一种应力传感器结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种应力传感器结构及其制作方法，其中所述应力传感器结构包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。通过在第一电极和第二电极外加电压的方式所测得的电阻可以用于表征TSV结构的应力，尤其是轴向应力，进而该应力传感器可以用于测量TSV结构的应力。

【技术实现步骤摘要】
一种应力传感器结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种应力传感器结构及其制作方法。
技术介绍
硅通孔互连(英文全称：ThroughSiliconVia，简称：TSV)技术是实现芯片各层垂直互连的先进封装技术。通过垂直互连，可缩短信息流通的距离，提高芯片工作频率，降低芯片功耗、提高芯片封装集成度。TSV结构已经在成像传感器、高速逻辑存储芯片、多核处理器等方面得到广泛应用。典型的TSV结构是通过导电金属柱(如铜柱)穿通衬底(如硅片)连接芯片各层。一方面，由于导电金属和衬底的热膨胀系数差异较大；另一方面，受TSV结构的制作工艺的影响，TSV结构会有较大的热应力。较大热应力会显著影响集成电路芯片的性能，例如单晶硅部分晶向的载流子迁移率是应力的函数；较大热应力也会对TSV结构的可靠性产生严重的影响。因此，测量TSV结构的应力，并研究TSV结构的制作工艺对热应力的影响是提高集成电流芯片性能及可靠性的重要方法。中国专利文献(CN104724662A)公开了一种多晶硅应力传感器及其制作方法。该方法先在硅衬底表面形成具有第一深度的硅孔结构；然后在硅衬底表面及硅孔结构表面形成的第一阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应力传感器结构，其特征在于，包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。

【技术特征摘要】
1.一种应力传感器结构，其特征在于，包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。2.根据权利要求1所述的应力传感器结构，其特征在于，所述第一压阻层与所述衬底之间还包括第一绝缘层。3.根据权利要求1所述的应力传感器结构，其特征在于，在所述第二压阻层朝向所述盲孔的一侧还设置有第三绝缘层。4.根据权利要求3所述的应力传感器结构，其特征在于，所述盲孔中填充有导电金属。5.一种应力传感器结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底的第一表面形成盲孔；在所述盲孔的侧壁上形成第一压阻层；在所述第一压阻层表面形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的底部高于所述第一压阻层的底部；在所述盲孔的侧壁上形成第二压阻层，所述第二压阻层与所述第一压阻层的底部连接；所述衬底的第一表面设置与所述第一压阻层连接的第一电极，并在所述衬底的第一表面设置与所述第二压阻层连接的第二电极。6.根据权利要求5所述的应力传感器结构的制作方法，其特征在于，所述在...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹雯，杨恒，豆传国，张文奇，林挺宇，曹立强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32