提供一基准晶圆以及多个目标晶圆；步骤S2、通过扫描分别获取所述基准晶圆的第一缺陷数量以及所述目标晶圆的第二缺陷数量；步骤S3、获取所述基准晶圆的第一有效扫描面积以及第一缺陷扫描面积；步骤S4、获取所述目标晶圆的第二有效扫描面积以及第二缺陷扫描面积；步骤S5、根据所述第二缺陷数量以及所述第二缺陷扫面面积获取所述目标晶圆的第二缺陷密度；步骤S6、根据所述第二缺陷密度以及所述第一有效扫描面积，形成一将所述目标晶圆转换为所述基准晶圆的等效计算模型并保存。

【技术特征摘要】
1.一种多种产品晶圆缺陷的分析方法，应用晶圆缺陷分析，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1、提供一基准晶圆以及多个目标晶圆；步骤S2、通过扫描分别获取所述基准晶圆的第一缺陷数量以及所述目标晶圆的第二缺陷数量；步骤S3、获取所述基准晶圆的第一有效扫描面积以及第一缺陷扫描面积；步骤S4、获取所述目标晶圆的第二有效扫描面积以及第二缺陷扫描面积；步骤S5、根据所述第二缺陷数量以及所述第二缺陷扫面面积获取所述目标晶圆的第二缺陷密度；步骤S6、根据所述第二缺陷密度以及所述第一有效扫描面积，形成一将所述目标晶圆转换为所述基准晶圆的等效计算模型并保存。2.根据权利要求1所述的多种产品晶圆缺陷的分析方法，其特征在于，还包括获取所述目标晶圆不同类别缺陷数量的方法，包括以下步骤：步骤A、在一检测站点获取预定数量的所述目标晶圆的总共缺陷数量；步骤B、于预定数量的所述目标晶圆中随机选择一所述目标晶圆作为一检测晶圆；步骤C、对所述检测晶圆进行缺陷分析以获取所述检测晶圆的总共缺陷数量，以及不同类别缺陷所对应的缺陷数量；步骤D、获取每一类别缺陷的缺陷数量与所述检测晶圆的总共缺陷数量之间的比值；步骤E、根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜丽，杨林，曹兴旺，
申请(专利权)人：中航重庆微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50