一种电子元件生产的离子注入装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种电子元件生产的离子注入装置，包括离子源，离子源上端安装有离子喷枪，离子源上端连接有离子通道，离子通道上设置有离子过滤孔隙，离子过滤孔隙右端设置有聚焦器，聚焦器右端设置有磁镜，磁镜右端连接有离子加速器，离子加速器内设置有晶片夹具，晶片夹具包括基板，基板内设置有晶片插槽，基板内设置有若干个遮挡凹槽，遮挡凹槽内插入遮挡板，遮挡板与遮挡凹槽可拆卸连接，通过对离子注入装置进行结构改进，利用磁镜来稳定离子束，使得离子在注入过程中更加均匀稳定，采用晶片夹具来夹持晶片，使得晶片能够稳定接收离子束，避免离子注入过程中晃动带来的偏差，晶片夹具上的遮挡板位置可调，实现均匀分布，值得推广。

【技术实现步骤摘要】
一种电子元件生产的离子注入装置
本技术涉及电子元件生产设备
，具体为一种电子元件生产的离子注入装置。
技术介绍
离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，这个现象叫做溅射；而当离子束射到固体材料时，从固体材料表面弹了回来，或者穿出固体材料而去，这些现象叫做散射；另外有一种现象是，离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中的这一现象。申请号为201521074217.3，名称为离子注入装置的技术专利，包括用于发生离子束的离子源、质量分析单元、遮挡单元和基板，质量分析单元设置于离子束发射方向上，且质量分析单元的入口与离子束相对，对射入质量分析单元进行分选，质量分析单元的侧壁上还设置有分析狭缝，离子束经过分选后射出质量分析单元；遮挡单元设置于质量分析单元上，且与分析狭缝共处于同一侧壁上，遮挡单元可紧贴侧壁移动，能够遮挡经由分析狭缝射出的离子束；基板设置于与分析狭缝相对的位置；本技术的离子注入装置通过在质量分析单元的分析狭缝处设置遮挡单元，来调整射出分析狭缝的离子束的宽度，从而调整射出分析狭缝的离子束剂量，从而实现了连续离子注入过程中对注入剂量进行自动调整。但是目前很多的电子元件在进行离子注入加工的时候，很多的晶片容易注入过多的离子，而且离子的分散不均匀，因此设计了一种电子元件生产的离子注入装置。
技术实现思路
为了克服现有技术方案的不足，本技术提供一种电子元件生产的离子注入装置，通过对离子注入装置进行结构改进，利用磁镜来稳定离子束，使得离子在注入过程中更加均匀稳定，采用晶片夹具来夹持晶片，使得晶片能够稳定接收离子束，避免离子注入过程中晃动带来的偏差，晶片夹具上的遮挡板位置可调，可实现均匀的注入分布，值得推广。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种电子元件生产的离子注入装置，包括离子源，所述离子源上端安装有离子喷枪，所述离子源上端连接有离子通道，所述离子通道上设置有离子过滤孔隙，所述离子过滤孔隙右端设置有聚焦器，所述聚焦器右端设置有磁镜，所述磁镜右端连接有离子加速器，所述离子加速器内设置有晶片夹具；所述晶片夹具包括基板，所述基板内设置有晶片插槽，所述基板内设置有若干个遮挡凹槽，所述遮挡凹槽内插入遮挡板，所述遮挡板与遮挡凹槽可拆卸连接。作为本技术一种优选的技术方案，所述聚焦器右端设置有两个静电偏转器，所述静电偏转器相互平行设置。作为本技术一种优选的技术方案，所述离子通道内设置有折射段，所述折射段为圆弧形结构。作为本技术一种优选的技术方案，所述聚焦器内部设置有四个聚焦磁铁。作为本技术一种优选的技术方案，所述晶片插槽内部设置有硅胶垫片，所述硅胶垫片上设置有防滑纹路。作为本技术一种优选的技术方案，所述基板下端设置有旋转轴。与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过对离子注入装置进行结构改进，利用磁镜来稳定离子束，使得离子在注入过程中更加均匀稳定，采用晶片夹具来夹持晶片，使得晶片能够稳定接收离子束，避免离子注入过程中晃动带来的偏差，晶片夹具上的遮挡板位置可调，可实现均匀的注入分布，值得推广。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术晶片夹具结构示意图。图中：1-离子源，2-离子喷枪，3-离子通道，4-离子过滤孔隙，5-聚焦器，6-磁镜，7-离子加速器，8-晶片夹具，9-基板，10-晶片插槽，11-遮挡凹槽，12-遮挡板，13-静电偏转器，14-折射段，15-聚焦磁铁，16-硅胶垫片，17-防滑纹路，18-旋转轴。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例：如图1与图2所示，本技术提供了一种电子元件生产的离子注入装置，包括离子源1，所述离子源1上端安装有离子喷枪2，所述离子源1上端连接有离子通道3，所述离子通道3上设置有离子过滤孔隙4，所述离子过滤孔隙4右端设置有聚焦器5，所述聚焦器5右端设置有磁镜6，所述磁镜6右端连接有离子加速器7，所述离子加速器7内设置有晶片夹具8；所述晶片夹具8包括基板9，所述基板9内设置有晶片插槽10，所述基板9内设置有若干个遮挡凹槽11，所述遮挡凹槽11内插入遮挡板12，所述遮挡板12与遮挡凹槽11可拆卸连接；本技术工作原理：通过离子源1产生离子，离子通过离子喷枪2喷射出去，形成多束离子束，离子束在离子管道3内传输，当通过离子过滤孔隙4的时候，被过滤成一束离子束，随后在聚焦器5的作用下，通过电磁式的聚焦磁铁15将内部离子聚集，继续传输到磁镜6内，磁镜6在磁约束原理下，将射入的离子束约束在磁镜6内，达到稳定作用，随后通过离子加速器7利用一定形态的电磁场将电子、质子或重离子等带电粒子加速，让离子束注入晶片内，晶片固定在基板9的晶片插槽10内，基板9上的遮挡凹槽11内间隔插入遮挡板12，对离子束进行遮挡，注入一端时间后拆卸遮挡板12，并更换遮挡板12位置，进行下一次的注入，使得离子束被均匀注入晶片内。本技术中，值得说明的是，如图1所示，所述聚焦器5右端设置有两个静电偏转器13，所述静电偏转器13相互平行设置，使得离子束被静电偏转成一束平整的离子束。本技术中，值得说明的是，如图1所示，所述离子通道3内设置有折射段14，所述折射段14为圆弧形结构，方便对不同的离子束进行折射。本技术中，值得说明的是，如图1所示，所述聚焦器5内部设置有四个聚焦磁铁15，通过磁铁产生磁场来进行离子的聚焦操作。本技术中，值得说明的是，如图2所示，所述晶片插槽10内部设置有硅胶垫片16，所述硅胶垫片16上设置有防滑纹路17，保护了晶片结构，避免晶片晃动。本技术中，值得说明的是，如图2所示，所述基板9下端设置有旋转轴18，方便旋转角度进行离子注入。本技术通过对离子注入装置进行结构改进，利用磁镜来稳定离子束，使得离子在注入过程中更加均匀稳定，采用晶片夹具来夹持晶片，使得晶片能够稳定接收离子束，避免离子注入过程中晃动带来的偏差，晶片夹具上的遮挡板位置可调，可实现均匀的注入分布，值得推广。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件生产的离子注入装置，其特征在于：包括离子源(1)，所述离子源(1)上端安装有离子喷枪(2)，所述离子源(1)上端连接有离子通道(3)，所述离子通道(3)上设置有离子过滤孔隙(4)，所述离子过滤孔隙(4)右端设置有聚焦器(5)，所述聚焦器(5)右端设置有磁镜(6)，所述磁镜(6)右端连接有离子加速器(7)，所述离子加速器(7)内设置有晶片夹具(8)；所述晶片夹具(8)包括基板(9)，所述基板(9)内设置有晶片插槽(10)，所述基板(9)内设置有若干个遮挡凹槽(11)，所述遮挡凹槽(11)内插入遮挡板(12)，所述遮挡板(12)与遮挡凹槽(11)可拆卸连接。

【技术特征摘要】
1.一种电子元件生产的离子注入装置，其特征在于：包括离子源(1)，所述离子源(1)上端安装有离子喷枪(2)，所述离子源(1)上端连接有离子通道(3)，所述离子通道(3)上设置有离子过滤孔隙(4)，所述离子过滤孔隙(4)右端设置有聚焦器(5)，所述聚焦器(5)右端设置有磁镜(6)，所述磁镜(6)右端连接有离子加速器(7)，所述离子加速器(7)内设置有晶片夹具(8)；所述晶片夹具(8)包括基板(9)，所述基板(9)内设置有晶片插槽(10)，所述基板(9)内设置有若干个遮挡凹槽(11)，所述遮挡凹槽(11)内插入遮挡板(12)，所述遮挡板(12)与遮挡凹槽(11)可拆卸连接。2.根据权利要求1所述的一种电子元件生产的离子注入装...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐月苗，
申请(专利权)人：诸暨越博企业管理咨询有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33