OLED面板的制作方法及OLED面板技术
The making method of the OLED panel and the OLED panel
The invention provides a method for making the OLED panel and a OLED panel. Production method of OLED panel of the invention, and the source of TFT is connected to the TFT substrate, and the anode is connected with the auxiliary electrode and the electrode lap, lap electrode making multiple surface with metal convex angle, which are formed in the subsequent process in the whole face of an electron transport layer, electron injection layer, and cathode, electron transport layer, electron injection layer and the metal convex angle corresponding to the position of having a relatively thin film thickness, and then by applying voltage to the auxiliary electrode or lap electrode, a metal convex corner for impedance and the electron transport layer, electron injection layer and the metal convex corners corresponding the location of burn, so that the cathode and the auxiliary electrode connected to the OLED panel can through the auxiliary input signal to the cathode electrode in the display, effectively improve the OLED panel led by IR of the cathode voltage drop Show the problem of uneven.
【技术实现步骤摘要】
OLED面板的制作方法及OLED面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED面板的制作方法及OLED面板。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材...
【技术保护点】
一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供TFT基板(100)；所述TFT基板(100)包括：衬底基板(110)、及设于所述衬底基板(110)上且间隔的TFT(120)及辅助电极(130)；所述TFT(120)具有源极(121)；步骤S2、在所述TFT基板(100)上形成平坦层(200)，对所述平坦层(200)进行图案化，形成分别暴露所述源极(121)、及辅助电极(130)的第一过孔(210)、及第二过孔(220)；步骤S3、在所述平坦层(200)上形成间隔的阳极(310)、及搭接电极(320)；所述阳极(310)经第一过孔(210)与源极(121...
【技术特征摘要】
1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供TFT基板(100)；所述TFT基板(100)包括：衬底基板(110)、及设于所述衬底基板(110)上且间隔的TFT(120)及辅助电极(130)；所述TFT(120)具有源极(121)；步骤S2、在所述TFT基板(100)上形成平坦层(200)，对所述平坦层(200)进行图案化，形成分别暴露所述源极(121)、及辅助电极(130)的第一过孔(210)、及第二过孔(220)；步骤S3、在所述平坦层(200)上形成间隔的阳极(310)、及搭接电极(320)；所述阳极(310)经第一过孔(210)与源极(121)连接，所述搭接电极(320)经第二过孔(220)与所述辅助电极(130)连接；步骤S4、在所述搭接电极(320)上形成多个表面具有尖角的金属凸起(400)；步骤S5、在所述平坦层(200)、阳极(310)、及搭接电极(320)上形成像素界定层(500)，所述像素界定层(500)上设有暴露所述阳极(310)的第一开口(510)，且所述像素界定层(500)暴露所述搭接电极(320)上设有金属凸起(400)的区域；步骤S6、于所述第一开口(510)内的阳极(310)上依次形成空穴注入层(610)、空穴传输层(620)、及发光层(630)；在所述发光层(630)、像素界定层(500)、搭接电极(320)、及金属凸起(400)上依次形成电子传输层(640)、电子注入层(650)、及阴极(700)；步骤S7、向所述辅助电极(130)或搭接电极(320)上施加电压，使所述电子传输层(640)及电子注入层(650)上与所述金属凸起(400)的尖角对应的部分被烧掉而形成多个第二开口(641)，所述阴极(700)通过第二开口(641)与所述金属凸起(400)连接。2.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述TFT(120)包括：设于所述衬底基板(110)上方的有源层(122)、于所述有源层(122)上依次设置的栅极绝缘层(123)及栅极(124)、覆盖所述有源层(122)及栅极(124)的层间绝缘层(125)、及设于层间绝缘层(125)上间隔的源极(121)及漏极(126)；所述辅助电极(130)包括设于所述层间绝缘层(125)上且与所述源极(121)、及漏极(126)均间隔的第一子辅助电极(131)；所述第二过孔(220)暴露出所述第一子辅助电极(131)；所述层间绝缘层(125)上设有分别位于所述有源层(122)两侧上方的第三过孔(1251)及第四过孔(1252)，所述源极(121)及漏极(126)分别通过所述第三过孔(1251)及第四过孔(1252)与所述有源层(122)的两侧连接。3.如权利要求2所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述辅助电极(130)还包括设于所述衬底基板(110)上的第二子辅助电极(132)；所述TFT基板(100)还包括：设于所述衬底基板(110)上且与第二子辅助电极(132)间隔的金属遮光层(140)、及设于所述衬底基板(110)上且覆盖所述金属遮光层(140)及第二子辅助电极(132)的缓冲层(150)；所述有源层(122)设于所述缓冲层(150)上且对应位于金属遮光层(140)上方，所述层间绝缘层(125)设于所述缓冲层(150)上且覆盖所述有源层(122)及栅极(124)；所述缓冲层(150)及层间绝缘层(125)上设有暴露所述第二子辅助电极(132)的第五过孔(151)，所述第一子辅助电极(131)经所述第五过孔(151)与所述第二子辅助电极(132)连接。4.如权利要求2所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板(100)还包括：覆盖所述层间绝缘层(125)、源极(121)、漏极(126)、及第一子辅助电极(131)的钝化层(160)；所述平坦层(200)形成于所述钝化层(160)上；所述钝化层(160)上设有分别暴露出所述源极(121)及第一子辅助电极(131)的第六过孔(161)及第七过孔(162)；所述第一过孔(210)及第二过孔(220)分别位于所述第六过孔(161)及第七过孔(162)上方。5.如权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述金属凸起(400...
【专利技术属性】
技术研发人员：张良芬，张晓星，任章淳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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