硅PIN半导体区域γ辐射监测仪制造技术

技术编号:17090306 阅读:24 留言:0更新日期:2018-01-21 02:23
本实用新型专利技术公开了硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖,所述下盖的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页,所述下盖的顶端两侧均开设有凹槽,且凹槽为倾斜设置,所述凹槽的两侧内壁上均粘接有防护层,且防护层是由橡胶材质制成,所述下盖通过合页转动连接有上盖,所述上盖的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条。本实用新型专利技术结构简单,当遇到雨水天气时,可以将上盖及时通过合页和下盖闭合,上盖两侧的卡条可以密实闭合在凹槽的内部,并且防护层可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部,探测器盒内安装的硅PIN半导体二极管可以提高监测数据的精度,使仪器的响应时间大大缩短。

Silicon PIN semiconductor region gamma radiation monitor

The utility model discloses a silicon PIN semiconductor area gamma radiation monitor, which comprises a lower cover, the lower cover of the top surface of the screw is connected with a hinge through both sides of the lower cover, the top sides are provided with grooves, and the grooves are arranged slantwise, both sides of the inner wall of the groove are bonded with a protective layer, and the protective layer is made of rubber material, the lower cover is rotatably connected through the hinge cover on both sides of the outer wall of the upper cover are fixed by screws with a card. The utility model has the advantages of simple structure, when the rain when the weather can be covered in a timely manner through the hinge and the lower cover is closed, the two sides of the upper cover card can be closed in dense grooves, and the protective layer can increase the sealing to further prevent rainwater from entering the interior of the instruments, detection of silicon PIN diode box can be installed to improve the accuracy of monitoring data, which greatly shorten the response time of the instrument.

【技术实现步骤摘要】
硅PIN半导体区域γ辐射监测仪
本技术涉及辐射监测
,尤其涉及硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。
技术介绍
电磁辐射又称电子烟雾,是由空间共同移送的电能量和磁能量所组成,而该能量是由电荷移动所产生,电场和磁场的交互变化产生的电磁波,电磁波向空中发射或泄露的现象叫电磁辐射,电磁辐射其中就包括γ射线,γ射线是原子核能级跃迁蜕变时释放出的射线,是波长短于0.01埃的电磁波。γ射线有很强的穿透力,工业中可用来探伤或流水线的自动控制。γ射线对细胞有杀伤力,导致对人体有危害,所以需要对电磁辐射强度进行监测,但是,一般的手持γ辐射监测仪在遇到雨水天气时,容易被雨水淋湿,导致其内部的重要测量元件损坏,不能得到良好的保护,且一般的γ辐射监测仪测量精度低,存在能量响应时间长的缺点。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖,所述下盖的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页,所述下盖的顶端两侧均开设有凹槽,且凹槽为倾斜设置,所述凹槽的两侧内壁上均粘接有防护层,且防护层是由橡胶材质制成,所述下盖通过合页转动连接有上盖,所述上盖的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条,且卡条和凹槽相适配,所述上盖的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏,所述上盖的正面一侧开设有收纳槽,所述收纳槽的内部顶端安装有万向节,所述万向节远离收纳槽的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒,所述上盖的正面底端设有操作面板,所述操作面板的内部一侧通过螺丝固定有连接接口,所述操作面板的内部另一侧安装有操作按钮。优选的,所述凹槽的水平长度和下盖的宽度、卡条的长度均相同。优选的,所述探测器盒的内部通过导线连接有硅PIN半导体二极管,且硅PIN半导体二极管的长度和探测器盒的长度相适配。优选的,所述显示屏通过导线连接有处理器,且处理器位于上盖的内部,处理器通过导线和硅PIN半导体二极管连接。优选的,所述卡条的宽度和两个防护层之间的距离相适配。优选的,所述下盖的内部设有安装槽,且安装槽内卡接有锂电池,锂电池的一端通过接线片以及导线和显示屏连接。本技术的有益效果为:1、本设备结构简单,当遇到雨水天气时,可以将上盖及时通过合页和下盖闭合,上盖两侧的卡条可以密实闭合在凹槽的内部,并且防护层可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部,另外,即使有些许雨水进入到凹槽内,凹槽的切斜设置可以让雨水自行从槽内流出。2、探测器盒内安装的硅PIN半导体二极管可以提高监测数据的精度,使仪器的响应时间大大缩短,另外,在硅PIN半导体二极管损坏时直接打开探测器盒进行拆装更换。附图说明图1为本技术提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪的结构示意图;图2为本技术提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪的局部结构示意图。图中:1操作按钮、2下盖、3防护层、4凹槽、5合页、6探测器盒、7卡条、8收纳槽、9万向节、10上盖、11显示屏、12操作面板、13连接接口。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。参照图1-2,硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖2,下盖2的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页5,下盖2的顶端两侧均开设有凹槽4,且凹槽4为倾斜设置,凹槽4的两侧内壁上均粘接有防护层3,且防护层3是由橡胶材质制成,下盖2通过合页5转动连接有上盖10,上盖10的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条7,且卡条7和凹槽4相适配,上盖10的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏11,上盖10的正面一侧开设有收纳槽8,收纳槽8的内部顶端安装有万向节9,万向节9远离收纳槽8的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒6,上盖10的正面底端设有操作面板12,操作面板12的内部一侧通过螺丝固定有连接接口13,操作面板12的内部另一侧安装有操作按钮1。本技术中,凹槽4的水平长度和下盖2的宽度、卡条7的长度均相同,探测器盒6的内部通过导线连接有硅PIN半导体二极管,且硅PIN半导体二极管的长度和探测器盒6的长度相适配,显示屏11通过导线连接有处理器,且处理器位于上盖10的内部,处理器通过导线和硅PIN半导体二极管连接,卡条7的宽度和两个防护层3之间的距离相适配,下盖2的内部设有安装槽,且安装槽内卡接有锂电池,锂电池的一端通过接线片以及导线和显示屏11连接。工作原理:当遇到雨水天气时,可以将上盖10及时通过合页5和下盖2闭合,上盖10两侧的卡条7可以密实闭合在凹槽4的内部,并且防护层3可以增加密封性进一步防止雨水进入到仪器内部,即使雨水进入到凹槽4内,凹槽4的切斜设置可以让雨水自行从槽内流出,在硅PIN半导体二极管损坏时直接打开探测器盒6进行拆装更换。以上所述,仅为本技术较佳的具体实施方式,但本技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网
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硅PIN半导体区域γ辐射监测仪

【技术保护点】
硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖(2),其特征在于,所述下盖(2)的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页(5),所述下盖(2)的顶端两侧均开设有凹槽(4),且凹槽(4)为倾斜设置,所述凹槽(4)的两侧内壁上均粘接有防护层(3),且防护层(3)是由橡胶材质制成,所述下盖(2)通过合页(5)转动连接有上盖(10),所述上盖(10)的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条(7),且卡条(7)和凹槽(4)相适配,所述上盖(10)的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏(11),所述上盖(10)的正面一侧开设有收纳槽(8),所述收纳槽(8)的内部顶端安装有万向节(9),所述万向节(9)远离收纳槽(8)的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒(6),所述上盖(10)的正面底端设有操作面板(12),所述操作面板(12)的内部一侧通过螺丝固定有连接接口(13),所述操作面板(12)的内部另一侧安装有操作按钮(1)。

【技术特征摘要】
1.硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖(2),其特征在于,所述下盖(2)的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页(5),所述下盖(2)的顶端两侧均开设有凹槽(4),且凹槽(4)为倾斜设置,所述凹槽(4)的两侧内壁上均粘接有防护层(3),且防护层(3)是由橡胶材质制成,所述下盖(2)通过合页(5)转动连接有上盖(10),所述上盖(10)的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条(7),且卡条(7)和凹槽(4)相适配,所述上盖(10)的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏(11),所述上盖(10)的正面一侧开设有收纳槽(8),所述收纳槽(8)的内部顶端安装有万向节(9),所述万向节(9)远离收纳槽(8)的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒(6),所述上盖(10)的正面底端设有操作面板(12),所述操作面板(12)的内部一侧通过螺丝固定有连接接口(13),所述操作面板(12)的内部另一侧安装有操作按钮(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:马扶雷
申请(专利权)人:天津米辐美科技发展有限公司
类型:新型
国别省市:天津,12

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