一种镓舟支撑结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种镓舟支撑结构，所述镓舟支撑结构至少包括：反应腔、设置在所述反应腔内壁上的支撑环以及固定在所述支撑环上的镓舟本体；所述镓舟本体包括镓舟腔体和气体流出管，所述气体流出管通过所述镓舟腔体底部与所述镓舟腔体连通；所述镓舟腔体底部具有与所述支撑环固定连接的支撑架，所述支撑架上设置有多个气体流通孔。本实用新型专利技术通过环形孔状镓舟支撑结构，将镓舟在反应炉内部进行有效的固定，并且可以使镓舟在反应炉内的体积最大化，而且反应气体可以通过支撑架的气体流通孔流过，不影响气体反应效果。另外，本实用新型专利技术的镓舟支撑结构安装更加简便，提高生产效率。

A kind of gallium boat support structure

【技术实现步骤摘要】
一种镓舟支撑结构
本技术属于HVPE设备领域，特别是涉及一种镓舟支撑结构。
技术介绍
III族氮化物半导体薄膜材料，特别是宽禁带直接带隙的氮化镓(GaN)，作为第三代半导体材料的典型代表，具有高热导、高电子迁移率、高击穿电压及抗辐射等优异的性能，在制造高频、高温、大功率的光电子器件等方面具有巨大的应用前景。目前，GaN单晶的主要制备方法有：分子束外延法(MBE)、高压溶液法、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法、氢化物气相外延(HVPE，HydrideVaporPhaseEpitaxy)法等。在多种GaN的生产技术中，HVPE是一种比较经典的常压热壁化学气相沉积技术，其生长速率较快，一般可以达到300μm/h，生长工艺较为简单，可以生长较厚的GaN层等显著优点，十分适合制备自支撑氮化物衬底材料。氢化物气相外延设备为化合物生长工艺设备，主要用于在高温环境下通过如H2、HCl等氢化物气体，使衬底表面外延生长一层如GaAs、GaN等的厚膜或晶体。由于H2、HCl等氢化物气体都是危险气体，需要密封在HVPE设备的石英管中，一旦泄露，将造成严重后果然而，一般应用于HVPE设备中的石英镓舟，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镓舟支撑结构，其特征在于，所述镓舟支撑结构至少包括：反应腔、设置在所述反应腔内壁上的支撑环以及固定在所述支撑环上的镓舟本体；所述镓舟本体包括镓舟腔体和气体流出管，所述气体流出管通过所述镓舟腔体底部与所述镓舟腔体连通；所述镓舟腔体底部具有与所述支撑环固定连接的支撑架，所述支撑架上设置有多个气体流通孔。

【技术特征摘要】
1.一种镓舟支撑结构，其特征在于，所述镓舟支撑结构至少包括：反应腔、设置在所述反应腔内壁上的支撑环以及固定在所述支撑环上的镓舟本体；所述镓舟本体包括镓舟腔体和气体流出管，所述气体流出管通过所述镓舟腔体底部与所述镓舟腔体连通；所述镓舟腔体底部具有与所述支撑环固定连接的支撑架，所述支撑架上设置有多个气体流通孔。2.根据权利要求1所述的镓舟支撑结构，其特征在于：所述反应腔和所述支撑环为一体结构。3.根据权利要求1所述的镓舟支撑结构，其特征在于：所述反应腔、支撑环以及镓舟本体均为石英材质。4.根据权利要求1所述的镓舟支撑结构，其特征在于：所述气体流出管一端与所述镓舟腔体底部连通，另一端穿过所述支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亮，
申请(专利权)人：镓特半导体科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31