半导体装置以及电力转换装置制造方法及图纸
Semiconductor devices and power conversion devices
A semiconductor device that can suppress oscillations of the gate voltage. The implementation of the semiconductor device have transistor has first electrodes and second electrodes, and a gate electrode; resistor is electrically connected to the gate electrode; diode has a cathode connected between the resistor and the gate electrode, anode electrode and electrically connected to the first; and the electric container is connected with the resistor in parallel.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及电力转换装置相关申请的引用本申请以日本专利申请2016－137390(申请日：2016年7月12日)为基础，并基于该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置以及电力转换装置。
技术介绍
在高速地进行开关动作的场效应晶体管中，栅极电压有时会产生意外的振荡。若产生栅极电压的振荡，则有可能导致包含场效应晶体管在内的电路的误操作而成为问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的课题在于，提供一种能够抑制栅极电压的振荡的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：晶体管，具有第1电极、第2电极、以及栅极电极；电阻，电连接于上述栅极电极；二极管，具有电连接于上述第1电极的阳极、和电连接在上述电阻与上述栅极电极之间的阴极；以及电容器，以并联的方式与上述电阻连接。根据上述构成，可提供一种能够抑制栅极电压的振荡的半导体装置。附图说明图1是第1实施方式的半导体装置的电路图。图2是第1实施方式的作用以及效果的说明图。图3A、图3B是第1实施方式的作用以及效果的说明图。图4是第2实施方式的半导体装置的电路图。图5是第3实施方式的半导...
【技术保护点】
一种半导体装置，具备：晶体管，具有第1电极、第2电极、以及栅极电极；电阻，电连接于上述栅极电极；二极管，具有电连接于上述第1电极的阳极、和电连接在上述电阻与上述栅极电极之间的阴极；以及电容器，与上述电阻并联连接。
【技术特征摘要】
2016.07.12 JP 2016-1373901.一种半导体装置，具备：晶体管，具有第1电极、第2电极、以及栅极电极；电阻，电连接于上述栅极电极；二极管，具有电连接于上述第1电极的阳极、和电连接在上述电阻与上述栅极电极之间的阴极；以及电容器，与上述电阻并联连接。2.如权利要求1所述的半导体装置，上述二极管是肖特基势垒二极管。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，还具备电连接在上述电阻与上述栅极电极之间的铁氧体磁珠电感器。4.如权利要求3所述的半导体装置，上述电容器与上述电阻以及上述铁氧体磁珠电感器并联连接，在上述铁氧体磁珠电感器与上述栅极电极之间电连接有上述阴极。5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置...
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