量子点膜及其制作方法、量子点器件技术

本发明专利技术提供了一种量子点膜及其制作方法、量子点器件。该制作方法包括：步骤S1，准备盖板和多个微胶囊，将各微胶囊设置于盖板一侧表面上，各微胶囊包括囊壁和位于囊壁中的能发出第一光的量子点分散液；步骤S2，将盖板具有微胶囊的一侧朝向基底，基底包括第一像素区域，且第一像素区域包括多个第一子像素区域，使至少一个微胶囊对应一个第一子像素区域，使囊壁与基底表面接触；步骤S3，在盖板的远离微胶囊的一侧施加预设条件，使囊壁破裂且释放量子点分散液于第一子像素区域对应的基底表面上；步骤S4，移走具有破裂囊壁的盖板，固化被释放的量子点分散液，得到第一量子点膜。上述制作方法操作简单，制作成本较低。

【技术实现步骤摘要】
量子点膜及其制作方法、量子点器件
本专利技术涉及制备量子点膜的
，具体而言，涉及一种量子点膜及其制作方法、量子点器件。
技术介绍
目前的量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)器件多为光致发光的QLED器件，这种技术属于液晶技术的改善技术，就是在传统的液晶面板后面加上一层量子点薄膜，这个量子点薄膜中的量子点在蓝色LED光源的激发下，可以发出RGB三色的纯色光。而真正的QLED为电致发光器件，这属于量子点在显示
的更高级应用。它不再是蓝光通过激发一层量子点薄膜产生白光照亮液晶屏幕，而是通过电驱动，使蓝光量子点本身发光或其它发蓝光的光源发光而得到蓝色激发光，通过光致量子点薄膜产生红色及绿色，加上本身的蓝光，组成了蓝光、红光、绿光三原色，并通过混色产生图像，不再需要液晶，也省去了背光单元。混合QLED器件是电致量子点材料加上光致量子点薄膜材料，现有技术一般采用如下两种技术来制作上述光致量子点材料：一种技术为光致量子点材料通过加上感光树脂，利用光刻的方法来制作，但光刻设备昂贵、工艺复杂、成本较高；另一种技术为激光转印技术，缺点在于难本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点膜的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1，准备盖板和多个微胶囊，将各所述微胶囊设置于所述盖板一侧表面上，各所述微胶囊包括囊壁和位于所述囊壁中的量子点分散液，所述量子点分散液能发出第一光；步骤S2，将所述盖板具有所述微胶囊的一侧朝向基底，所述基底包括第一像素区域，且所述第一像素区域包括多个第一子像素区域，使至少一个所述微胶囊对应一个所述第一子像素区域，使所述囊壁与所述第一子像素区域对应的所述基底表面接触；步骤S3，在所述盖板的远离所述微胶囊的一侧施加预设条件，使所述微胶囊的囊壁破裂且释放所述量子点分散液于所述第一子像素区域对应的所述基底表面上；步骤S4，移走具有破裂囊壁的所述盖板，固化...

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1，准备盖板和多个微胶囊，将各所述微胶囊设置于所述盖板一侧表面上，各所述微胶囊包括囊壁和位于所述囊壁中的量子点分散液，所述量子点分散液能发出第一光；步骤S2，将所述盖板具有所述微胶囊的一侧朝向基底，所述基底包括第一像素区域，且所述第一像素区域包括多个第一子像素区域，使至少一个所述微胶囊对应一个所述第一子像素区域，使所述囊壁与所述第一子像素区域对应的所述基底表面接触；步骤S3，在所述盖板的远离所述微胶囊的一侧施加预设条件，使所述微胶囊的囊壁破裂且释放所述量子点分散液于所述第一子像素区域对应的所述基底表面上；步骤S4，移走具有破裂囊壁的所述盖板，固化被释放的所述量子点分散液，得到设置于所述第一像素区域的第一量子点膜。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述盖板为透明盖板时，所述预设条件选自光照、辐射和改变温度中的一种或多种组合；当所述盖板为柔性盖板时，所述预设条件包括压力。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底还包括第二像素区域，且所述第二像素区域包括多个第二子像素区域，重复所述步骤S1至S4的过程，其中所述微胶囊中的量子点分散液为能发出第二光的量子点分散液，使至少一个所述微胶囊对应一个所述第二子像素区域，得到设置于所述第二像素区域的第二量子点膜。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述基底为具有至少一层膜层的基板，所述膜层选自电极层、功能层、发光层中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述膜层包括发光层，所述发光层能发出初始光，所述步骤S1中的所述量子点分散液在所述初始光的激发下发出第一光和第二光。6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述基底还包括第三像素区域，且所述第三像素区域包括多个第三子像素区域，重复所述步骤S1至S4的过程，其中所述微胶囊中的量子点分散液更换为无发光特性的透光液体，使至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜勇，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33