一种透明导电层及其制作方法、发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种透明导电层及其制作方法、发光二极管，包括：提供一基材；在所述基材上依次形成底层透明导电层以及顶层透明导电层；在所述顶层透明导电层上形成图案化掩膜层；通过蚀刻工艺，从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向，蚀刻形成若干个孔洞，藉由底层透明导电层的蚀刻速率大于顶层透明导电层的蚀刻速率，使得孔洞呈上窄下宽结构。

【技术实现步骤摘要】
一种透明导电层及其制作方法、发光二极管
本专利技术涉及半导体
，更具体的是一种透明导电层及其制作方法、发光二极管。
技术介绍
发光二极管（LED）经过多年的发展，III-V族化合物是当前主流的用于制作发光二极管的半导体材料，其中以氮化镓基和铝镓铟磷基材料最为普遍。目前，在氮化镓基发光二极管（LED）结构中，以正装LED为例，氧化铟锡(ITO)作为功能性材料，一方面承担着增强电流扩散的功能，使量子阱横向有效发光面积增大；另一方面，作为蓝光光子的窗口层，其必须具有较小的吸收率和较大的透过率。由于ITO具有较宽的禁带宽度(3.6~3.9eV)，对蓝光来说是很好的窗口材料，因此对蓝光的吸收率几乎可以忽略，制约出光的主要因素是ITO的透过率。经过高温氧气氛围下的退火后，ITO对可见光透过率可达到80%以上，大部分光子可以透射到芯片外。然而，由于ITO折射率(1.8~2.1)与环氧树脂(1.5~1.55)的差异，以较大角度入射到ITO和环氧树脂界面的光会发生全反射，光的损耗大部分发生在二次全反射以及多次全内反射造成的热损耗，如图1所示出的两条最容易发生二次全反射的光的路径，包含了射向ITO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电层，包括：底层透明导电层以及顶层透明导电层，其特征在于：从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向，形成若干个孔洞，所述孔洞呈上窄下宽结构。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电层，包括：底层透明导电层以及顶层透明导电层，其特征在于：从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向，形成若干个孔洞，所述孔洞呈上窄下宽结构。2.根据权利要求1所述的一种透明导电层，其特征在于：所述孔洞呈周期性排列。3.根据权利要求1所述的一种透明导电层，其特征在于：所述孔洞尺寸为纳米尺度。4.根据权利要求1所述的一种透明导电层，其特征在于：所述透明导电层的纵截面呈倒梯形结构。5.根据权利要求1所述的一种透明导电层，其特征在于：所述底层透明导电层、顶层透明导电层为氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）或前述任意组合之一。6.一种透明导电层的制作方法，包括：（1）提供一基材；（2）在所述基材上依次形成底层透明导电层以及顶层透明导电层；（3）在所述顶层透明导电层上形成图案化掩膜层；（4）通过蚀刻工艺，从所述顶层透明导电层顶面朝向底层透明导电层底面方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绘凝，许圣贤，洪灵愿，彭康伟，林素慧，徐宸科，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35