化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法技术方案

为了提供改进的平坦化，根据本发明专利技术的实施例的技术包括CMP工作站，CMP工作站包括具有多个孔的支撑板。多个孔的孔具有由狭槽连接的第一开口和第二开口。本发明专利技术的实施例也公开了其他系统和方法。本发明专利技术的实施例还涉及化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法。

Chemical mechanical polishing head, chemical mechanical polishing system and method

In order to provide improved flatting, the technology of the embodiment of the present invention includes a CMP workstation, and the CMP workstation includes a support plate with a plurality of holes. A plurality of holes has a slot connected to the first and second openings. Other systems and methods are also disclosed in the embodiments of the invention. The embodiment of the invention also relates to a chemical mechanical polishing head, a chemical mechanical polishing system and a method.

【技术实现步骤摘要】
化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法
本专利技术的实施例涉及化学机械抛光头、化学机械抛光系统和方法。
技术介绍
在过去的四十年间，通过称为摩尔定律的关系已经增大了集成电路的密度。简言之，摩尔定律如是说，集成电路(IC)上的晶体管的数量几乎每18个月翻一倍。因此，只要半导体工业可以继续支持该简单的“定律”，IC在速度和功率方面几乎每18个月翻一倍。在很大程度上，IC的速度和功率上的该显著的增大已经迎来了当今的信息时代的曙光。不管人类的活动，自然规律保持适用，不像自然规律，摩尔定律仅在创新者克服了与之相关的技术挑战时才保持适用。创新者近几十年来作出的一个发展是使用化学机械抛光(CMP)来平坦化用于构建IC的层，从而帮助在IC上提供更精确地结构化的器件部件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种化学机械抛光(CMP)系统，包括：抛光头，适合于保持晶圆，其中，所述抛光头包括具有多个孔的支撑板，所述多个孔的孔具有由狭槽连接的第一开口和第二开口。本专利技术的另一实施例提供了一种与化学机械抛光(CMP)系统相关的抛光头，包括：保持环；以及支撑板，附接至所述保持环，其中，所述支撑板包括多个孔，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光(CMP)系统，包括：抛光头，适合于保持晶圆，其中，所述抛光头包括具有多个孔的支撑板，所述多个孔的孔具有由狭槽连接的第一开口和第二开口。

【技术特征摘要】
2016.07.08 US 15/205,3671.一种化学机械抛光(CMP)...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政杰，陈俊宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71