The utility model discloses a silicon PIN semiconductor area gamma radiation monitor, which comprises a lower cover, the lower cover of the top surface of the screw is connected with a hinge through both sides of the lower cover, the top sides are provided with grooves, and the grooves are arranged slantwise, both sides of the inner wall of the groove are bonded with a protective layer, and the protective layer is made of rubber material, the lower cover is rotatably connected through the hinge cover on both sides of the outer wall of the upper cover are fixed by screws with a card. The utility model has the advantages of simple structure, when the rain when the weather can be covered in a timely manner through the hinge and the lower cover is closed, the two sides of the upper cover card can be closed in dense grooves, and the protective layer can increase the sealing to further prevent rainwater from entering the interior of the instruments, detection of silicon PIN diode box can be installed to improve the accuracy of monitoring data, which greatly shorten the response time of the instrument.
【技术实现步骤摘要】
硅PIN半导体区域γ辐射监测仪
本技术涉及辐射监测
,尤其涉及硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。
技术介绍
电磁辐射又称电子烟雾,是由空间共同移送的电能量和磁能量所组成,而该能量是由电荷移动所产生,电场和磁场的交互变化产生的电磁波,电磁波向空中发射或泄露的现象叫电磁辐射,电磁辐射其中就包括γ射线,γ射线是原子核能级跃迁蜕变时释放出的射线,是波长短于0.01埃的电磁波。γ射线有很强的穿透力,工业中可用来探伤或流水线的自动控制。γ射线对细胞有杀伤力,导致对人体有危害,所以需要对电磁辐射强度进行监测,但是,一般的手持γ辐射监测仪在遇到雨水天气时,容易被雨水淋湿,导致其内部的重要测量元件损坏,不能得到良好的保护,且一般的γ辐射监测仪测量精度低,存在能量响应时间长的缺点。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的硅PIN半导体区域γ辐射监测仪。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖,所述下盖的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页,所述下盖的顶端两侧均开设有凹槽,且凹槽为倾斜设置,所述凹槽的两侧内壁上均粘接有防护层,且防护层是由橡胶材质制成,所述下盖通过合页转动连接有上盖,所述上盖的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条,且卡条和凹槽相适配,所述上盖的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏,所述上盖的正面一侧开设有收纳槽,所述收纳槽的内部顶端安装有万向节,所述万向节远离收纳槽的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒,所述上盖的正面底端设有操作面板,所述操作面板的内部一侧通过螺丝固定有连接接口,所述操作面板的内 ...
【技术保护点】
硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖(2),其特征在于,所述下盖(2)的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页(5),所述下盖(2)的顶端两侧均开设有凹槽(4),且凹槽(4)为倾斜设置,所述凹槽(4)的两侧内壁上均粘接有防护层(3),且防护层(3)是由橡胶材质制成,所述下盖(2)通过合页(5)转动连接有上盖(10),所述上盖(10)的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条(7),且卡条(7)和凹槽(4)相适配,所述上盖(10)的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏(11),所述上盖(10)的正面一侧开设有收纳槽(8),所述收纳槽(8)的内部顶端安装有万向节(9),所述万向节(9)远离收纳槽(8)的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒(6),所述上盖(10)的正面底端设有操作面板(12),所述操作面板(12)的内部一侧通过螺丝固定有连接接口(13),所述操作面板(12)的内部另一侧安装有操作按钮(1)。
【技术特征摘要】
1.硅PIN半导体区域γ辐射监测仪,包括下盖(2),其特征在于,所述下盖(2)的背面顶端两侧均通过螺丝连接有合页(5),所述下盖(2)的顶端两侧均开设有凹槽(4),且凹槽(4)为倾斜设置,所述凹槽(4)的两侧内壁上均粘接有防护层(3),且防护层(3)是由橡胶材质制成,所述下盖(2)通过合页(5)转动连接有上盖(10),所述上盖(10)的两侧外壁均通过螺丝固定有卡条(7),且卡条(7)和凹槽(4)相适配,所述上盖(10)的正面顶端开设有第二凹槽,且第二凹槽内卡接有显示屏(11),所述上盖(10)的正面一侧开设有收纳槽(8),所述收纳槽(8)的内部顶端安装有万向节(9),所述万向节(9)远离收纳槽(8)的槽面底壁一端螺纹连接有探测器盒(6),所述上盖(10)的正面底端设有操作面板(12),所述操作面板(12)的内部一侧通过螺丝固定有连接接口(13),所述操作面板(12)的内部另一侧安装有操作按钮(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:马扶雷,
申请(专利权)人:天津米辐美科技发展有限公司,
类型:新型
国别省市:天津,12
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