采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机制造技术

本发明专利技术涉及单晶硅切片机领域，公开了一种采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，包括转辊(2)和金钢线(1)，转辊(2)外侧沿转辊(2)的轴向并列设有凸起圆环(201)，相邻凸起圆环(201)之间形成嵌槽(202)，凸起圆环(201)的环宽为金钢线(1)直径的1.5至2倍，嵌槽(202)的宽度为金钢线1的1.1至1.2倍，金钢线(1)嵌设在嵌槽(202)内。本发明专利技术提供了一种采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，不仅能够防止断线，同时使切出的硅片厚度更加标准，实现高精度切割。

Single crystal silicon slice machine with high precision cutting with gold steel wire

The invention relates to the field of monocrystalline silicon slicing machine, discloses a silicon wafer slicing machine adopts steel wire of high precision cutting, including roller (2) and steel wire (1), the roller (2) along the outer roller (2) axial parallel convex ring (201), adjacent convex ring (201) formed between the groove (202), (201) convex ring ring width of steel wire (1) diameter of 1.5 to 2 times the width of the groove (202) for the steel line 1 1.1 to 1.2 times that of steel wire (1) embedded in the embedded slot (202). The invention provides a monocrystalline silicon slice slicing machine with high precision cutting using the gold steel line, which not only can prevent breakage, but also make the thickness of the cut silicon wafer more standard, so as to achieve high precision cutting.

【技术实现步骤摘要】
采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机
本专利技术涉及单晶硅切片机领域，尤其涉及了一种采用了金钢线切割的切片机。
技术介绍
现有技术中的单晶硅切片机如已公开中国专利技术专利CN201210062228.4所示，该技术方案中公开的切片机存在以下缺点：1、金钢线的位置没有固定下来，金钢线在辊上可能沿着辊的轴向方向滑移，不仅可能导致切出的硅片厚度不一，严重的还可能两根金钢线交叉接触，金钢线被损伤、崩断；2、其在切割时对硅棒位置没有进行固定，硅柱可能产生沿着硅柱轴向位置的滑动，导致切出来的硅片厚度不齐。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中切片机的缺点，提供了一种采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，其具有金钢线位置固定、硅柱位置固定的优点，能够防止崩线、切出的硅片整齐的优点，同时，还对金钢线本身进行了改进。为了解决上述技术问题，本专利技术通过下述技术方案得以解决：采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，包括转辊和金钢线，转辊外侧沿转辊的轴向并列设有凸起圆环，相邻凸起圆环之间形成嵌槽，凸起圆环的环宽为金钢线直径的1.5至2倍，嵌槽的宽度为金钢线1的1.1至1.2倍。金钢线位置固定，不会发生侧向的滑移，保证了切出的硅片的厚度一致以及金钢线之间不会发生接触导致损伤和断线。作为优选，金钢线嵌设在嵌槽内，所述的金钢线包括钢丝芯线，钢丝芯线外设有植砂层，植砂层上设有金刚石颗粒，植砂层、金刚石颗粒外还电镀有镍基层。作为优选，植砂层为高碳钢层。钢丝芯线采用拉拔方式制成，设置植砂层为高碳钢层，含碳量越高则硬度越高，因此高碳钢的硬度较高，高于普通含碳量的钢丝芯线的硬度，可以有效防止植砂层在切割时受力损坏、形变，镍基层可以增加金钢线表面的硬度。钢丝芯线的韧性较强，可有效防止金钢线被拉断和崩线。作为优选，还包括悬挂件、用于固定悬挂件的固定装置，所述固定装置包括左挂阶、右挂阶，左挂阶、右挂阶之间形成挂槽，硅柱粘在悬挂件下方，悬挂件位于所述挂槽内。作为优选，还包括螺柱，挂槽内还设有楔块，所述螺柱穿过左挂阶并顶住楔块，楔块顶住悬挂件。作为优选，悬挂件包括上插部、延伸部与粘结部，所述上插部包括左斜面、右斜面与抵靠面，所述抵靠面被左挂阶、右挂阶支撑，延伸部从左挂阶、右挂阶之间穿过，粘结部位于延伸部下方，硅柱通过胶水粘在延伸部下方，楔块顶在上插部的左斜面上。拧紧螺柱可将楔块与悬挂件顶紧，从而防止悬挂件下的硅柱位置发生滑移，保证了切割后硅片的厚度一致。本专利技术提供了一种采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，不仅能够防止断线，同时使切出的硅片厚度更加标准，实现高精度切割。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。图2是图1中沿A-A线的剖视示意图。图3是图2中Ⅰ处的局部示意图。图4是金钢线的截面示意图。图5是硅柱的安装示意图。附图中各数字标号所指代的部位名称如下：1—金钢线、101—镍基层、102—金刚石颗粒、103—植砂层、104—钢丝芯线、2—转辊、201—凸起圆环、202—嵌槽、3—硅柱、401—左挂阶、402—右挂阶、5—楔块、6—螺柱、7—悬挂件、701—上插部、702—延伸部、703—粘结部、8—胶水。具体实施方式下面结合附图与实施例对本专利技术作进一步详细描述。实施例1采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，如图1所示，包括转辊2和金钢线1，转辊2外侧沿转辊2的轴向并列设有凸起圆环201，相邻凸起圆环201之间形成嵌槽202，金钢线1嵌设在嵌槽202内，所述的金钢线1包括钢丝芯线104，钢丝芯线104外设有植砂层103，植砂层103上设有金刚石颗粒102，植砂层103、金刚石颗粒102外还电镀有镍基层101。植砂层103为高碳钢层。凸起圆环201的环宽为金钢线1直径的1.5至2倍，嵌槽202的宽度为金钢线1的1.1至1.2倍。还包括悬挂件7、用于固定悬挂件7的固定装置，硅柱3粘在悬挂件7下方，所述固定装置包括左挂阶401、右挂阶402，左挂阶401、右挂阶402之间形成挂槽，悬挂件7位于所述挂槽内。还包括螺柱6，挂槽内还设有楔块5，所述螺柱6穿过左挂阶401并顶住楔块5，楔块5顶住悬挂件7。悬挂件7包括上插部701、延伸部702与粘结部703，所述上插部701包括左斜面、右斜面与抵靠面，所述抵靠面被左挂阶401、右挂阶402支撑，延伸部702从左挂阶401、右挂阶402之间穿过，粘结部位于延伸部下方，硅柱3通过胶水粘在延伸部下方，楔块5顶在上插部701的左斜面上。总之，以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本专利技术专利的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，其特征在于：包括转辊(2)和金钢线(1)，转辊(2)外侧沿转辊(2)的轴向并列设有凸起圆环(201)，相邻凸起圆环(201)之间形成嵌槽(202)，凸起圆环(201)的环宽为金钢线(1)直径的1.5至2倍，嵌槽(202)的宽度为金钢线1的1.1至1.2倍。

【技术特征摘要】
1.采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，其特征在于：包括转辊(2)和金钢线(1)，转辊(2)外侧沿转辊(2)的轴向并列设有凸起圆环(201)，相邻凸起圆环(201)之间形成嵌槽(202)，凸起圆环(201)的环宽为金钢线(1)直径的1.5至2倍，嵌槽(202)的宽度为金钢线1的1.1至1.2倍。2.根据权利要求1所述的采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，其特征在于：金钢线(1)嵌设在嵌槽(202)内，所述的金钢线(1)包括钢丝芯线(104)，钢丝芯线(104)外设有植砂层(103)，植砂层(103)上设有金刚石颗粒(102)，植砂层(103)、金刚石颗粒(102)外还电镀有镍基层(101)。3.根据权利要求2所述的采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，其特征在于：植砂层(103)为高碳钢层。4.根据权利要求1所述的采用金钢线高精度切割的单晶硅片切片机，其特征在于：还包括悬挂件(7...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙明祥，
申请(专利权)人：浙江好亚能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33