半导体功率器件以及组装半导体功率器件的方法技术

提供了一种半导体功率器件和一种组装这样的器件的方法。半导体功率器件包括第一衬底、第二衬底和互连结构。第一衬底包括一个开关半导体元件、第一导电层和第一接收元件。第二衬底包括第二接收元件和第二导电层。互连结构提供第一导电层和第二导电层之间的电气连接。互连结构还包括由导电材料制成的多个互连元件。多个互连元件中的至少一个是对准互连元件。对准互连元件被第一接收元件部分地接收且被第二接收元件部分地接收，用于对准第一衬底相对于第二衬底的相对位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体功率器件以及组装半导体功率器件的方法
本专利技术涉及半导体功率器件。功率器件能够开关相对高的电流和/或相对高的电压。这样的电流可以是在一到几百安培的量级上，并且这样的电压可以是在几百到几千伏特的量级上。本专利技术还涉及组装半导体功率器件。
技术介绍
公开专利申请US7859079B2公开了一种包括至少两个衬底的开关功率半导体器件，所述公开专利申请通过引用方式纳入。所述衬底被布置成彼此大体上平行。所述衬底的表面和布置在所述衬底上的半导体元件的表面可以包括电极。一个子组的电极面向彼此，并且电气连接被提供在它们之间。在一个实施方案中，所述电气连接通过置于两个电极之间并且被焊接到所述电极的铜球来提供。在另一实施方案中，焊料或引线的滴形元件被设置在两个电极之间。在又一实施方案中，焊料或引线的滴形元件被设置在所述衬底中的一个的电极上，并且铜球被置于所述滴形元件和所述衬底中的另一衬底的电极之间。所述铜球和/或所述滴形元件具有的尺寸适于电极(所述铜球和/或所述滴形元件置于所述电极)之间所需的距离，使得所述两个衬底被布置成彼此大体上平行。所述铜球和/或所述滴形元件提供所述两个衬底的不同电元件之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率器件(100，200，400)，包括：‑第一衬底(140，240，340)，所述第一衬底(140，240，340)包括一个开关半导体元件(144，244，344)，所述第一衬底(140，240，340)具有第一表面(141，241，341)且包括第一接收元件(150，250，350)并且局部地包括第一导电层(142，146，246，242，342，345)，所述开关半导体元件(144，244，344)被设置在所述第一表面(141，241，341)上，‑第二衬底(110，210，310)，所述第二衬底(110，210，310)包括面向所述第一表面(141，241，341)的第二表面...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体功率器件(100，200，400)，包括：-第一衬底(140，240，340)，所述第一衬底(140，240，340)包括一个开关半导体元件(144，244，344)，所述第一衬底(140，240，340)具有第一表面(141，241，341)且包括第一接收元件(150，250，350)并且局部地包括第一导电层(142，146，246，242，342，345)，所述开关半导体元件(144，244，344)被设置在所述第一表面(141，241，341)上，-第二衬底(110，210，310)，所述第二衬底(110，210，310)包括面向所述第一表面(141，241，341)的第二表面(111，211，311)，所述第二衬底(110，210，310)包括第二接收元件(120，220，320)并且局部地包括第二导电层(112，116，212，216，312...318)；以及-互连结构，用于提供位于一侧的所述第一导电层(142，146，246，242，342，345)中的至少一个和位于另一侧的所述第二导电层(112，116，212，216，312…318)中的至少一个之间的至少一个电气连接，所述互连结构包括具有导电材料的多个互连元件(130，132，230，232，332，332’，430)，所述多个互连元件中的至少一个是对准互连元件(130，230，430)，所述对准互连元件(130，230，430)被所述第一接收元件(150，250，350)部分地接收并且被所述第二接收元件(120，220，320)部分地接收，用于对准所述第一衬底(140，240，340)相对于所述第二衬底(110，210，310)的相对位置，其中所述接收元件(120，150，220，250，320，350)具有一个凹口，所述凹口被成形为用于至少部分地接收所述对准互连元件(130，230，430)，并且所述对准互连元件(130，230，430)的形状被选择为使得，当所述接收元件(120，150，220，250，320，350)和所述对准互连元件(130，230，430)中的相应的一个作用于彼此并且当所述对准互连元件(130，230，430)或所述接收元件(120，150，220，250，320，350)中的相应的一个接收到力时，影响所述对准互连元件(130，230，430)相对于所述接收元件(120，150，220，250，320，350)中的每个接收元件定位到唯一固定的位置。2.根据权利要求1所述的半导体功率器件(100，200，400)，其中所述第一衬底(140，240，340)包括多个第一接收元件(150，250，350)，所述第二衬底(110，210，310)包括多个第二接收元件(120，220，320)，并且所述互连元件(130，132，230，232，332，332’，430)包括多个对准互连元件(130，230，430)，所述多个对准互连元件(130，230，430)中的每个相应的对准互连元件被所述第一接收元件(150，250，350)中的对应的一个第一接收元件部分地接收且被所述第二接收元件(120，220，320)中的对应的一个第二接收元件部分地接收，用于对准所述第一衬底(140，240，340)相对于所述第二衬底(110，210，310)的相对位置。3.根据权利要求2所述的半导体功率器件(100，200，400)，其中所述第一衬底(140，240，340)包括至少三个第一接收元件(150，250，350)、至少三个第二接收元件(120，220，320)和至少三个对准互连元件(130，230，430)。4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体功率器件(100，200，400)，其中所述第一接收元件(150，250，350)和所述第二接收元件(120，220，320)中的至少一个分别是位于所述第一导电层(142，146，246，242，342，345)中的一个以及位于所述第二导电层(112，116，212，216，312...318)中的一个中的孔或凹口。5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体功率器件(100，200，400)，其中存在以下中的至少一个：-所述第一接收元件(150，250，350)被电联接到所述第一导电层(142，146，246，242，342，345)中的一个，-所述第二接收元件(120，220，320)被电联接到所述第二导电层(112，116，212，216，312…318)中的一个；以及-所述对准互连元件(130，230，430)被电...

【专利技术属性】
技术研发人员：JM·F·雷尼斯，J·P·H·法夫雷，R·A·拉卡班尼，
申请(专利权)人：敏捷电源开关三维集成APSI三D，
类型：发明
国别省市：法国,FR