基于硅基光电探测器的硬X射线探测器制造技术
A hard X ray detector based on silicon photodetector
The invention discloses a hard X ray detector silicon photoelectric detector based on its innovation lies in: the hard X ray detector comprises a silicon wafer and forming a silicon photodetector on silicon wafer; the week set to the surface of a plane, the plane and the wafer is axially parallel, photosensitive surface the silicon photodetector is formed in the axial plane, silicon photoelectric detector and which is perpendicular to the plane, the radial size is far greater than the axial size of silicon wafer. The beneficial effect of the invention is: provide a kind of hard X ray detector silicon photoelectric detector based on this scheme can effectively improve the detection efficiency of the silicon photodetector on hard X ray, the silicon photodetector can direct imaging of hard X ray, to avoid the current problems existing in the photonic technology the conversion efficiency, can effectively reduce the X X-ray medical imaging body by irradiation dose.
【技术实现步骤摘要】
基于硅基光电探测器的硬X射线探测器
本专利技术涉及一种X射线探测器，尤其涉及一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器。
技术介绍
X射线在医学诊断、无损检测和安全检查等领域具有重要的技术价值，在科研、生产、生活等许多领域得到了广泛应用；硬X射线由于其穿透深度更深，在工业及医疗方面使用广泛；现有的硬X射线探测器大多采用基于CsI、CdWO4等闪烁晶体的光子转换原理来实现探测，目前，还没有采用硅基探测器实现硬X射线直接探测成像的报导；基于闪烁晶体的硬X射线探测器在对硬X射线进行探测时，需要先通过光子转换过程将X光子转换为可见光子或者紫外光子，然后再由硅基探测器对转换后的光子进行吸收从而实现成像，转换过程和光子吸收过程中不可避免地存在转换效率问题和吸收效率问题，从而使得现有的硬X射线探测器对硬X射线的探测效率较低，尤其在医学应用时，为了实现探测，需要增大辐照剂量，对人体损伤较大。
技术实现思路
针对
技术介绍
中的问题，本专利技术提出了一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器，其创新在于：所述硬X射线探测器包括硅片及形成在硅片上的硅光电探测器；所述硅片的周向面上设置有一平面，所述平...
【技术保护点】
一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器，其特征在于：所述硬X射线探测器包括硅片及形成在硅片上的硅光电探测器；所述硅片的周向面上设置有一平面，所述平面与硅片轴向平行，所述硅光电探测器的光敏面形成在所述平面上，硅光电探测器的轴向与所述平面垂直，硅片的径向尺寸远大于轴向尺寸。
【技术特征摘要】
1.一种基于硅基光电探测器的硬X射线探测器，其特征在于：所述硬X射线探测器包括硅片及形成在硅片上的硅光电探测器；所述硅片的周向面上设置有一平面，所述平面与硅片轴向平行，所述硅光电探测器的光敏面形成在所述平面上，硅光电探测器的轴向与所述平面垂直，硅片的径向尺寸远大于轴向尺寸。2.根据权利要求1所述的基于硅基光电探测器的硬X射线探测器，其特征在于：所述硅光电探测器与一读出电路连接，...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪朝敏，王小东，郭培，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50
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