一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括渐变扩散步骤：在元素掺杂过程中，在硅表面的掺杂元素随时间具有梯度变化的浓度。本发明专利技术通过将扩散的掺杂金属的量调整为梯度，在初期采用较小的浓度进行高温扩散，能够让近表区氧沉淀充分溶解，过多的氧沉淀不利于退火步吸除杂质，增加太阳能电池板的开压；而随着工艺过程，在后期采用较大的掺杂浓度进行高温扩散，能够迅速弥补表区的P掺杂，增加掺杂金属的有效填充。本发明专利技术提供的扩散方法，能够减少死层，溅射形成的填隙原子、位错和缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片
本专利技术属于太阳能电池片制备领域，涉及一种太阳能电池片的扩散方法及得到的太阳能电池片。
技术介绍
在P型衬底上扩散N型杂质形成P-N结，以达到合适的掺杂浓度和方块电阻。太阳能电池中，P-N结制作过程中的扩散工艺对电池的性能具有至关重要的影响，包括扩散死层的减少、接触电阻损失的降低，开路电压的提高，短路电流和填充因子的增加，都为最终获得高光电转换效率的电池发挥至关重要的作用。现有的扩散工艺包括两步扩散法：第一步是采用恒定表面源扩散，将掺杂元素掺杂在衬底的一层较薄的表面上；第二步是进行主扩散或再分布，将掺杂元素在衬底的深层进行扩散。但是现有的扩散工艺过程中，在主扩散过程中过高的表面杂质浓度会造成“死层”，死层”中存在着大量的填隙原子、位错和缺陷，少子寿命很低，光在“死层”中发出的光生载流子都无谓地复合掉，导致效率下降。本领域一般通过在保持掺杂浓度一定的前提下，降低结深，提高方阻。但是这种方法具有增加复合，降低效率的缺陷。本领域需要开发一种新型的扩散工艺，其能够有效的提高P-N结区域的有效掺杂，提高光电转化效率。专利技术内容本专利技术的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池片的扩散方法，其特征在于，所述扩散方法包括渐变扩散步骤：在元素掺杂过程中，在硅表面的掺杂元素随时间具有梯度变化的浓度。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片的扩散方法，其特征在于，所述扩散方法包括渐变扩散步骤：在元素掺杂过程中，在硅表面的掺杂元素随时间具有梯度变化的浓度。2.如权利要求1所述的扩散方法，其特征在于，所述扩散方法包括如下步骤：(1)一次扩散：保护性气氛下，升温硅基底至一次扩散温度，通入氧气和携带掺杂元素的氮气，进行一次扩散；(2)二次扩散：保护性气氛下，升温硅基底至二次扩散温度，通入氧气和携带掺杂元素的氮气；二次扩散过程中，所述携带掺杂元素的氮气的流量随时间梯度变化；(3)保护性气氛下，低温退火。3.如权利要求2所述的扩散方法，其特征在于，所述二次扩散过程中，所述梯度变化优选梯度升高；优选地，所述携带掺杂元素的氮气流的流量随时间梯度变化的步幅为40～60sccm/50s，优选50sccm/50s；优选地，所述携带掺杂元素的氮气流的流量范围为40～3000sccm；优选地，所述携带掺杂元素的氮气和氧气的流量比为0.05～3.75:1。4.如权利要求2或3所述的扩散方法，其特征在于，所述二次扩散的温度为820～840℃；优选地，从一次扩散温度升温至二次扩散温度的时间为300～600s；优选地，所述二次扩散的压力为50～200mba；优选地，所述二次扩散过程中，氧气流流量为500～1500sccm，优选800sccm。5.如权利要求2～4之一所述的扩散方法，其特征在于，所述一次扩散的温度为760～790℃；优选地，所述一次扩散的时间为600～900s；优选地，所述一次扩散的压力为50～200mba；优选地，所述一次扩散的氧气流量为1000～2000sccm；优选地，所述一次扩散的携带掺杂元素的氮气流量为1000～2000sccm。6.如权利要求2～5之一所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘龙杰，党继东，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32