一种增光膜晶体硅太阳能电池板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种增光膜晶体硅太阳能电池板，属于晶体硅太阳能电池技术领域，包括晶体硅电池基体(1)，晶体硅电池基体(1)上设有减反射膜堆(2)，减反射膜堆(2)上设有增光膜(3)，解决了现行的晶体硅太阳能电池片在多个波段附近增光效果差的技术问题，本实用新型专利技术能达到更好的减反射效果，降低了晶硅太阳能电池短波部分的反射率，提高太阳能电池的短路电流。

A crystal silicon solar panel with a brightening film

The utility model discloses a film crystal silicon solar panels, which belongs to the technical field of crystal silicon solar cell, including crystal silicon substrate (1), crystal silicon solar cell substrate (1) is arranged on the antireflection film stack (2), antireflection film (2) is provided with a pile of film (3). To solve the current crystal silicon solar battery technology problem in multi band near the polishing effect is poor, the utility model can achieve better anti reflection effect, reduce the reflectivity of amorphous silicon solar cell HF part, improve the short circuit current of solar cells.

【技术实现步骤摘要】
一种增光膜晶体硅太阳能电池板
本技术属于晶体硅太阳能电池

技术介绍
现行晶体硅太阳能电池片上面减反射膜为SiNx,采用PECVD镀膜的技术,PECVD镀膜技术有镀膜成本高,折射调整不容易等问题。现行SiNx的折射率在2.0～2.2之间,厚度在60～100nm。但是目前晶体硅太阳能电池组件的封装材料折射率在1.46～1.52之间，使用单层或渐变的SiNx折射率在2.0～2.2之间只能对小范围的波长起到良好的减反射效果。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种增光膜晶体硅太阳能电池板，解决了现行的晶体硅太阳能电池片在多个波段附近增光效果差的技术问题。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种增光膜晶体硅太阳能电池板，包括晶体硅电池基体，晶体硅电池基体上设有减反射膜堆，减反射膜堆上设有增光膜。所述减反射膜堆的材料为SiNx或SiOx，所述减反射膜堆的厚度为70～120nm，所述减反射膜堆的折射率为1.8～2.3。所述增光膜的材料为AlOx或SiOx。所述增光膜的折射率为1.2～1.4，厚度为20～80nm。所述增光膜的折射率为1.6～1.8，厚度为60～140nm。晶体硅电池基体上设有细本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：包括晶体硅电池基体(1)，晶体硅电池基体(1)上设有减反射膜堆(2)，减反射膜堆(2)上设有增光膜(3)；所述减反射膜堆(2)的材料为SiNx或SiOx，所述减反射膜堆(2)的厚度为70～120nm，所述减反射膜堆(2)的折射率为1.8～2.3。

【技术特征摘要】
1.一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：包括晶体硅电池基体(1)，晶体硅电池基体(1)上设有减反射膜堆(2)，减反射膜堆(2)上设有增光膜(3)；所述减反射膜堆(2)的材料为SiNx或SiOx，所述减反射膜堆(2)的厚度为70～120nm，所述减反射膜堆(2)的折射率为1.8～2.3。2.如权利要求1所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：所述增光膜(3)的材料为AlOx或SiOx。3.如权利要求2所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏维燕，林金锡，王国祥，林金汉，林俊良，
申请(专利权)人：常州亚玛顿股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32