温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种应力传感器结构及其制作方法,其中所述应力传感器结构包括:衬底;盲孔,设置在所述衬底的第一表面;第一压阻层和第二压阻层,设置于所述盲孔侧表面,所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接;所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种应力传感器结构及其制作方法,其中所述应力传感器结构包括:衬底;盲孔,设置在所述衬底的第一表面;第一压阻层和第二压阻层,设置于所述盲孔侧表面,所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接;所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有...