制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备制造技术

本实用新型专利技术提供的一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备。该蚀刻台包括：一载片台；至少一个吸头，所述吸头设置在所述载片台上，所述吸头用于支撑并吸附硅片，所述吸头共有一吸附面，所述吸附面为所述硅片与所述吸头相接触的面；以及至少一个限位件，所述限位件固定在所述载片台上，所述限位件用于限制所述硅片在所述吸附面内滑动。通过固定设置在载片台上的限位件限制硅片相对于吸头在吸附面的位置，有效避免硅片的位置发生偏移。

An etching table and a gas phase decomposition device used to measure the amount of metal on the surface of a silicon wafer

The utility model provides an etching table and an air phase decomposition device for measuring the metal quantity of the surface of the silicon wafer. The etching table comprises a carrier plate; at least one suction head, the suction head is arranged on the slide table, the suction head for supporting and adsorption of silicon, the suction head has a surface adsorption, the adsorption surface of the silicon wafer and the suction head contact the surface; and at least one stopper, the limiting parts are fixed on the slide table, the limiting parts are used for the adsorption of surface sliding of the silicon in the limit. The position of the silicon chip relative to the suction head is restricted by the fixed parts fixed on the plate table, so that the position of the silicon wafer is effectively avoided.

【技术实现步骤摘要】
制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备
本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备。
技术介绍
半导体器件的金属含量影响了半导体器件的电性能和可靠性，因此要严格控制半导体器件的金属含量，尤其是用于制造半导体器件的母材硅片表面的金属含量。为了更好的控制硅片表面的金属量，需要在硅片制造过程中准确测量硅片表面的金属量。目前，主要采用全反射X射线荧光(Total-reflectionX-rayfluorescence，TXRF)技术或者电感耦合等离子体质谱(InductivelyCoupledPlasmaMassSpectrometry，ICP-MS)技术测量硅片表面的金属量。其中，采用ICP-MS技术测量硅片表面的金属含量时，需要采用气相分解(VaporPhaseDecomposition，VPD)设备制作样品。通常硅片表面有一层很薄的氧化层，硅片表面的金属位于该氧化层中。在制作采用ICP-MS技术测量硅片表面的金属量的样品时，首先，VPD设备先将硅片放置在蚀刻台(Pad-fume)中，利用HF蒸汽或含有HF和N2的混合气体对硅片表面进行蚀刻，其中，HF与SiO2反应形成可溶于水的SiF4。之后，VPD设备将蚀刻后的硅片通过机械手或者手动放置到VPD设备的萃取台(Pad-scan)中。然后，Pad-scan将硅片表面的金属溶解到VPD溶液中以完成样品制备，其中，VPD溶液包含HF、H2O2和H2O。VPD设备在制作样品时，将硅片从Pad-fume装置转移到Pad-scan装置的过程中易发生硅片无法正常取出的问题，特别是采用机械手转移硅片时。此外，Pad-scan装置将硅片表面的金属溶解到VPD溶液中时，硅片容易从Pad-scan装置中掉落。因此，急需对Pad-fume装置进行改进，使硅片在Pad-fume装置中的位置准确。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备，以解决硅片在现有的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备中的位置不准确的问题。为解决上述技术问题，本技术提供一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，所述蚀刻台包括：一载片台；至少一个吸头，所述吸头设置在所述载片台上，所述吸头用于支撑并吸附硅片，所述吸头共有一吸附面，所述吸附面为所述硅片与所述吸头相接触的面；以及至少一个限位件，所述限位件固定在所述载片台上，所述限位件用于限制所述硅片在所述吸附面内滑动。可选的，所述吸头与所述载片台滑动连接，且所述吸头相对所述载片台滑动的方向垂直于所述吸附面。可选的，所述吸头的数量为三个。可选的，所述载片台面向所述硅片的一面开设有至少一个槽孔，所述槽孔用于吸附所述硅片。可选的，所述槽孔内的气压低于大气压。可选的，多个所述槽孔在所述载片台上呈多层环状分布，且所述吸头位于多个所述槽孔的中心。可选的，所述限位件的数量为三个，每个所述限位件与所述硅片的边缘点接触。可选的，多个所述限位件之间的间距相等。可选的，多个所述限位件呈环状分布，且所述吸头位于多个所述限位件的中心。可选的，所述限位件为圆柱形定位销，所述限位件的轴向平行于所述吸头相对于所述载片台滑动的方向。本技术还提供一种气相分解设备，包括上述的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台。本技术提供的一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台和气相分解设备包括：一载片台；至少一个吸头，所述吸头设置在所述载片台上，所述吸头用于支撑并吸附硅片，所述吸头共有一吸附面，所述吸附面为所述硅片与所述吸头相接触的面；以及至少一个限位件，所述限位件固定在所述载片台上，所述限位件用于限制所述硅片在所述吸附面内滑动。通过固定设置在载片台上的限位件限制硅片相对于吸头在吸附面的位置，有效避免硅片的位置发生偏移。附图说明图1是本技术一种实施例中的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台承载有硅片的主视图；图2是本技术一种实施例中的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台承载有硅片时吸头相对载片台滑动的状态示意图；图3是本技术一种实施例中的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台的俯视图。附图标记说明：10-载片台；20-吸头；30-限位件；40-槽孔；50-硅片。具体实施方式如
技术介绍
所述，VPD设备在制作样品时，将硅片从Pad-fume装置转移到Pad-scan装置的过程中易发生硅片无法正常取出的问题，特别是采用机械手转移硅片时。此外，Pad-scan装置将硅片表面的金属溶解到VPD溶液中时，硅片容易从Pad-scan装置中掉落。申请人研究发现，出现上述问题是由于硅片在Pad-fume装置中的位置发生了偏移。用于测量硅片表面的金属量的样品在蚀刻台中进行预处理时，硅片仅通过可升降的吸头支撑和固定，吸头在升降的过程中带动硅片移动，然而硅片在移动过程中易相对吸头滑动，具体来说，硅片易在吸头吸附硅片的平面内滑动，从而导致硅片的位置发生偏移。根据上述分析可知，一方面，硅片在Pad-fume装置中形成的位置偏移容易影响机械手抓取硅片；另一方面，硅片在Pad-fume装置中形成的位置偏移会导致硅片在Pad-scan装置中的位置也发生偏移。若硅片在Pad-scan装置中的位置发生偏移，在硅片自动调整中心的过程中，硅片容易掉落。通常，VPD设备出现上述故障后，需要手动调整硅片的位置，然而，在这一过程中，硅片容易受到污染，从而导致制作的样品受到污染，最终影响硅片表面的金属量的测量准确性。基于此，本申请提出了一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，该蚀刻台包括：一载片台、至少一个吸头以及至少一个限位件，所述吸头设置在所述载片台上，每个所述吸头用于支撑并吸附硅片，多个所述吸头具有一吸附面，所述吸附面为所述硅片与所述吸头相接触的面；所述限位件固定在所述载片台上，所述限位件用于限制所述硅片在所述吸附面内滑动。通过固定设置在载片台上的限位件限制硅片相对于吸头在吸附面的位置，可有效避免硅片的位置发生偏移，进而提高硅片表面的金属量的测量准确性。以下结合附图和具体实施例对本技术提出的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。图1是本技术一种实施例中的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台承载有硅片的主视图，图2是本技术一种实施例中的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台的吸头相对载片台滑动的状态示意图。参考图1和图2，一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，包括载片台10、至少一个吸头20和至少一个限位件30。所述吸头20设置在所述载片台10上，每个所述吸头20用于支撑并吸附硅片50，多个所述吸头20具有一吸附面，所述吸附面为所述硅片50与所述吸头20相接触的面。所述限位件30固定在所述载片台10上，所述限位件30用于限制所述硅片50在所述吸附面内滑动。通过固定设置在载片台10上的限位件30限制硅片50相对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，其特征在于，包括：一载片台；至少一个吸头，所述吸头设置在所述载片台上，所述吸头用于支撑并吸附硅片，所述吸头共有一吸附面，所述吸附面为所述硅片与所述吸头相接触的面；以及至少一个限位件，所述限位件固定在所述载片台上，所述限位件用于限制所述硅片在所述吸附面内滑动。

【技术特征摘要】
1.一种制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，其特征在于，包括：一载片台；至少一个吸头，所述吸头设置在所述载片台上，所述吸头用于支撑并吸附硅片，所述吸头共有一吸附面，所述吸附面为所述硅片与所述吸头相接触的面；以及至少一个限位件，所述限位件固定在所述载片台上，所述限位件用于限制所述硅片在所述吸附面内滑动。2.如权利要求1所述的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，其特征在于，所述吸头与所述载片台滑动连接，且所述吸头相对所述载片台滑动的方向垂直于所述吸附面。3.如权利要求1所述的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，其特征在于，所述吸头的数量为三个。4.如权利要求1所述的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，其特征在于，所述载片台面向所述硅片的一面开设有至少一个槽孔，所述槽孔用于吸附所述硅片。5.如权利要求4所述的制作用于测量硅片表面的金属量的样品的蚀刻台，其特征在于，所述槽孔内的气压低于大气...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵向阳，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31