一种钝化接触太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种钝化接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为隧穿氧化层、本征多晶硅层、局部掺杂的n+多晶硅区域、钝化减反膜和n+金属电极，所述n+金属电极设置在所述局部掺杂的n+多晶硅区域上；所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为p+掺杂区域、钝化膜和p+金属电极，所述p+金属电极设置在所述p+掺杂区域上。其有益效果是：N型晶体硅基体前表面采用局部的n+掺杂多晶硅钝化层，相对于整面n+多晶硅层覆盖的背结电池，不仅可以减少多晶硅层对入射光的无效吸收，提升电池的短路电流，并且可以实现前表面的钝化接触，大大降低了电池前表面的复合速率，提升开路电压和短路电流。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种钝化接触太阳能电池
技术介绍
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构暂时缓解了背面钝化的问题，但并未根除背面钝化的问题，开孔处的高复合速率依然存在，而且使工艺进一步复杂。PERC以及PERL结构的电池虽然已经拥有相对完善的表面钝化结构，不过将背面的接触范围限制在开孔区域，除了增加了工艺的复杂度外，开孔的过程采用不同的工艺还会对周围的硅材料造成不同程度的损伤，这也额外地增加了金属接触区域的复合。由于开孔限制了载流子的传输路径，使之偏离垂直于接触面的最短路径并拥堵在开口处，增大了填充因子的损失。近几年来，一种既能实现整面钝化，且无需开孔接触的技术成为机构研究的热点，这就是钝化接触(PassivatedContact)技术。N型背结电池，是在N型衬底硅片下，前表面形成n+掺杂区域，背表面形成p+发射极，前接触电池的受光面(前表面)存在一个n+/n结(前表面场)。但是,它本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钝化接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：所述N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为隧穿氧化层、本征多晶硅层、局部掺杂的n+多晶硅区域、钝化减反膜和n+金属电极，所述n+金属电极设置在所述局部掺杂的n+多晶硅区域上；所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为p+掺杂区域、钝化膜和p+金属电极，所述p+金属电极设置在所述p+掺杂区域上。

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触太阳能电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：所述N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为隧穿氧化层、本征多晶硅层、局部掺杂的n+多晶硅区域、钝化减反膜和n+金属电极，所述n+金属电极设置在所述局部掺杂的n+多晶硅区域上；所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为p+掺杂区域、钝化膜和p+金属电极，所述p+金属电极设置在所述p+掺杂区域上。2.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述隧穿氧化层为SiO2，其厚度为1-3nm。3.根据权利要求1所述的一种钝化接触太阳能电池，其特征在于：所述前表面的钝化减反膜为SiNx介质膜，其厚度为60-80nm；所述背表面的钝化膜为SiO2、SiNx或Al2O3介质膜中一种或多种。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建伟，何大娟，刘志锋，季根华，刘勇，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32