OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板技术

本发明专利技术公开了一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，所述方法包括：在衬底基板上形成TFT层；在TFT层表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一过孔，第一过孔使漏极露出；在第一绝缘层上形成金属阴极层，在金属阴极层上形成第二过孔；在金属阴极层上形成第二绝缘层，第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽；在第一沟槽内形成OLED层；在第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，阳极层覆盖OLED层，且通过第三过孔和第一过孔与漏极形成电连接，每一阳极电极对应一独立子像素单元。本发明专利技术能够显著降低压降，提高显示面板显示品质。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板
本专利技术涉及OLED显示领域，特别是涉及一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板。
技术介绍
有机发光二极体(OrganicLight-EmittingDiode,简称OLED)显示技术，具有自发光、广视角、响应速度快、低耗电等优点而得到广泛关注。有源矩阵有机发光二极体(Active-matrixorganiclightemittingdiode，简称AMOLED)显示面板是通过薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)驱动OLED发光。大尺寸高解析度有源矩阵有机发光二极体AMOLED显示面板开发方向为顶发射。图1是现有技术的OLED显示面板的剖面结构示意图，在TFT层上由下到上分别设置有阳极层103、OLED层102和阴极层101，阴极层101在OLED显示面板出光方向一侧，因此，阴极层101通常被由透明半导体材料而制成，但此阴极层101的阻抗很高，会有严重的压降产生，影响OLED显示面板的显示品质。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，能够显著降低压降，提高OLED显示面板显示品质。为解决上述主要技术问题，本专利技术提供一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成TFT层，所述TFT层包括源极、栅极和漏极；在所述TFT层表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一过孔，所述第一过孔使所述漏极露出；在所述第一绝缘层上形成金属阴极层，在所述金属阴极层上形成第二过孔，所述第二过孔位于所述第一过孔上方，所述第二过孔下表面宽度大于所述第一过孔上表面宽度；在所述金属阴极层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽，所述第三过孔位于所述第一过孔上方，所述第三过孔下表面宽度小于所述第二过孔下表面宽度；在所述第一沟槽内形成OLED层，所述OLED层具有独立的子像素单元；在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，所述阳极层覆盖所述OLED层，且通过所述第三过孔和所述第一过孔与所述漏极形成电连接，所述每一阳极电极对应一独立子像素单元。其中，所述在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层的步骤具体包括：在第二绝缘层上形成第三绝缘层，所述第三绝缘层上设有第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第三过孔和第一沟槽的上方，且所述第三过孔和第一沟槽位于所述第二沟槽内；在所述第二沟槽内喷墨打印制备阳极层。其中，所述阳极层的高度低于所述第三绝缘层的高度。其中，所述阳极层为透明阳极层。其中，所述透明阳极层使用纳米银或纳米铜材料制备。其中，所述在所述第一沟槽内形成OLED层的具体步骤包括：在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层。其中，所述在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层的步骤具体包括：在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层，使OLED层的高度低于第一沟槽的高度。其中，所述第二绝缘层使所述金属阴极层与所述阳极层之间形成间隔部。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，包括：衬底基板；和在所述衬底基板上依次形成的TFT层、第一绝缘层、金属阴极层、第二绝缘层、OLED层和具有独立的阳极电极的阳极层；其中，所述TFT层包括源极、栅极和漏极，所述OLED层具有独立的子像素单元，所述阳极层覆盖所述OLED层，且与所述漏极形成电连接，所述每一阳极电极对应一独立子像素单元。其中，所述OLED显示面板是通过以上所述的OLED显示面板的制备方法所制得。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术的OLED显示面板的制备方法，在第一绝缘层上先形成金属阴极层，保证阴极层为低电阻，在OLED层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，每一阳极电极对应一独立子像素单元，这种制备方法制备的OLED显示面板能够显著降低压降，提高OLED显示面板显示品质。附图说明图1是现有技术的OLED显示面板的剖面结构示意图；图2是本专利技术OLED显示面板的制备方法的一实施方式的流程示意图；图3是本专利技术形成OLED显示面板TFT层的一实施方式的剖面结构示意图；图4是本专利技术形成OLED显示面板第一绝缘层的一实施方式的剖面结构示意图；图5是本专利技术形成OLED显示面板第一过孔的一实施方式的剖面结构示意图；图6是本专利技术形成OLED显示面板金属阴极层的一实施方式的剖面结构示意图；图7是本专利技术形成OLED显示面板第二绝缘层的一实施方式的剖面结构示意图；图8是本专利技术形成OLED显示面板OLED层的一实施方式的剖面结构示意图；图9是本专利技术形成OLED显示面板的一实施方式的剖面结构示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本专利技术的较佳的实施方式，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是为了让公众对本专利技术的公开内容理解的更加清楚透彻。如图2所示，图2是本专利技术OLED显示面板的制备方法的一实施方式的流程示意图。本实施方式的OLED显示面板的制备方法包括以下步骤：步骤S201：在衬底基板上形成TFT层，TFT层包括源极、栅极和漏极。参阅图3，图3是本专利技术形成OLED显示面板TFT层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，先在衬底基板301上形成金属膜层后，将金属膜层刻蚀成栅极302，然后在栅极302的表面形成栅极绝缘层303，其中，栅极绝缘层303包括氮化硅SiNx，非晶氧化硅SiOx中的至少一种。在栅极绝缘层303上的形成有源层304,再在有源层304上形成以一沟道分隔开的源极和漏极305，最后在栅极302、源极和漏极305形成以后，在薄膜晶体管的表面形成刻蚀阻挡层306。刻蚀阻挡层306露出源极和漏极305，最终形成TFT层。上述方法是现有的一种形成TFT层的方法，还可以有其他实施方式来形成TFT层，在此不做限定。步骤S202：在TFT层表面形成第一绝缘层。参阅图4，图4是本专利技术形成OLED显示面板第一绝缘层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，在TFT层表面形成的第一绝缘层307材料为有机光阻材料。步骤S203：在第一绝缘层上形成第一过孔，第一过孔使漏极露出。参阅图5，图5是本专利技术形成OLED显示面板第一过孔的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，利用光罩对第一绝缘层307进行曝光处理，并利用显影液进行显影，以在第一绝缘层307上形成第一过孔3071，第一过孔3071使漏极305露出。应理解，本专利技术并不限定第一绝缘层307材料为有机光阻材料，还可以是其他材料层，只要能够形成绝缘层即可。步骤S204：在第一绝缘层上形成金属阴极层，在金属阴极层上形成第二过孔，第二过孔位于第一过孔上方，第二过孔下表面宽度大于第一过孔上表面宽度。参阅图6，图6是本专利技术形成OLED显示面板金属阴极层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，在第一绝缘层307上的金属阴极层308是通过溅射一层金属形成的，在金属阴极层308上涂布一层光阻材料(图中未标示出来)，利用光罩对第一过孔3071上方的金属阴极层308表面的光阻层进行曝光处理，并利用显影液进行显影，再利用蚀刻工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成TFT层，所述TFT层包括源极、栅极和漏极；在所述TFT层表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一过孔，所述第一过孔使所述漏极露出；在所述第一绝缘层上形成金属阴极层，在所述金属阴极层上形成第二过孔，所述第二过孔位于所述第一过孔上方，所述第二过孔下表面宽度大于所述第一过孔上表面宽度；在所述金属阴极层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽，所述第三过孔位于所述第一过孔上方，所述第三过孔下表面宽度小于所述第二过孔下表面宽度；在所述第一沟槽内形成OLED层，所述OLED层具有独立的子像素单元；在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，所述阳极层覆盖所述OLED层，且通过所述第三过孔和所述第一过孔与所述漏极形成电连接，所述每一阳极电极对应一独立子像素单元。

【技术特征摘要】
1.OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成TFT层，所述TFT层包括源极、栅极和漏极；在所述TFT层表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一过孔，所述第一过孔使所述漏极露出；在所述第一绝缘层上形成金属阴极层，在所述金属阴极层上形成第二过孔，所述第二过孔位于所述第一过孔上方，所述第二过孔下表面宽度大于所述第一过孔上表面宽度；在所述金属阴极层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽，所述第三过孔位于所述第一过孔上方，所述第三过孔下表面宽度小于所述第二过孔下表面宽度；在所述第一沟槽内形成OLED层，所述OLED层具有独立的子像素单元；在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，所述阳极层覆盖所述OLED层，且通过所述第三过孔和所述第一过孔与所述漏极形成电连接，所述每一阳极电极对应一独立子像素单元。2.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层的步骤具体包括：在第二绝缘层上形成第三绝缘层，所述第三绝缘层上设有第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第三过孔和第一沟槽的上方，且所述第三过孔和第一沟槽位于所述第二沟槽内；在所述第二沟槽内喷墨打印制备阳极层。3.根据权利要求2所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述阳极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44