透明导电薄膜、光电器件及其制作方法技术
Transparent conductive films, optoelectronic devices and their fabrication methods
【技术实现步骤摘要】
透明导电薄膜、光电器件及其制作方法
本专利技术属于材料制备
，特别是涉及一种透明导电薄膜、光电器件及其制作方法。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode)即有机电致发光器件具有发光效率高、响应速度快、驱动电压低等优点，是光电器件领域的热点研究方向之一。近年来通过对新材料的不断探索以及器件制作工艺的不断优化，OLED已经取得了很大的进步，但是要在平板显示领域充分发挥其优势，OLED的器件稳定性、成本控制、可柔性等方面还需要进一步的改善。其中，其透明导电材料的表面功函数、光电特性、表面平整性、化学稳定性以及与有机层的兼容性是OLED发展的关键因素。ITO(IndiumTinOxide)即氧化铟锡具有高导电性、高透过率的特点，是目前为止最广泛应用的透明电极材料。但其在OLED应用中存在着不足，如材料成本高且柔韧性不够，存在过度弯曲时容易破裂的危险；在500～550nm以下的波长区域透射率会下降，看上去显黄色或茶色；其电阻率也比较大；ITO中的金属铟会扩散至有机层内，影响器件寿命等。基于ITO存在以上缺点，寻找导电性高、透过率好、柔...
【技术保护点】
一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括：目标结构；银纳米线薄膜层，位于所述目标结构表面，所述银纳米线薄膜层为表面经过热处理及亲水处理的银纳米线薄膜层；透明导电聚合物填充层，填充于所述银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖所述银纳米线薄膜层。
【技术特征摘要】
1.一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括：目标结构；银纳米线薄膜层，位于所述目标结构表面，所述银纳米线薄膜层为表面经过热处理及亲水处理的银纳米线薄膜层；透明导电聚合物填充层，填充于所述银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖所述银纳米线薄膜层。2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述目标结构为目标衬底或具有功能器件的半导体结构。3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述目标衬底为石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述银纳米线薄膜层包括多个接触连接的银纳米线。5.根据权利要求4所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述银纳米线薄膜层中的所述银纳米线的长度为10μm～200μm，所述银纳米线的直径为20nm～100nm。6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述透明导电聚合物填充层的材料包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸或其衍生物中的一种。7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述透明导电薄膜还包括石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述透明导电聚合物填充层表面。8.一种透明导电薄膜的制作方法，其特征在于，所述透明导电薄膜的制作方法包括以下步骤：1)提供一目标结构；2)在所述目标结构上形成银纳米线薄膜层；3)在步骤2)得到的结构表面形成透明导电聚合物填充层，所述透明导电聚合物填充层填充于所述银纳米线薄膜层内部的空隙，且覆盖所述银纳米线薄膜层。9.根据权利要求8所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤1)中，所述目标结构为目标衬底或具有功能器件的半导体结构。10.根据权利要求9所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：所述目标衬底为石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。11.根据权利要求8所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，在所述目标结构上形成银纳米线薄膜层包括以下步骤：2-1)提供银纳米线及溶剂，将所述银纳米线置于所述溶剂中得到银纳米线分散液；2-2)采用浸渍提拉工艺、旋涂工艺、刮涂工艺、喷涂工艺、湿涂工艺、丝网印刷工艺、滚轮涂布工艺或板式涂布工艺在所述目标结构上制备包括多个接触连接的银纳米线的所述银纳米线薄膜层。12.根据权利要求11所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：所述溶剂为乙醇、异丙醇或去离子水，所述银纳米线分散液的浓度为1mg/ml～20mg/ml。13.根据权利要求8所述的透明导电薄膜的制作方法，其特征在于：在步骤2)中，还包括对所述银纳米线薄膜层进行热处理的步骤。14.根据权利要求13所述的透明导电薄膜的制作方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：方小红，徐一麟，王聪，尤莹，陈小源，万吉祥，
申请(专利权)人：中国科学院上海高等研究院，
类型：发明
国别省市：上海,31
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