基板处理系统以及基板处理方法技术方案

本发明专利技术涉及基板处理系统以及方法，其中基板处理方法包括：基板配置步骤，在腔室内部配置基板；掩膜部件配置步骤，在腔室内部中在基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节相对于基板的掩膜部件的配置高度来形成封装层，以覆盖形成在基板的元件。调节相对于基板的掩膜部件的配置高度，进而能够得到形成各种结构的封装层的有利效果。

Substrate treatment system and substrate treatment

The present invention relates to a substrate processing system and method, wherein the substrate processing method includes: a substrate configuration steps inside the chamber configuration substrate; mask component configuration steps inside the cavity in the substrate configuration mask components; encapsulation layer forming step, adjusting the relative to the base plate of the mask member configured to form an encapsulation layer height to cover, formed in the element substrate. The height of the mask components relative to the substrate is adjusted, and the favorable effect of the packaging layer forming the various structures can be obtained.

【技术实现步骤摘要】
基板处理系统以及基板处理方法
本专利技术涉及基板处理系统以及方法，更详细地说涉及调节基板掩膜部件的配置高度可形成各种结构的封装层(encapsulationlayer)的基板处理系统以及基板处理方法。
技术介绍
显示器制造工艺或者半导体制造工艺中的封装(encapsulation)工艺是指形成封装层的工艺，进而在大气中的氧气与水分中保护元件(element)的有机层与电极，以及在从外部施加的机械性、物理性冲击中保护元件。尤其是，有机发光二极管(OLED)元件使用的有机材料在暴露在空气中的氧气以及水分的情况下，显著缩短使用寿命，因此必须要求封装层能够防止有机材料与外部接触。一般地说，封装层可通过如下的方式形成：在封装基板与TFT基板之间填充有机物的填充封装方式；利用由激光熔融玻璃原料(frit)进行粘结的玻璃料封装方法、通过多层的有机-无机复合膜从外部保护元件的薄膜(film)封装方法等。其中，薄膜封装方法的封装层是交替层叠相互不同的两种以上的膜(例如，有机膜以及无机膜)来形成的封装层。作为现有的封装层的制造方法中的一种，其提出了如下的封装层形成方法：在第一腔室的内部中在形成有元件的基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括：基板配置步骤，在腔室内部配置基板；掩膜部件配置步骤，在所述腔室内部中在所述基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度来形成封装层，以覆盖形成在所述基板的元件。

【技术特征摘要】
2016.07.12 KR 10-2016-0088197;2016.07.12 KR 10-2011.一种基板处理方法，其特征在于，包括：基板配置步骤，在腔室内部配置基板；掩膜部件配置步骤，在所述腔室内部中在所述基板上面配置掩膜部件；封装层形成步骤，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度来形成封装层，以覆盖形成在所述基板的元件。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述封装层形成步骤包括：第一配置步骤，将所述掩膜部件配置在相对于所述基板上面的第一高度；第一封装层形成步骤，利用配置在所述第一高度的所述掩膜部件形成第一封装层；第二配置步骤，将所述掩膜部件配置在相对于所述基板的、与所述第一高度不同的第二高度；第二封装层形成步骤，利用配置在所述第二高度的所述掩膜部件来形成覆盖所述第一封装层的第二封装层。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，所述掩膜部件包括：配置在所述第一高度的第一掩膜部件；以及配置在所述第二高度的第二掩膜部件；其中，所述第二掩膜部件为配置在所述第二高度的所述第一掩膜部件。4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述封装层形成步骤中还包括高度调节步骤，所述高度调节步骤调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度，进而调节所述掩膜部件的沉积面积。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，所述高度调节步骤中，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度。6.一种基板处理系统，其特征在于，包括：腔室；基座，配置在所述腔室内部并且安装有基板；掩膜部件，配置在所述基板的上部；控制部，调节相对于所述基板的所述掩膜部件的配置高度；其中，利用由所述控制部调节高度的所述掩膜部件来形成封装层，以覆盖形成在所述基板的元件。7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其特征在于，所述控制部将所述掩膜部件配置在相对于所述基板上面的第一高度，或者配置在相对于所述基板的、与所述第一高度不同的第二高度，若所述掩膜部件配置在所述第一高度，则形成覆盖所述元件的第一封装层，若所述掩膜部件配置在所述第二高度，则形成覆盖所述第一封装层的第二封装层。8.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，所述控制部在所述第一高度将所述掩膜部件紧贴于所述基板的上面。9.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，所述控制部在所述第一高度将所述掩膜部件间隔于所述基板上面。10.根据权利要求7所述的基板处理系统，其特征在于，所述掩膜部件包括：配置在所述第一高度的第一掩膜部件；以及配置在所述第二高度的第二掩膜部件；其中，所述第二掩膜部件为配置在所述第二高度的所述第一掩膜部...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢一镐，方承德，金范准，吴守镐，金新平，
申请(专利权)人：圆益IPS股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR