一种LED芯片级封装器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开的一种LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，还包括第一结合层、第二结合层、第一导电层和第二导电层，所述第一结合层和第二结合层分别与正电极和负电极连接，第一导电层和第二导电层分别与第一结合层和第二结合层连接，第一导电层的面积大于正电极的面积，第二导电层的面积大于负电极的面积。第一导电层和第二导电层增加了LED芯片级封装器件正电极和负电极的面积，降低LED芯片级封装器件对贴片设备以及贴装电路板精度的要求，降低了LED芯片级封装器件的应用成本；增加LED芯片级封装器件与贴装电路板附着力，提高了LED芯片级封装器件贴片的良品率和使用稳定性。

A LED chip level packaging device and its fabrication method

A LED chip level packaging device disclosed by the invention comprises a positive electrode and a negative electrode of the light-emitting diode chip, light emitting diode wafer coated fluorescent glue and is arranged on the bottom of the light emitting diode chip, also includes a first bonding layer, second layer, combined with the first and second conductive layers, the first layer and the second layer combined with are respectively connected with the positive electrode and the negative electrode, first and second conductive layers are respectively connected with the first layer and the second layer combined with the combination of connection, the first conductive layer is larger than the electrode area, the area of the second conductive layer is greater than the negative electrode area. The first and second conductive layers increased LED chip level package positive electrode and the negative electrode area, reduce the LED chip scale package device of SMT equipment and mount circuit board precision, reduces the application cost of LED chip level package; increase LED chip level packaging device and circuit board mount adhesion and improve the yield of LED chip level package chip rate and the usage stability.

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片级封装器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体照明领域，具体涉及一种LED芯片级封装器件及其制作方法。
技术介绍
LED芯片级封装器件通常采用没有支架的封装方式，LED芯片级封装器件与电路板的焊接面积等于发光二极管晶片电极的面积，由于发光二极管晶片的电极面积很小，使得LED芯片级封装器件在贴装的时候，需要精度很高的贴装设备来进行贴装，而满足条件的贴装设备价格昂贵，提升了LED芯片级封装器件的贴装成本；LED芯片级封装器件对贴装电路板的精度要求也高，进一步地提高了LED芯片级封装器件的使用成本；另一方面，由于焊接面积小，LED芯片级封装器件与电路板之间焊接之后的附着力小，导致LED芯片级封装器件易脱落，降低了LED芯片级封装器件贴片的良品率和使用稳定性。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种LED芯片级封装器件及其制作方法，旨在降低LED芯片级封装器件的应用成本，提高LED芯片级封装器件使用的良品率和稳定性，采用的技术方案为：一种LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，结合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，其特征在于，还包括结合层和导电层，所述结合层设置在发光二极管晶片底部，所述结合层与荧光胶紧密贴合，所述结合层包括第一结合层和第二结合层，第一结合层与正电极连接，所述第二结合层与负电极连接，且第一结合层和第二接合层之间存有间隙；所述导电层设置在发光二极管晶片底部，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与第一结合层连接，第二导电层与第二结合层连接，第一导电层和第二导电层相互绝缘，其中第一导电层的面积与大于正电极的面积，第二导电层的面积大于负电极...

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片级封装器件，所述LED芯片级封装器件包括发光二极管晶片、包覆发光二极管晶片的荧光胶以及设置于发光二极管晶片底部的正电极和负电极，其特征在于，还包括结合层和导电层，所述结合层设置在发光二极管晶片底部，所述结合层与荧光胶紧密贴合，所述结合层包括第一结合层和第二结合层，第一结合层与正电极连接，所述第二结合层与负电极连接，且第一结合层和第二接合层之间存有间隙；所述导电层设置在发光二极管晶片底部，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与第一结合层连接，第二导电层与第二结合层连接，第一导电层和第二导电层相互绝缘，其中第一导电层的面积与大于正电极的面积，第二导电层的面积大于负电极的面积。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片级封装器件，其特征在于，所述第一结合层覆盖正电极，第二结合层覆盖负电极；所述第一导电层覆盖第一结合层，第二导电层覆盖第二结合层。3.根据权利要求1所述的一种LED芯片级封装器件，其特征在于，所述结合层和导电层外边缘不超过所述荧光胶的外边缘。4.根据权利要求1所述的一种LED芯片级封装器件，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：程胜鹏，
申请(专利权)人：中山市立体光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44