用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素制造技术

一种用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素包含第一光电二极管及第二光电二极管。所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区。所述第二光电二极管具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量。所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区。所述第一光电二极管可用于测量低光且所述第二光电二极管可用于测量亮光。

Image sensor pixels for high dynamic range image sensor

An image sensor pixel for a high dynamic range image sensor consists of a first photodiode and a two photodiode. The first photodiode comprises the first doped area, the first light doped area and the first high doped area between the first doped area and the first light doped area. The second photodiode is substantially equal to the second full well capacity of the first full well capacity of the first photodiode. The second photodiode comprises second doped regions, second light doped regions, and second high doped regions between the second doped regions and the second light doped regions. The first photodiode can be used to measure low light and the second photodiode can be used to measure light.

【技术实现步骤摘要】
用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素分案申请的相关信息本案是分案申请。本分案的母案是申请日为2014年3月3日、申请号为201410074474.0、专利技术名称为“用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素”的专利技术专利申请案。
本专利技术大体来说涉及图像传感器，且特定来说(但非排他性地)涉及高动态范围图像传感器中的像素。
技术介绍
高动态范围(“HDR”)图像传感器对于许多应用来说为有用的。一般来说，普通图像传感器(举例来说，包含电荷耦合装置(“CCD”)及互补金属氧化物半导体(“CMOS”)图像传感器)具有大致70dB动态范围的动态范围。相比之下，人眼具有多达大致100dB的动态范围。存在其中具有增加的动态范围的图像传感器为有益的多种情形。举例来说，在汽车行业中需要具有大于100dB的动态范围的图像传感器以便处置不同行驶条件，例如从黑暗隧道向明亮日光中行驶。确实，许多应用可需要具有至少90dB或更大的动态范围的图像传感器以适应从低光条件到亮光条件变化的宽广范围的照明情形。一种用于实施HDR图像传感器的已知方法是使用组合像素。可使用一个像素来感测亮光条件，同时可使用另一像素来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素，所述图像传感器像素包括：第一光电二极管，其安置于半导体材料中，所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区，其中所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区及所述第一经高掺杂区相反地被掺杂，且其中所述第一经高掺杂区具有比所述第一经轻掺杂区高的第一掺杂剂浓度，且其中所述第一经掺杂区经放置以在所述第一经高掺杂区接收图像光之前接收所述图像光，且其中所述第一经掺杂区、所述第一经轻掺杂区和所述第一经高掺杂区为连续的且彼此横向同等延伸；第二光电二极管，其安置于所述半导体材料中且具有实质上等于所...

【技术特征摘要】
2013.12.19 US 14/135,0661.一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素，所述图像传感器像素包括：第一光电二极管，其安置于半导体材料中，所述第一光电二极管包含第一经掺杂区、第一经轻掺杂区及安置于所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区之间的第一经高掺杂区，其中所述第一经掺杂区与所述第一经轻掺杂区及所述第一经高掺杂区相反地被掺杂，且其中所述第一经高掺杂区具有比所述第一经轻掺杂区高的第一掺杂剂浓度，且其中所述第一经掺杂区经放置以在所述第一经高掺杂区接收图像光之前接收所述图像光，且其中所述第一经掺杂区、所述第一经轻掺杂区和所述第一经高掺杂区为连续的且彼此横向同等延伸；第二光电二极管，其安置于所述半导体材料中且具有实质上等于所述第一光电二极管的第一全阱容量的第二全阱容量，所述第二光电二极管包含第二经掺杂区、第二经轻掺杂区及安置于所述第二经掺杂区与所述第二经轻掺杂区之间的第二经高掺杂区，其中所述第二经掺杂区被掺杂为与所述第一经掺杂区相同的极性但与所述第二经轻掺杂区及所述第二经高掺杂区相反地被掺杂，且其中所述第二经高掺杂区具有比所述第二经轻掺杂区高的第二掺杂剂浓度，所述第一经高掺杂区及所述第二经高掺杂区为实质上相同的大小及形状且具有实质上相等的掺杂剂浓度，且其中所述第二经掺杂区经放置以在所述第二经高掺杂区接收所述图像光之前接收所述图像光；第一微透镜，其经光学耦合以将第一量...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳政澔，真锅宗平，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US