一种化合物半导体的金属化结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种化合物半导体的金属化结构，其结构包括环氧树脂透镜、导线、反射碗、半导体芯片、阴极接柱基底、阳极接柱基底、底板、阴极接柱、阳极接柱，反射碗设于半导体芯片下方，半导体芯片设于阳极接柱基底上方，阳极接柱基底设于底板上方，底板设于阴极接柱上方，阳极接柱设于阳极接柱基底下方，半导体芯片设有半导体芯片电路板、半导体芯片引脚，半导体芯片电路板与半导体芯片引脚固定连接，本实用新型专利技术一种化合物半导体的金属化结构，通过设置半导体芯片，实现了能锁定程序编写程序录入到芯片中，这种化合物半导体的金属化特性使得半导体跨度到化学领域中也能运用，不只是停留物理领域。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物半导体的金属化结构
本技术是一种化合物半导体的金属化结构，属于半导体领域。
技术介绍
随着信息技术的不断发展，化合物半导体在微电子学和光电子学领域中发挥的作用越来越巨大。以碲镉汞、锑化铟、铟镓砷等化合物半导体为基础材料制备的红外焦平面阵列已成为当今红外探测器发展的主流。此类红外焦平面探测器在目标搜寻、导弹预警探测、情报侦察等领域有着广阔的应用前景。INGAAS,INSB是典型的II1-V族化合物半导体，HGCDTE是典型的I1-VI族化合物半导体。在半导体器件工艺中，每个半导体器件都需要金属化，从而形成金属和半导体的欧姆接触，以实现良好的电特性，用于红外探测器制备的化合物半导体器件也不例外。但是红外探测器会工作在许多恶劣的环境下，比如高压力、高真空等宇航太空环境中，金属化结构可能与化合物半导体分离，导致器件失效。因此，对用于红外探测器的金属化结构提出了更严格的要求，就是既要满足可以形成小的欧姆电阻的电学特性要求，又要满足能与化合物半导体有稳定的力学接触的要求。现有公开技术申请号为：CN200920148749.5的一种半导体结构，此半导体结构包含一第二芯片与一第一芯片，其脚位定义依序为S2、G2、D2/D1、G1、S1，一相对应的半导体结构，包含第一芯片与第二芯片，其脚位定义依序为S1、G1、D1/D2、S2、G2。当此半导体结构与此相对应的半导体结构于一PCB做布局时，S1可直接连结于一GND，S2则可直接连结于一VIN。本技术完全解决需要跳线辅助的问题并减少电气特性产生噪声的干扰。但是不能实现锁定程序编写程序录入到芯片中，这种化合物半导体的金属化特性使得半导体不能跨度到化学领域中运用，只是停留物理领域。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种化合物半导体的金属化结构为了实现上述目的，本技术是通过如下的技术方案来实现：一种化合物半导体的金属化结构，其结构包括环氧树脂透镜、导线、反射碗、半导体芯片、阴极接柱基底、阳极接柱基底、底板、阴极接柱、阳极接柱，所述环氧树脂透镜设于底板上方，所述记导线设于反射碗上方，所述反射碗设于半导体芯片下方，所述半导体芯片设于阳极接柱基底上方，所述阴极接柱基底设于阳极接柱基底左侧，所述阳极接柱基底设于底板上方，所述底板设于阴极接柱上方，所述阴极接柱设于阳极接柱左侧，所述阳极接柱设于阳极接柱基底下方，所述半导体芯片设有半导体芯片电路板、半导体芯片引脚，所述半导体芯片电路板与半导体芯片引脚固定连接。进一步地，所述环氧树脂透镜与底板相连接。进一步地，所述导线与反射碗固定连接。进一步地，所述反射碗与半导体芯片固定连接。进一步地，所述阴极接柱基底与阳极接柱基底活动连接。进一步地，所述环氧树脂透镜为化合物材料。进一步地，所述半导体芯片为金属材料。本技术一种化合物半导体的金属化结构，通过设置半导体芯片，能锁定程序编写程序录入到芯片中，这种化合物半导体的金属化特性使得半导体跨度到化学领域中也能运用，不只是停留物理领域。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本技术一种化合物半导体的金属化结构的结构示意图。图2为本技术光照传感装置的结构示意图。图中：环氧树脂透镜-1、导线-2、反射碗-3、半导体芯片-4、阴极接柱基底-5、阳极接柱基底-6、底板-7、阴极接柱-8、阳极接柱-9、半导体芯片电路板-40、半导体芯片引脚-41。具体实施方式为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。请参阅图1-2，本技术提供一种化合物半导体的金属化结构技术方案：一种化合物半导体的金属化结构，其结构包括环氧树脂透镜1、导线2、反射碗3、半导体芯片4、阴极接柱基底5、阳极接柱基底6、底板7、阴极接柱8、阳极接柱9，所述环氧树脂透镜1设于底板7上方，所述记导线2设于反射碗3上方，所述反射碗3设于半导体芯片4下方，所述半导体芯片4设于阳极接柱基底6上方，所述阴极接柱基底5设于阳极接柱基底6左侧，所述阳极接柱基底6设于底板7上方，所述底板7设于阴极接柱8上方，所述阴极接柱8设于阳极接柱9左侧，所述阳极接柱9设于阳极接柱基底6下方，所述半导体芯片4设有半导体芯片电路板40、半导体芯片引脚41，所述半导体芯片电路板40与半导体芯片引脚41固定连接，所述环氧树脂透镜1与底板7相连接，所述导线2与反射碗3固定连接，所述反射碗3与半导体芯片4固定连接，所述阴极接柱基底5与阳极接柱基底6活动连接，所述环氧树脂透镜1为化合物材料，所述半导体芯片4为金属材料。在进行使用时，通过设置半导体芯片4，能锁定程序编写程序录入到芯片中，这种化合物半导体的金属化特性使得半导体跨度到化学领域中也能运用，不只是停留物理领域。例如：在使用半导体时，要接触化学物质，普通物理半导体可能被化学元素分解，而化合物半导体的金属化避免了这点缺陷，完善了在化学领域中做到可以运用半导体。以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体的金属化结构，其特征在于：其结构包括环氧树脂透镜（1）、导线（2）、反射碗（3）、半导体芯片（4）、阴极接柱基底（5）、阳极接柱基底（6）、底板（7）、阴极接柱（8）、阳极接柱（9），所述环氧树脂透镜（1）设于底板（7）上方，所述记导线（2）设于反射碗（3）上方，所述反射碗（3）设于半导体芯片（4）下方，所述半导体芯片（4）设于阳极接柱基底（6）上方，所述阴极接柱基底（5）设于阳极接柱基底（6）左侧，所述阳极接柱基底（6）设于底板（7）上方，所述底板（7）设于阴极接柱（8）上方，所述阴极接柱（8）设于阳极接柱（9）左侧，所述阳极接柱（9）设于阳极接柱基底（6）下方，所述半导体芯片（4）设有半导体芯片电路板（40）、半导体芯片引脚（41），所述半导体芯片电路板（40）与半导体芯片引脚（41）固定连接。

【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体的金属化结构，其特征在于：其结构包括环氧树脂透镜（1）、导线（2）、反射碗（3）、半导体芯片（4）、阴极接柱基底（5）、阳极接柱基底（6）、底板（7）、阴极接柱（8）、阳极接柱（9），所述环氧树脂透镜（1）设于底板（7）上方，所述记导线（2）设于反射碗（3）上方，所述反射碗（3）设于半导体芯片（4）下方，所述半导体芯片（4）设于阳极接柱基底（6）上方，所述阴极接柱基底（5）设于阳极接柱基底（6）左侧，所述阳极接柱基底（6）设于底板（7）上方，所述底板（7）设于阴极接柱（8）上方，所述阴极接柱（8）设于阳极接柱（9）左侧，所述阳极接柱（9）设于阳极接柱基底（6...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜添和，
申请(专利权)人：颜添和，
类型：新型
国别省市：上海,31