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本发明提供了一种多种产品晶圆缺陷的分析方法,应用晶圆缺陷分析,其特征在于,具体包括以下步骤:提供一基准晶圆以及多个目标晶圆;通过扫描分别获取基准晶圆的第一缺陷数量以及目标晶圆的第二缺陷数量;获取基准晶圆的第一有效扫描面积以及第一缺陷扫描面积...该专利属于中航(重庆)微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中航(重庆)微电子有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种多种产品晶圆缺陷的分析方法,应用晶圆缺陷分析,其特征在于,具体包括以下步骤:提供一基准晶圆以及多个目标晶圆;通过扫描分别获取基准晶圆的第一缺陷数量以及目标晶圆的第二缺陷数量;获取基准晶圆的第一有效扫描面积以及第一缺陷扫描面积...