溅射靶材组装体制造技术

本发明专利技术为一种溅射靶材组装体，其含有多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。

Sputtering target assembly

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射靶材组装体
本专利技术例如涉及一种利用溅射法将氧化物薄膜成膜时所用的溅射靶材组装体，所述氧化物薄膜可用作液晶显示器及有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示器那样的显示装置等中所用的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的半导体层(活性层)。更详细而言，本专利技术涉及一种具备于底板(backingplate)上经由接合材料(bondingmaterial)而配置的多个溅射靶材构件的溅射靶材组装体。
技术介绍
TFT的半导体层中所用的非晶氧化物薄膜(以下有时称为氧化物半导体薄膜)具有与通用的非晶硅(a-Si)相比更高的载体迁移率，光学带隙(opticalbandgap)大，且可在低温下成膜，故期待将其应用于要求大型、高分辨率、高速驱动的新一代显示器及耐热性低的树脂基板等。氧化物半导体薄膜代表性地可列举：含有铟(In)，进而含有选自镓(Ga)、锌(Zn)及锡(Sn)中的至少一种以上的氧化物半导体薄膜。例如包含In、Ga、Zn及O的非晶氧化物半导体(In-Ga-Zn-O，以下有时称为“IGZO”)薄膜具有高的载体迁移率，故可优选地使用。在形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶材组装体，其特征在于，包括：多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各所述载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.30 JP 2015-1309691.一种溅射靶材组装体，其特征在于，包括：多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各所述载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。2.根据权利要求1所述的溅射靶材靶材组装体，其特征在于将相邻的所述载置部配置于不同的底板上。3.根据权利要求1所述的溅射靶材靶材组装体，其特征在于将相邻的所述载置部配置于同一底板...

【专利技术属性】
技术研发人员：高木胜寿，金丸守贺，广瀬研太，岩崎祐纪，
申请(专利权)人：株式会社钢臂功科研，
类型：发明
国别省市：日本,JP