一种实现N+单面扩散的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种实现N

A structure to realize single side diffusion of N+

The utility model discloses one kind of implementation of N

【技术实现步骤摘要】
一种实现N+单面扩散的结构
本技术涉及一种实现N+单面扩散的结构。
技术介绍
现有技术中，N+单面扩散方法：N型硅单晶片；磷预扩散扩入N+杂质；磷再扩散将N+杂质推深；通过磨片或腐蚀去除单面无效N+层；获得带N+扩散层的N形硅片（1片）。通过磨片或腐蚀去除无效的N+层，只利用到硅单晶片一面的N+层，硅片利用率低下。因此，需要提供一种新的技术方案来解决上述问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种实现N+单面扩散的结构。为解决上述技术问题，本技术的一种实现N+单面扩散的结构，它包扩两片直径相同的硅单晶片和SIO2乳胶，所述硅单晶片的一侧设有N+扩散层，所述硅单晶片的另一侧设有N-保留原始单晶层，两片相同直径的硅单晶片通过SIO2乳胶粘接。一种实现N+单面扩散的方法，包括以下步骤：两片相同直径的硅单晶片通过SIO2乳胶粘接，用于粘接的SIO2乳胶均匀的涂抹于硅单晶片边沿3-6mm圆环区域内，将已粘接完成的各硅单晶片平放叠加装石英舟；将石英舟进行氧化处理加固使两片直径相同的硅单晶片的其中一面紧密粘接在一起，再将硅单晶片装片，进行磷预扩扩散，通过磷预扩在N型硅单晶片的正、背面扩散入一层N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现N

【技术特征摘要】
1.一种实现N+单面扩散的结构，其特征在于：它包扩两片直径相同的硅单晶片（1）和SIO2乳胶（2），所述硅单晶片（1）的一侧设有...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘建英，沈怡东，王成森，沈广宇，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32