离子荧光超分辨成像方法技术

本发明专利技术涉及一种离子荧光超分辨成像方法，该方法包括以下步骤：⑴制作待辐照样品；⑵将待辐照样品固定于样品台上，并在待辐照样品后方紧贴该待辐照样品放置荧光靶；⑶将离子束流辐照样品兴趣区随机位置；⑷单个离子入射后依次透射待辐照样品和荧光靶，在所述荧光靶中产生离子激发荧光，荧光经过高倍物镜后由成像设备收集，产生单离子荧光显微图像；⑸将单离子荧光显微图像与同时段获得的状态变化信号关联映射，输出并存储；⑹保持待辐照样品处于离子辐照下，使离子辐照遍历所述样品兴趣区达到成像数据量要求；⑺获得单离子辐照高精度位置坐标，以单离子高精度坐标和状态变化信号关联映射绘图即可。本发明专利技术可提高成像分辨率。

Ion fluorescence super-resolution imaging method

The invention relates to a super resolution fluorescence imaging method, the method comprises the following steps: firstly, the production to be irradiated samples to be irradiated; the sample is fixed on the sample table, and in the irradiated samples to be irradiated samples placed close to the rear of the fluorescent target; the ion beam irradiation sample in the random position; in order to be single ion incident after transmission of irradiated samples and fluorescent target, produce ion excitation fluorescence in the target fluorescence, fluorescence after high magnification objective lens by imaging equipment to collect, produce the single ion fluorescence microscopic image; the change of state signal correlation mapping of single ion fluorescence microscopic image and at the same time gain, output and storage; it can stay in the irradiated samples under ion irradiation, ion irradiation of the sample to traverse the region of interest to imaging data, to obtain high precision position requirements; single ion irradiation The coordinates are plotting with a single ion high precision coordinate and a state change signal associated mapping. The invention can improve the imaging resolution.

【技术实现步骤摘要】
离子荧光超分辨成像方法
本专利技术涉及一种离子成像技术，尤其涉及离子荧光超分辨成像方法。
技术介绍
目前，投入应用的离子成像技术主要分为微束扫描成像技术和二次粒子发射成像技术。⑴微束扫描成像技术采用微狭缝光阑来限制束流的物尺寸和发散角，然后用电磁聚焦磁铁组合将能量为MeV至GeV的离子束流聚焦至微米大小的束斑，束斑位置由扫描参数直接给出，其后通过电磁偏转扫描，将微米束斑扫描辐照样品的兴趣区，将束斑扫描位置和样品辐照效应事件关联获得样品辐照效应的微区分布（MetzgerS,DreuteJ,HeinrichWetal.HeavyionmicroscopyofsingleeventupsetsinCMOSSRAMs,IEEETrans.Nucl.Sci.1994,41:589.；Haran,J.Barak,D.David,N.Refaelietal.MappingofsingleeventburnoutinpowerMOSFETs,IEEETrans.Nucl.Sci.2007,54(6):2488-2494.）；⑵二次粒子发射成像技术包括离子电子发射成像技术和离子光子发射成像技术，其采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
离子荧光超分辨成像方法，包括以下步骤：⑴制作待辐照样品（3）；⑵将所述待辐照样品（3）固定于样品台上，使所述待辐照样品（3）的平面与离子束流垂直，并在所述待辐照样品（3）后方紧贴该待辐照样品（3）放置荧光靶（4）；⑶将离子束流以随机辐照方式或单离子控制方式辐照样品兴趣区（2）内随机位置（8）；⑷单个离子（1）入射后依次透射所述待辐照样品（3）和所述荧光靶（4），在所述荧光靶（4）中产生离子激发荧光（5），荧光经过高倍物镜（6）后由成像设备（7）收集，产生单离子荧光显微图像；⑸将所述单离子荧光显微图像与同时段获得的所述待辐照样品（3）的状态变化信号（9）关联映射，输出并存储；⑹保持所述待辐照样品...

【技术特征摘要】
1.离子荧光超分辨成像方法，包括以下步骤：⑴制作待辐照样品（3）；⑵将所述待辐照样品（3）固定于样品台上，使所述待辐照样品（3）的平面与离子束流垂直，并在所述待辐照样品（3）后方紧贴该待辐照样品（3）放置荧光靶（4）；⑶将离子束流以随机辐照方式或单离子控制方式辐照样品兴趣区（2）内随机位置（8）；⑷单个离子（1）入射后依次透射所述待辐照样品（3）和所述荧光靶（4），在所述荧光靶（4）中产生离子激发荧光（5），荧光经过高倍物镜（6）后由成像设备（7）收集，产生单离子荧光显微图像；⑸将所述单离子荧光显微图像与同时段获得的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜广华，郭金龙，毛光博，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃,62