一种新型微带交叉耦合三工器制造技术

本发明专利技术公开了一种新型微带交叉耦合三工器，包括匹配枝节电路M、第一微带交叉耦合滤波器F1、第二微带交叉耦合滤波器F2和第三微带交叉耦合滤波器F3，所述三工器由分布参数元件形成电抗网络，采用多层低温共烧陶瓷工艺实现。本发明专利技术可以将一路宽带射频信号从三个不同的通道输送出去，实现了三个频率信号的良好隔离，具有重量轻、尺寸小、易调试、可靠性高、电性能批量一致性好、可大批量生产等优点，广泛应用于相应微波频段的军事、卫星通信等系统中。

A new microstrip cross coupling three device

The invention discloses a novel cross coupled microstrip three multiplexer, including matching stub circuit M, the first cross coupled microstrip filter F1, second F2 and third cross coupled microstrip filter cross coupled microstrip F3 filter, the three multiplexer network by forming reactance element with distributed parameters, using multilayer LTCC technology to achieve. The invention can be a broadband RF signal from three different channel transmission out, to achieve a good separation of three frequency signals, has the advantages of light weight, small size, easy debugging, high reliability and electrical performance of batch consistency, mass production, military and satellite communication systems are widely used in the the microwave frequency in.

【技术实现步骤摘要】
一种新型微带交叉耦合三工器
本专利技术属于微波射频领域，具体涉及一种无源三工器，特别是一种新型微带交叉耦合三工器，可广泛应用于军事、卫星通信等系统中。
技术介绍
在移动通信、卫星通信等电子系统飞速发展的时代，微型化成为一项衡量微波射频器件性能优劣的重要指标，高性能、低成本、易于批量生产也逐渐成为微波元器件主要的发展方向。多工器作为一种可以将信号从不同的通道对外发射的器件具有重要的研究意义，有利于对工作频带的整合及多路复用技术，因此人们对微波多工器提出了更高的要求。描述这种部件性能的主要指标有：通带工作频率范围、通带插入损耗、阻带频率范围、阻带衰减、端口隔离度、通带输入/输出电压驻波比、插入相移和温度稳定性、尺寸、重量、可靠性等。低温共烧陶瓷技术是一种电子封装整合技术，采用多层陶瓷工艺实现元件构造，既可以将无源元件固定于介质基板内部，也可以将有源元件封装于基板表面以制成无源/有源集成的功能模块。基于LTCC技术的微波元件具有高品质因数、高集成度、高稳定性等优点，且对元件的微型化具有重要意义，已广泛用于微型化电子设备，诸如手机、平板电脑等。利用该技术可实现高性能、高品质、可批量生产、高稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型微带交叉耦合三工器，其特征在于：包括匹配枝节电路M、第一微带交叉耦合滤波器F1、第二微带交叉耦合滤波器F2和第三微带交叉耦合滤波器F3；匹配枝节电路M包括输入端口Pl、输入连接线Lin、第一匹配线Ll、第二匹配线L2、第三匹配线L3和接地板，第一匹配线L1、第二匹配线L2、第三匹配线L3通过输入连接线Lin连接到一起，且输入连接线Lin与输入端口P1相接，第一微带交叉耦合滤波器F1和第二微带交叉耦合滤波器F2分别设于匹配枝节电路M的左右两侧，第三微带交叉耦合滤波器F3设于匹配枝节电路M的后侧；第一微带交叉耦合滤波器F1包括第一输入连接线Lin1、第一输出连接线Lout1、第一阻抗谐振单...

【技术特征摘要】
1.一种新型微带交叉耦合三工器，其特征在于：包括匹配枝节电路M、第一微带交叉耦合滤波器F1、第二微带交叉耦合滤波器F2和第三微带交叉耦合滤波器F3；匹配枝节电路M包括输入端口Pl、输入连接线Lin、第一匹配线Ll、第二匹配线L2、第三匹配线L3和接地板，第一匹配线L1、第二匹配线L2、第三匹配线L3通过输入连接线Lin连接到一起，且输入连接线Lin与输入端口P1相接，第一微带交叉耦合滤波器F1和第二微带交叉耦合滤波器F2分别设于匹配枝节电路M的左右两侧，第三微带交叉耦合滤波器F3设于匹配枝节电路M的后侧；第一微带交叉耦合滤波器F1包括第一输入连接线Lin1、第一输出连接线Lout1、第一阻抗谐振单元D1、第二阻抗谐振单元D2、第三阻抗谐振单元D3、第四阻抗谐振单元D4、第一Z形交叉耦合线Z1、第二Z形交叉耦合线Z2、特征阻抗50欧姆的输出端口P2、第一侧印地GND1，所述微带交叉耦合滤波器F1从上至下共5层基板，第一层为接地板，第二层为第一Z形交叉耦合线Z1，第三层为耦合带状线组成的阻抗谐振单元层，第四层为第二Z形交叉耦合线Z2，第五层为接地板；第一Z形交叉耦合线Z1的两端分别位于第一阻抗谐振单元D1和第四阻抗谐振单元D4的上方，第二Z形交叉耦合线Z2的两端分别位于第一阻抗谐振单元D1和第四阻抗谐振单元D4的下方，且Z1与Z2关于Y轴对称；所述的第一微带交叉耦合滤波器F1的第三层阻抗谐振单元层包括D1、D2、D3、D4均是从上至下的三层耦合带状线结构，上下两层带状线位置、大小对称，中间层带状线与之错位耦合，一端的长度超出上下两层，另一端则略小于上下两层，且线宽略小于上下两层带状线；D1由D11、D12、D13组成，D2由D21、D22、D23组成，D3由D31、D32、D33组成，D4由D41、D42、D43组成，耦合带状线D11、D13、D21、D23、D31、D33、D41、D43宽度相等，且一端接地，另一端开路，D11、D13与D41、D43长度相等，D21、D23与D31、D33长度相等，略长于D11等四根耦合线的长度，D12、D22、D32、D42宽度相等，且小于上述线宽，与上述耦合线开路端相对的一端接地，另一端开路，D22、D32、D42等长，且略长于D12；第一阻抗谐振单元D1的第二层D12与第一输入连接线Lin1相连，第四阻抗谐振单元D4的第二层D42与第一输出连接线Lout1相连；第一阻抗谐振单元D1、第二阻抗谐振单元D2、第三阻抗谐振单元D3、第四阻抗谐振单元D4水平方向平行放置，且各相邻单元间距相等；第二微带交叉耦合滤波器F2包括第二输入连接线Lin2、第二输出连接线Lout2、第五阻抗谐振单元D5、第六阻抗谐振单元D6、第七阻抗谐振单元D7、第八阻抗谐振单元D8、第三Z形交叉耦合线Z3、第四Z形交叉耦合线Z4、特征阻抗50欧姆的输出端口P3、第二侧印地GND2，所述微带交叉耦合滤波器F2从上至下共5层基板，第一层为接地板，第二层为第三Z形交叉耦合线Z3，第三层为耦合带状线组成的阻抗谐振单元层，第四层为第四Z形交叉耦合线Z4，第五层为接地板；第三Z形交叉耦合线Z3的两端分别位于第五阻抗谐振单元D5和第八阻抗谐振单元D8的上方，第四Z形交叉耦合线Z4的两端分别位于第五阻抗谐振单元D5和第八阻抗谐振单元D8的下方，且Z3与Z4关于Y轴对称；第二微带交叉耦合滤波器F2的第三层阻抗谐振单元层包括D5、D6、D7、D8均是从上至下的三层耦合带状线结构，上下两层带状线位置、大小对称，中间层带状线与之错位耦合，一端的长度超出上下两层，另一端则略小于上下两层，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：严浩嘉，王鑫，戴永胜，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32