像素结构、其制作方法以及使用其的显示器技术

一种像素结构，包含第一金属层、半导体层、隔离层以及第二金属层。第一金属层设置于基板上，并包含保护部及辅助部，其中辅助部不与保护部连接。半导体层设置于第一金属层上，且半导体层于基板的垂直投影与保护部于基板的垂直投影至少部分重叠。隔离层设置于半导体层上，其中至少一第一通孔贯穿隔离层。第二金属层设置于隔离层上，并具有第一连接部及第二连接部，其中第二连接部的至少一部分位于第一通孔内，且第二连接部于基板的垂直投影与辅助部于基板的垂直投影至少部分重叠。

【技术实现步骤摘要】
像素结构、其制作方法以及使用其的显示器
本专利技术涉及一种像素结构、其制作方法以及使用其的显示器。
技术介绍
于各式消费性电子产品之中，应用薄膜晶体管(thinfilmtransistor；TFT)的液晶显示器已经被广泛地使用。液晶显示器主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光阵列基板和液晶层所构成，薄膜晶体管阵列基板包含多个像素结构，薄膜晶体管阵列基板上设置有多个以阵列排列的薄膜晶体管，以及与每一个薄膜晶体管对应配置的像素电极。一般而言，薄膜晶体管阵列基板的形成方式须通过多道工艺，例如显影工艺以及蚀刻工艺。然而，当结构越复杂时，光罩工艺所包含的曝光、显影以及蚀刻工艺也需要进行相对多次，也因此将会增加工艺成本，致使所制造的消费性电子产品的成本也连带增加。
技术实现思路
本
技术实现思路
之一实施方式提供一种显示器，包含像素结构，其中像素结构包含第一金属层、第二金属层、半导体层、隔离层、缓冲层以及贯穿隔离层或缓冲层的通孔。第一金属层包含保护部及辅助部，其中半导体层设置于第一金属层的保护部及第二金属层上方。第一金属层的保护部以及第二金属层可用以防止半导体层下方的杂质扩散或水气入侵至半导体层，从而降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包含：一第一金属层，设置于一基板上，并包含一保护部及一辅助部，其中该辅助部不与该保护部连接；一半导体层，设置于该第一金属层上，且该半导体层于该基板的垂直投影与该保护部于该基板的垂直投影至少部分重叠；一隔离层，设置于该半导体层上，其中至少一第一通孔贯穿该隔离层；以及一第二金属层，设置于该隔离层上，并具有一第一连接部及一第二连接部，其中该第二连接部的至少一部分位于该第一通孔内，且该第一连接部于该基板的垂直投影与该半导体层于该基板的垂直投影至少部分重叠，而该第二连接部于该基板的垂直投影与该辅助部于该基板的垂直投影至少部分重叠。

【技术特征摘要】
2017.07.25 TW 1061249481.一种像素结构，其特征在于，包含：一第一金属层，设置于一基板上，并包含一保护部及一辅助部，其中该辅助部不与该保护部连接；一半导体层，设置于该第一金属层上，且该半导体层于该基板的垂直投影与该保护部于该基板的垂直投影至少部分重叠；一隔离层，设置于该半导体层上，其中至少一第一通孔贯穿该隔离层；以及一第二金属层，设置于该隔离层上，并具有一第一连接部及一第二连接部，其中该第二连接部的至少一部分位于该第一通孔内，且该第一连接部于该基板的垂直投影与该半导体层于该基板的垂直投影至少部分重叠，而该第二连接部于该基板的垂直投影与该辅助部于该基板的垂直投影至少部分重叠。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，更包含：一第三金属层，设置于该隔离层上，并具有一栅极部及至少一线路部，其中该栅极部于该基板的垂直投影与该半导体层于该基板的垂直投影至少部分重叠，而该线路部于该基板的垂直投影与该第二金属层的该第二连接部于该基板的垂直投影至少部分重叠；以及一介电层，覆盖该第三金属层，其中该至少一第一通孔贯穿该介电层与该隔离层，至少一第二通孔贯穿该介电层与该隔离层，且该第二金属层的该第一连接部通过该第二通孔与该半导体层电性连接。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，至少一第三通孔贯穿该介电层，且该第二金属层的该第二连接部通过该第三通孔与该第三金属层的该线路部电性连接。4.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，更包含：一缓冲层，设置于该第一金属层与该半导体层之间，其中该至少一第一通孔贯穿该缓冲层、该介电层与该隔离层；以及一第四金属层，设置于该缓冲层与该半导体层之间，其中该第四金属层于该基板的垂直投影与该半导体层于该基板的垂直投影至少部分重叠。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈发祥，林世亮，吴彦佑，王培筠，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71