一种近红外到可见光上转换器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种近红外到可见光上转换器，是基于有机发光场效应晶体管结构，在空穴产生层和空穴注入层之间引入近红外光敏层，从而实现近红外到可见光上转换的新功能。该近红外到可见光上转换器在实现信号增益的同时不增大噪声，相比(O)PD得到更高的光电转换效率。该近红外到可见光上转换器兼具了有机场效应晶体管的电开关功能与OLED的电致发光功能，既能够实现高的光电转换增益，又能省去制备额外的OLED单元，从而能够极大简化器件制备工艺流程，降低工业生产成本。并且，有机器件在柔性、大面积和可穿戴便携设备制备方面具有无机材料无可比拟的优势。进一步的，采用热蒸发工艺制备，工艺简单，成本较低，便于大规模生产。

A near infrared to visible light converter and its preparation method

The invention discloses a near-infrared to visible light converter, which is based on the organic light-emitting field effect transistor structure, and introduces the near-infrared photosensitive layer between the hole generation layer and the hole injection layer, so as to achieve the new function of the conversion from near infrared to visible light. The near-infrared to visible converter does not increase the noise while realizing the signal gain. Compared to (O) PD, the photoelectric conversion efficiency is higher. The near infrared to visible light converter has electric switch function and OLED field effect transistor electroluminescent function, can achieve high photoelectric conversion gain, and can omit the preparation of OLED unit extra, which can greatly simplify the fabrication process, reduce the cost of industrial production. Moreover, there is an unparalleled advantage of inorganic materials in the preparation of flexible, large area and wearable portable equipment. Further, it is prepared by heat evaporation process. The process is simple and the cost is low, so it is convenient for large-scale production.

【技术实现步骤摘要】
一种近红外到可见光上转换器及其制备方法
本专利技术涉及近红外到可见光上转换成像
，更具体地说，涉及一种近红外到可见光上转换器及其制备方法。
技术介绍
目前，将OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)与(O)PD((Organic)Photodiode，有机或无机光电二极管)相串联构建红外-可见上转换器是比较常见方式。但是，红外-可见上转换器无法实现OLED与(O)PD内电场的独立调控，往往面临二者性能的折中；另外，(O)OD存在光电转换效率100％的上限，没有信号增益机制。因此，二者结合得不到高效的红外-可见上转换器。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种近红外到可见光上转换器及其制备方法，欲实现提高近红外到可见光上转换效率的目的。为了实现上述目的，现提出的方案如下：一种近红外到可见光上转换器，包括：依次相连的玻璃片、栅电极、绝缘层、空穴传输层、空穴产生层、诱导层、近红外光敏层、空穴注入层、可见光发光层、电子传输层、电极修饰层、源漏电极。优选的，所述近红外光敏层，由弱外延生长工艺制备。优选的，所述近红外光敏层的材料为：钛菁类材料。优选的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近红外到可见光上转换器，其特征在于，包括：依次相连的玻璃片、栅电极、绝缘层、空穴传输层、空穴产生层、诱导层、近红外光敏层、空穴注入层、可见光发光层、电子传输层、电极修饰层、源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种近红外到可见光上转换器，其特征在于，包括：依次相连的玻璃片、栅电极、绝缘层、空穴传输层、空穴产生层、诱导层、近红外光敏层、空穴注入层、可见光发光层、电子传输层、电极修饰层、源漏电极。2.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述近红外光敏层，由弱外延生长工艺制备。3.根据权利要求2所述的上转换器，其特征在于，所述近红外光敏层的材料为：钛菁类材料。4.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述空穴传输层的材料为：空穴迁移率大于0.5cm2/V·s的材料。5.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述空穴产生层的材料为：功函数在5eV以上的材料。6.根据权利要求1所述的上转换器，其特征在于，所述电子传输层的材料为：电子迁移率大于1×10-3cm2/V·s的材料。7.一种如权利要求1～6任意一项所述近红外到可见光上转换器的制备方法，其特征在于，包括：选用带有所述栅电极的所述玻璃片作为衬底；通过溶液旋涂法在所述衬底上制备所述绝缘层；采用热蒸发工艺在所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡永生，李东伟，刘星元，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22