用于具有改进的内部电场的检测器的系统和方法技术方案

提供了一种包含阴极、阳极和半导体晶圆的辐射检测器。半导体晶圆具有相对的第一和第二表面。阴极安装到第一表面，并且阳极安装到第二表面。半导体晶圆配置成由在阴极与阳极之间的电压偏置以在半导体晶圆中生成电场，并且响应于吸收的辐射而生成电信号。电场具有某个强度,其具有设置成接近第一表面或第二表面中的对应的至少一个的至少一个局部最大值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于具有改进的内部电场的检测器的系统和方法
技术介绍
本文中公开的主题一般涉及用于半导体辐射检测器的设备和方法。辐射检测器可用于诸如伽玛射线和X射线辐射的电离辐射。例如，由碲化镉(CdTe)或碲锌镉(CdZnTe或CZT)制成的辐射检测器可用作用于包焊在核医学成像应用中的医疗成像的检测器。辐射检测器可在各种各样的领域中例如，与伽玛拍摄装置、单光子发射计算断层成像(SPECT)、正电子发射断层成像(PET)、计算断层成像(CT)、空间望远镜或国土安全性应用结合地采用。在诸如半导体辐射检测器的直接转换检测器中，在检测器体积(bulk)中吸收电离辐射的检测到的光子。在检测器体积中光子的吸收位置中，每个吸收的光子创建由多个电子空穴对组成的电荷。在正偏置阳极与负偏置阴极之间跨检测器体积应用高电压偏置。带负电的电子向正偏置阳极漂移，并且作为可称为电子云的基团向阳极移动。类似地，但在相反方向上，带正电的空穴向负偏置阴极漂移，并且作为可称为空穴云的基团向阴极移动。在电子云(其具有表述为(-q)的总电荷)向阳极漂移时，在阳极上感应到“镜像”电荷Qe。在缺少小像素效应的情况下，Qe与电子云从检测器体积中光子的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射检测器，包括：阴极；阳极；具有相对的第一和第二表面的半导体晶圆，所述第一表面具有安装于此的所述阴极，并且所述第二表面具有安装于此的所述阳极，所述晶圆配置成由在所述阴极与所述阳极之间的电压偏置以在所述半导体晶圆中生成电场，并且响应于吸收的辐射而生成电信号，其中所述电场具有某个强度.所述强度具有设置成接近所述第一表面或第二表面中的对应的至少一个的至少一个局部最大值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.29 US 14/5267961.一种辐射检测器，包括：阴极；阳极；具有相对的第一和第二表面的半导体晶圆，所述第一表面具有安装于此的所述阴极，并且所述第二表面具有安装于此的所述阳极，所述晶圆配置成由在所述阴极与所述阳极之间的电压偏置以在所述半导体晶圆中生成电场，并且响应于吸收的辐射而生成电信号，其中所述电场具有某个强度.所述强度具有设置成接近所述第一表面或第二表面中的对应的至少一个的至少一个局部最大值。2.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述阳极包括多个像素化阳极接触件。3.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述电场包括接近所述第一表面的第一局部最大值和接近所述第二表面的第二局部最大值。4.如权利要求3所述的辐射检测器，其中所述第一和第二局部最大值具有实质上类似的值。5.如权利要求3所述的辐射检测器，其中所述第一和第二局部最大值具有实质上不同的值。6.如权利要求1所述的辐射检测器，其中用于电子和空穴穿过所述半导体晶圆的所述半导体晶圆的漂移时间比用于所述电子和空穴的寿命更短。7.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述至少一个局部最大值配置成促使空穴穿过所述半导体晶圆以便在比所述空穴的寿命更短的时间段内漂移到所述阴极。8.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述至少一个局部最大值配置成促使设置成接近所述第二表面的电子以感应在所述阳极具有小的像素效应的电荷。9.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述半导体晶圆由碲化镉(CdTe)组成。10.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述半导体晶圆由碲锌镉(CZT)组成。11.如权利要求1所述的辐射检测器，其中所述辐射检测器配置成检测X射线...

【专利技术属性】
技术研发人员：A沙哈，Y格拉泽，J勒夫伊，A奥范，R哈拉范，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：美国,US