The organic light emitting device includes: electrodes and light-emitting units, including respective light-emitting layers, and charge generation layer. The charge generation layer includes N type charge generation layer and P type charge generation layer, and is placed between each pair of adjacent light-emitting units. The maximum intensity of a light emitting unit the light emitted by the light emitting unit in the wavelength can be different from the maximum intensity of another light emitting unit the light emitted by the light-emitting unit in the wavelength of N, the charge generation layer metal containing materials having the work function of about 2.0eV to about 4.5eV, and the P charge the layer can be formed from the hole transport materials, the absolute value of the HOMO level of hole transporting materials is greater than about 5.5eV, and the LUMO level of hole transport material, the absolute value of the absolute value of LUMO level is less than the hole transport layer to produce light unit layer adjacent to the P type of charge.
【技术实现步骤摘要】
有机发光装置相关申请的交叉引用于2016年7月13日向韩国知识产权局提交的标题为“有机发光装置”的韩国专利申请第10-2016-0088853号通过引用整体并入本文。
本专利技术的实施方式涉及有机发光装置。
技术介绍
有机发光装置为可用于产生全色图像的自发光装置,并且可提供具有宽的视角、高的对比度和短的响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性的显示器。作为实例,这样的有机发光装置可包括设置在基板上的第一电极,以及顺序设置在第一电极上的空穴传输区、发光层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可穿过空穴传输区向发光层移动,且由第二电极提供的电子可穿过电子传输区向发光层移动。载流子(诸如空穴和电子)可在发光层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态,从而产生光。
技术实现思路
本专利技术的实施方式涉及有机发光装置,其包括第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及置于所述第一电极和所述第二电极之间的堆叠的多个发光单元(每个发光单元包括发光层);以及电荷产生层,所述电荷产生层包括n型电荷产生层和p型电荷产生层,并置于每对邻近的发光单元之间。由发光单元中的一个发光单元发出的光的最大强度的波长可不同于由发光单元中的另一个发光单元发出的光的最大强度的波长,至少一个n型电荷产生层由具有功函为约2.0eV至约4.5eV的含金属材料组成,所述含金属材料为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合,且至少一个p型电荷产生层可包括空穴传输材料,邻近于包括所述空穴传输材料的所述p型电荷产生层的至少一个发光单元包括空穴传输区,所述空穴传输区包括空穴传输层,所述空 ...
【技术保护点】
一种有机发光装置,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;和置于所述第一电极和所述第二电极之间的堆叠的多个发光单元,每个发光单元包括发光层;以及电荷产生层,所述电荷产生层包括n型电荷产生层和p型电荷产生层,所述电荷产生层置于每对邻近的发光单元之间,其中:由所述发光单元中的一个发光单元发出的光的最大强度的波长不同于由所述发光单元中的另一个发光单元发出的光的最大强度的波长,至少一个n型电荷产生层由具有功函为2.0eV至4.5eV的含金属材料组成,所述含金属材料为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合,且至少一个p型电荷产生层包括空穴传输材料,邻近于包括所述空穴传输材料的所述p型电荷产生层的至少一个发光单元包括空穴传输区,所述空穴传输区包括空穴传输层,所述空穴传输材料的最高占有分子轨道能级的绝对值大于5.5eV,并且所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道能级的绝对值小于邻近于所述p型电荷产生层的发光单元的空穴传输层的最低未占有分子轨道能级的绝对值。
【技术特征摘要】
2016.07.13 KR 10-2016-00888531.一种有机发光装置,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;和置于所述第一电极和所述第二电极之间的堆叠的多个发光单元,每个发光单元包括发光层;以及电荷产生层,所述电荷产生层包括n型电荷产生层和p型电荷产生层,所述电荷产生层置于每对邻近的发光单元之间,其中:由所述发光单元中的一个发光单元发出的光的最大强度的波长不同于由所述发光单元中的另一个发光单元发出的光的最大强度的波长,至少一个n型电荷产生层由具有功函为2.0eV至4.5eV的含金属材料组成,所述含金属材料为金属、金属氧化物、金属卤化物、金属硅化物或其组合,且至少一个p型电荷产生层包括空穴传输材料,邻近于包括所述空穴传输材料的所述p型电荷产生层的至少一个发光单元包括空穴传输区,所述空穴传输区包括空穴传输层,所述空穴传输材料的最高占有分子轨道能级的绝对值大于5.5eV,并且所述空穴传输材料的最低未占有分子轨道能级的绝对值小于邻近于所述p型电荷产生层的发光单元的空穴传输层的最低未占有分子轨道能级的绝对值。2.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述含金属材料具有2.5eV至4.0eV的功函。3.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述含金属材料包括选自以下的至少一种:镱、银、铝、钐、镁、锂、RbI、钛、铷、钠、钾、钡、锰和YbSi2。4.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的所述绝对值大于所述空穴传输层的最高占有分子轨道能级的绝对值。5.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的所述绝对值为大于5.5eV至7.0eV。6.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述空穴传输材料选自不含有氰基的化合物,所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的所述绝对值为大于5.5eV至7.0eV。7.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述空穴传输材料选自含氨化合物和含咔唑化合物,所述空穴传输材料的所述最高占有分子轨道能级的绝对值为大于5.5eV至7.0eV。8.如权利要求1所述的有机发光装置,其中所述空穴传输材料选自由式201、式202和式301-2表示的化合物:<式201><式202><式301-2>其中,在式201、式202和式301-2中,A301至A304各自独立地选自苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基,X301为O、S或N-[(L304)xb4-R304],L201至L204以及L301至L304各自独立地选自取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团,L205选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价的非芳族稠合多环基团和取代或未取代的二价的非芳族稠合杂多环基团,xa1至xa4各自独立地为0至3的整数,xa5为1至10的整数,xb1至xb4各自独立地为0至5的整数,xb22和xb23各自独立地为0、1或2,R201至R204以及Q201各自独立地选自取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团或取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团,R301至R304各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价的非芳族稠合多环基团、取代或未取代的单价的非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(...
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