当前位置: 首页 > 专利查询>重庆大学专利>正文

一种用于细胞电融合的微电极阵列芯片制造技术

技术编号:1710510 阅读:189 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提出一种用于细胞电融合的微电极阵列芯片,由微电极阵列模块和融合池及平板电极模块组成。微电极阵列模块由硬质绝缘基底层与电极阵列层构成,电极阵列层通过金属引线引入电信号;融合池及平板电极模块由基座和在基座上的融合池构成,融合池底部同时作为平板电极使用;微电极阵列模块上的电极阵列层的尺寸小于融合池及平板电极模块上的融合池的尺寸,微电极阵列模块覆盖于融合池及平板电极模块上,电极阵列层浸入融合池的样品液中,当施加外界电刺激信号,即在微电极阵列与融合池中的平板电极电极微小间距间形成高强度的非均匀梯度电场,实现细胞电融合过程。该芯片可提高细胞融合效率和芯片的耐腐蚀性,改善微电极阵列芯片的生物相容性,保证融合细胞的安全性和细胞活力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及细胞电融合的芯片结构。具体涉及细胞电融合实验细胞排队、细胞电穿孔、 细胞电融合的电场梯度和电场强度的产生,细胞电融合实验进样、出样。
技术介绍
生物细胞通过融合可以形成新的细胞,在现代生物医学工程基础领域有着重要的意义。 细胞融合有化学融合方法(如PEG)、物理融合方法,其中物理融合方法中,电场融合方 法因其便于精确控制、重复性好、融合率高等优点而得到了广泛的应用。生物细胞处于非均匀电场中时,被电场激化形成偶极子,该偶极子在非均匀电场作用 力下发生运动,即介电电泳(dielectrophoresis),利用电介质电泳可以控制细胞的运动,在 细胞电融合过程中,利用电介质电泳现象使细胞排列成串,压紧相互接触的细胞,完成细 胞电融合过程所需的排队和融合后压紧。细胞在强电场作用下,会导致细胞膜穿孔,这种效应称为细胞膜电致穿孔效应 ,(electroporation)。在细胞电融合过程中利用电致穿孔效应,使两接触的细胞膜穿孔,细 胞间进行膜内物质交换,使细胞质、膜融合,在一定强度的电场作用下的电穿孔是一种可 逆穿孔,细胞膜会在减小或撤销电场强度时回复原状,致使细胞电融合过程的膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于细胞电融合的微电极阵列芯片,其特征在于:该芯片由微电极阵列模块和融合池及平板电极模块组成;所述微电极阵列模块由硬质绝缘基底层与键合或用粘和剂固定在基底层上的电极阵列层构成,电极阵列层通过金属引线与外部信号发生电路连接,引入电信号;所述融合池及平板电极模块由硬质导电类材料加工的基座和在基座上加工出的融合池构成,融合池底部同时作为平板电极使用,在基座上加工有进、出样孔,分别与融合池底部同方位上的进、出样孔相连;所述微电极阵列模块上的电极阵列层的尺寸小于融合池的尺寸,微电极阵列模块覆盖于融合池及平板电极模块上,电极阵列层浸入融合池的细胞融合样品液中,当施加外界电刺激信号,即在电极阵列层的微电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨军胡宁郑小林侯文生阴正勤霍丹群侯长军曹毅杨静许蓉夏斌张瑞强
申请(专利权)人:重庆大学
类型:发明
国别省市:85[中国|重庆]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利