一种多光谱摄像装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种多光谱摄像装置。所述多光谱摄像装置包括：第一光电转换单元，包括：第一光电转换层，用于将可见光光电转换为电信号；第一导电层，设置于所述第一光电转换层的入光侧，所述第一导电层连接第一固定电位；第二导电层，设置于第一光电转换层的出光侧；和第一像素电路连接到第二导电层；第二光电转换单元，设置于所述第一光电转换单元的出光侧，包括：第二光电转换层，用于将红外光光电转换为电信号，并将信号电荷导流到第二像素电路；第三导电层，设置于所述第二光电转换层的入光侧；第四导电层，设置于所述第二光电转换层的出光侧；和第二像素电路，连接第二光电转换层或者第四导电层。

A multi spectral camera device

The invention provides a multi spectral imaging device. The multispectral imaging device includes: a first photoelectric conversion unit comprises a first photoelectric conversion layer for converting visible light into electrical signals; the first conductive layer, the light entrance side is arranged on the first photoelectric conversion layer, the first conductive layer is connected with the first fixed potential; the second conductive layer is arranged on the first. The photoelectric conversion layer light side; and the first pixel circuit is connected to the second conductive layer; second photoelectric conversion unit is arranged on the first side of the photoelectric conversion unit of light, including: second the photoelectric conversion layer for infrared photoelectric conversion into electrical signals, and the signal charge diversion to second pixel circuit; third the conductive layer, the light entrance side is arranged on the second photoelectric conversion layer; a fourth conductive layer is arranged on the second photoelectric conversion layer light side; and a second pixel circuit connected to the Two photoelectric conversion layer or fourth conductive layer.

【技术实现步骤摘要】
一种多光谱摄像装置
本专利技术涉及医疗辅助设备领域，尤其涉及一种多光谱摄像装置。
技术介绍
人体血管隐藏在表皮下面，往往被皮下脂肪，甚至骨骼所遮挡，在可红外摄像器件广泛应用于医疗图像诊断和穿刺辅助设备，夜间监控摄像，夜间行车摄像，生物特征识别，机器人视觉，食品质量和工业品表面质量的检测等领域。在移动信息终端的时代应用于手机摄像等则会促使更多多姿多彩的应用开发出来。人眼敏感的波长范围是从400nm到760nm的所谓可见光的光谱范围，然而使用不同光敏感材料的摄像器件和系统，其光电响应可以从X射线波段拓展到远红外波段，然后将不可见的电子图像信息用可见光的形式显示出来，就可以让人眼“直接”看到。如上所述，鉴于人眼与生俱来只能看见和识别可见光图像，实时实地将原来不可见的电磁辐射图像和可见光图像在同一个空间位置作相互比较，才能对外界物体的认识具体化，才能与人脑以往的对于可见光图像的记忆相互关联，才能对同一物体的各种光谱特性做一个综合的判断和信息处理。为此目的人们开发了使用可见光和红外光的双摄像头的多光谱摄像系统，然而有体积庞大带来的不便于携带和高成本问题，和不同光轴系统带来的图像对位和处理上的麻烦。为了避免这种问题，人们也开发了使用一个既对可见光敏感，又对红外光敏感的摄像器件，在不同的时间段上分别采集和处理不同光谱波段的图像。然而这种无论是使用机械式斩波器或者使用电子快门，不仅带来了系统构造和驱动的复杂性，而且在同时存在可见光和红外光的图像信息空间里，尤其是在被摄物体的空间位置或辐射强度随着时间而变化的场合，无法实时地获得精确的不同光谱的图像。根据不同波长的光子的吸收深度不同，将同一种半导体材料重复叠加起来在不同的吸收深度上就可以同时获得不同光谱范围的图像，这些不同光谱范围的图像可以是像素和像素精确对位的至少是四维的图像信息(XY空间维度，时间轴维度，波长或者能量轴维度上的强度分布图像)。更加进一步地，如果使用不同的半导体(无机的或有机的半导体光电转换材料)相互叠加起来，或者再叠加不同的滤波片，偏振片等光学膜片，就可以充分利用不同半导体的特性(能带宽度，吸收深度等)和光学膜片对入射光线的选择和调制作用，将可以采集的光谱图像信息，在光辐射的能量，密度，相位，偏振等特性上拓展的更加宽广和丰富。现有技术中，已经包括了将连续不间断的非晶硅半导体薄膜叠加在硅的CMOS器件上得到的叠层式混合半导体多光谱摄像器件，其包括了将可见光转换成电信号的第一光电转换层以及将红外光转换成电信号的第二光电转换层，第一光电转换层和第二光电转换层以在光线的入射方向上相互叠加的方式设置。为了充分利用硅集成电路的优点，第一光电转换层和第二光电转换层的电子信号分别连接到不同硅基板上制作的各自所属的晶体管像素电路，对信号做存储，放大，信噪比预处理和选择性地顺序输出到外部电路做进一步的放大，信噪比处理，数模转换，图像处理以及传输到网络和云服务器。在这种结构中，沿着入射光的方向，第一光电转换层的出光一侧的信号电极和第二光电转换层的入光一侧的信号电极在信号存储阶段是是处于电悬浮状态，并且会通过它们之间的寄生电容相互干扰，这种干扰会造成输出信号的“混色”，甚至信号幅度的相互抵消或衰减。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的在于提供多光谱摄像装置，克服现有技术中的困难，避免输出信号“混色”，甚至信号幅度的相互抵消或衰减等问题，使得高灵敏度的多光谱摄像成为可能。根据本专利技术的一个方面，提供一种多光谱摄像装置，所述多光谱摄像装置包括：第一光电转换单元，所述第一光电转换单元包括：第一光电转换层，用于将可见光光电转换为电信号；第一导电层，可透过可见光和红外光，设置于所述第一光电转换层的入光侧，所述第一导电层连接第一固定电位；第二导电层，可透过红外光，设置于所述第一光电转换层的出光侧；和第一像素电路，所述第一像素电路连接到所述第二导电层；第二光电转换单元，制作在一硅基板上并设置于所述第一光电转换单元的出光侧，所述第二光电转换单元包括：第二光电转换层，用于将红外光光电转换为电信号；第三导电层，可透过红外光，设置于所述第二光电转换层的入光侧；第四导电层，设置于所述第二光电转换层的出光侧；和第二像素电路，所述第二像素电路连接到第二光电转换层或者第四导电层。可选地，所述第一像素电路包括第一输出晶体管，其源电极连接所述第二导电层，其漏极连接到输出信号线；所述第二像素电路包括第二输出晶体管，所述第二输出晶体管源极扩散层连接所述第二光电转换层，或者所述第二输出晶体管的源电极连接到所述第四导电层，其漏极连接到输出信号线。可选地，所述第一像素电路是APS(activepixelsensor)类型的电路并制作在所述硅基板上，其至少包括：第一复位晶体管，连接到第二导电层，用于对所述第二导电层的电位进行复位处理；第一放大晶体管，其栅极连接到所述第二导电层并将所述第二导电层的电荷量信号转换成电压信号；和第一输出晶体管，用于对所述第一放大晶体管进行选择输出；所述第二像素电路是APS(activepixelsensor)类型的电路并制作在所述硅基板上，其包括：第二复位晶体管，其源极扩散层连接到所述第二光电转换层或其源电极连接到所述第四导电层并对所述源极扩散层或所述源电极的电位进行复位处理；第二放大晶体管，其栅极连接到所述第二复位晶体管的源极，并将所述第二复位晶体管源极的电荷量信号转换成电压信号；和第二输出晶体管，用于所述第二放大晶体管进行选择输出。可选地，所述第三导电层连接第二固定电位或处于电悬浮状态；所述第四导电层连接到第三固定电位。可选地，所述硅基板的多层结构沿着入射光线的方向顺序地包括：第一导电类型的第一离子注入层，作为所述第三导电层，所述第一离子注入层的厚度为d1，其掺杂浓度为N1；第一导电类型的第一硅外延生长层，所述第一硅外延生长层的厚度为d2，其掺杂浓度为N2；第二导电类型的第二离子注入层，作为所述第二光电转换层的中心区域，所述第二离子注入层的厚度为d3，其掺杂浓度为N3；第一导电类型的第二硅外延生长层，所述第二硅外延生长层的厚度为d4，其掺杂浓度为N4；第一导电类型的硅衬底层，作为所述第四导电层，所述硅衬底层的厚度为d5，其掺杂浓度为N5。可选地，所述硅基板还包括：复数个不连续的第一导电类型的重掺杂扩散层和第二导电类型的重掺杂扩散层，设置于所述第一硅外延生长层之上，作为所述第一像素电路和第二像素电路中CMOS晶体管的源极和漏极的扩散层以及沟道阻挡层的扩散层；至少一个第二导电类型的重掺杂扩散层的扩散区域延伸到并连接所述第二离子注入层。可选地，所述第二导电层和硅基板内的第二光电转换层的中心区域相对所述第一导电层所在平面形成的投影具有一相互重叠区域，且该相互重叠区域的面积超过所述第二导电层和所述第二光电转换层的中心区域的两个投影中最小者面积的85％。可选地，所述第二导电层和第三导电层相对所述第一导电层所在平面形成的投影具有一相互重叠区域，且该相互重叠区域的面积超过所述第二导电层和所述第三导电层的两个投影中最小者面积的85％。可选地，所述硅基板内的各层的掺杂浓度与厚度之间的关系为：(d1×N1+d2×N2)>0.5×d3×N3；且(d5×N5+d4×N4)&本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多光谱摄像装置，其特征在于，所述多光谱摄像装置包括：第一光电转换单元，所述第一光电转换单元包括：第一光电转换层，用于将可见光光电转换为电信号；第一导电层，可透过可见光和红外光，设置于所述第一光电转换层的入光侧，所述第一导电层连接第一固定电位；第二导电层，可透过红外光，设置于所述第一光电转换层的出光侧；和第一像素电路，所述第一像素电路连接到所述第二导电层；第二光电转换单元，制作在一硅基板上并设置于所述第一光电转换单元的出光侧，所述第二光电转换单元包括：第二光电转换层，用于将红外光光电转换为电信号；第三导电层，可透过红外光，设置于所述第二光电转换层的入光侧；第四导电层，设置于所述第二光电转换层的出光侧；和第二像素电路，所述第二像素电路连接到第二光电转换层或者第四导电层。

【技术特征摘要】
1.一种多光谱摄像装置，其特征在于，所述多光谱摄像装置包括：第一光电转换单元，所述第一光电转换单元包括：第一光电转换层，用于将可见光光电转换为电信号；第一导电层，可透过可见光和红外光，设置于所述第一光电转换层的入光侧，所述第一导电层连接第一固定电位；第二导电层，可透过红外光，设置于所述第一光电转换层的出光侧；和第一像素电路，所述第一像素电路连接到所述第二导电层；第二光电转换单元，制作在一硅基板上并设置于所述第一光电转换单元的出光侧，所述第二光电转换单元包括：第二光电转换层，用于将红外光光电转换为电信号；第三导电层，可透过红外光，设置于所述第二光电转换层的入光侧；第四导电层，设置于所述第二光电转换层的出光侧；和第二像素电路，所述第二像素电路连接到第二光电转换层或者第四导电层。2.如权利要求1所述的多光谱摄像装置，其特征在于，所述第一像素电路包括第一输出晶体管，其源电极连接所述第二导电层，其漏极连接到输出信号线；所述第二像素电路包括第二输出晶体管，所述第二输出晶体管的源极扩散层连接所述第二光电转换层，或者连接到所述第四导电层，其漏极连接到输出信号线。3.如权利要求1所述的多光谱摄像装置，其特征在于，所述第一像素电路制作在所述硅基板上，其包括：第一复位晶体管，连接到第二导电层，用于对所述第二导电层的电位进行复位处理；第一放大晶体管，其栅极连接到所述第二导电层并将所述第二导电层的电荷量信号转换成电压信号；和第一输出晶体管，用于对所述第一放大晶体管进行选择输出；所述第二像素电路制作在所述硅基板上，其包括：第二复位晶体管，其源极扩散层连接到所述第二光电转换层或连接到所述第四导电层并对所述源极扩散层的电位进行复位处理；第二放大晶体管，其栅极连接到所述第二复位晶体管的源极，并将所述第二复位晶体管源极的电荷量信号转换成电压信号；和第二输出晶体管，用于对所述第二放大晶体管进行选择输出。4.如权利要求1至3中任一项所述的多光谱摄像装置，其特征在于，所述第三导电层连接第二固定电位或处于电悬浮状态；所述第四导电层连接到第三固定电位。5.如权利要求4所述的多光谱摄像装置，其特征在于，所述硅基板的多层结构沿着入射光线的方向顺序地包括：第一导电类型的第一离子注入层，作为所述第三导电层，所述第一离子注入层的厚度为d1，其掺杂浓度为N1；第一导电类型的第一硅外延生长层，所述第一硅外延生长层的厚度为d2，其掺杂浓度为N2；第二导电类型的第二离子注入层，作为所述第二光电转换层的中心区域，所述第二离子注入层的厚度为d3，其掺杂浓度为N3；第一导电类型的第二硅外延生长层，所述第二硅外延生长层的厚度为d4，其掺杂浓度为N4；第一导电类型的硅衬底层，作为所述第四导电层，所述硅衬底层的厚度为d5，其掺杂浓度为N5。6.如权利要求5所述的多光谱摄像装置，其特征在于，所述硅基板还包括：复数个不连续的第一导电类型的重掺杂扩散层和第二导电类型的重掺杂扩散层，设置于所述第一硅外延生长层之上，作为所述第一像素电路和第二像素电路中CMOS晶体管的源极和漏极的扩散层以及沟道阻挡层的扩散层；至少一个第二导电类型的重掺杂扩散层的扩散区域延伸到并连接所述第二离子注入层。7.如权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄忠守，
申请(专利权)人：展谱光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31