The invention discloses a miniature short stub loaded ultra wideband filter attenuator. The filter comprises a numerical control attenuator attenuation chip and ultra wideband filter, the attenuation of NC chips are mounted on ultra wideband filter, and ultra wideband filter reserved on chip welding interface and the welding position; the ultra wideband filter on the surface with NC attenuation chip, the first strip line and the second strip line, first strip line and the second strip line are connected with NC attenuation chip, micro end short-circuit stub loaded the ultra wideband filter attenuator mount signal input port, the other end mount signal output port, a side mount in a ground terminal, the other side in order to mount the first to the tenth chip NC attenuation voltage control second terminal interface and a ground terminal. The invention has the advantages of small volume, simple structure, high reliability and good batch consistency, and can be applied to satellite communication, military communication and corresponding circuits and communication systems.
【技术实现步骤摘要】
一种微型短路枝节加载超宽带滤波衰减器
本专利技术属于集成芯片滤波器
,特别是一种微型短路枝节加载超宽带滤波衰减器。
技术介绍
近年来,无线通信,卫星军事通信等领域飞速发展,对其通信电子系统提出了更高的要求,微型化、高性能、成本低易于批量加工等优势成为当今电子器件领域研究的重要方向,对微波滤波器的性能、尺寸、稳定性有着越来越高的要求。以低温共烧陶瓷技术为基础的众多种类无源器件,如滤波器、双工器、功分器已应用在许多国防尖端设备中,而集成有源芯片的无源器件也将在以后的电子系统中发挥重要的作用。低温共烧陶瓷技术是一种电子封装技术,采用多层陶瓷技术,能够将无源元件内置于介质基板内部,同时也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。低温共烧陶瓷技术在批量生产、集成封装、高品质、设计灵活以及高频性能方面都有着明显的优势,已成为无源集成的主流技术。其具有高Q值、易于集成有源芯片、散热性好、稳定性高、耐高温、冲震的优点,利用低温共烧陶瓷技术,可以很好的加工出尺寸小、精度高、紧密型好、损耗小的微型微波器件。然而,现有的滤波衰减器往往存在体积大、结构复杂的问题,并 ...
【技术保护点】
一种微型短路枝节加载超宽带滤波衰减器,其特征在于:包括数控衰减芯片WSD和超宽带滤波器F,所述超宽带滤波器F的上表面贴装有数控衰减芯片WSD、第一带状线(Lin)和第二带状线(Lout),第一带状线(Lin)和第二带状线(Lout)均连接数控衰减芯片WSD,所述的微型短路枝节加载超宽带滤波衰减器的一端贴装信号输入端口(P1),另一端贴装信号输出端口(P2),一个侧面贴装第一接地端(GND1),另一个侧面依次贴装数控衰减芯片WSD的第一电压控制端接口(P3)、第二电压控制端接口(P4)、第三电压控制端接口(P5)、第四电压控制端接口(P6)、第五电压控制端接口(P7)、第六电 ...
【技术特征摘要】
1.一种微型短路枝节加载超宽带滤波衰减器,其特征在于:包括数控衰减芯片WSD和超宽带滤波器F,所述超宽带滤波器F的上表面贴装有数控衰减芯片WSD、第一带状线(Lin)和第二带状线(Lout),第一带状线(Lin)和第二带状线(Lout)均连接数控衰减芯片WSD,所述的微型短路枝节加载超宽带滤波衰减器的一端贴装信号输入端口(P1),另一端贴装信号输出端口(P2),一个侧面贴装第一接地端(GND1),另一个侧面依次贴装数控衰减芯片WSD的第一电压控制端接口(P3)、第二电压控制端接口(P4)、第三电压控制端接口(P5)、第四电压控制端接口(P6)、第五电压控制端接口(P7)、第六电压控制端接口(P8)、第七电压控制端接口(P9)、第八电压控制端接口(P10)、第九电压控制端接口(P11)、第十电压控制端接口(P12)、第二接地端(GND2);所述超宽带滤波器F包括金属柱(H1)、第二输入电感(Lin2)、第一耦合线(L1)、第二耦合线(L2)、第三接地耦合线(L3)、第一接地短路枝节(Ld1)、第二接地短路枝节(Ld2)、下缺陷地(SD1)、上缺陷地(SD2);所述第一耦合线(L1)一端与第二输入电感(Lin2)相连,另一端与第二耦合线(L2)一端相连,同时与第三接地耦合线(L3)一端相连,第三接地耦合线(L3)的另一端接地;所述第一接地短路枝节(Ld1)一端与第一耦合线(L1)一端相连,另一端接地;第二接地短路枝节(Ld2)一端与第二耦合线(L2)另一端相连,另一端接地;其中第一耦合线(L1)与第二耦合线(L2)长度宽度相等,呈对称分布;第一接地短路枝节(Ld1)与第二接地短路枝节(Ld2)长度宽度相等,呈对称分布;金属柱(H1)底部与第二输入电感(Lin2)相连,金属柱(H1)顶部与第二带状线(Lout)相连;第二带状线(Lout)为外部贴装数控衰减芯片WSD预留的输出焊接端口,下缺陷地(SD1)第一开孔包括依次相连的第一矩形开孔(R1)、第一长条形开孔(R2)和第二矩形开孔(R3),其中第一矩形开孔(R1)和第二矩形开孔(R3)的面积相同;下...
【专利技术属性】
技术研发人员:王鑫,孙超,戴永胜,
申请(专利权)人:南京理工大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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