太阳能电池减反射膜制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池减反射膜，包括：扩散后的晶体硅片，所述扩散后的晶体硅表面的受光面上形成有PECVD一次沉积的折射率渐变的SiNx减反射膜。本实用新型专利技术的技术方案的具有该膜层结构的太阳能电池减反射膜，有利于提高电池的转换效率和开路电压。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池减反射膜
本技术涉及太阳能电池生产工艺
，尤其涉及一种太阳能电池减反射膜。
技术介绍
太阳能电池大规模生产中，常采用在硅片表面沉积减反射膜的方式增加光的利用率，提升电池转换效率。常见的薄膜主要有氮化硅SiNx，其膜层一般是1-5层。氮化硅SiNx薄膜多采用等离子体增强化学的气相沉积(PECVD，PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)沉积的方式进行制备，具有减反射性能和体钝化效果好的特点，但不同膜层的氮化硅膜之间以及与硅基体结合界面态高则限制了电池转化效率的提升。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种对硅片损伤小，制造工艺简单的太阳能电池减反射膜。为解决上述问题，本技术提供一种太阳能电池减反射膜，包括：扩散后的晶体硅片，所述扩散后的晶体硅表面的受光面上形成有PECVD一次沉积的折射率渐变的SiNx减反射膜。可选的，所述SiNx减反射膜折射率的渐变为线性渐变。可选的，所述SiNx减反射膜折射率的变化范围为[1.8，2.5]。可选的，所述折射率渐变的SiNx减反射膜层的折射率依次递减。可选的，折射率渐变的SiNx减反射膜的厚度在65nm-10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池减反射膜，其特征在于，包括：扩散后的晶体硅片，所述扩散后的晶体硅表面的受光面上形成有PECVD一次沉积的折射率渐变的SiNx减反射膜。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池减反射膜，其特征在于，包括：扩散后的晶体硅片，所述扩散后的晶体硅表面的受光面上形成有PECVD一次沉积的折射率渐变的SiNx减反射膜。2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于，所述SiNx减反射膜折射率的渐变为线性渐变。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池减反射膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李跃恒，孟庆平，杨爱静，宋志成，王涛，申海超，王永冈，李绪存，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61