基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置包括：腔室；设置于所述腔室底部的基座；设置于所述基座上的腔室盖；第一源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；第二源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；以及第一吹扫气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射吹扫气体。所述第一吹扫气体喷射器设置于所述第一源气体喷射器和第二源气体喷射器之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置及基板处理方法
本专利技术涉及一种基板处理装置，更特别地，涉及使用一个或多个气体喷射器用于在基板上形成薄膜的基板处理装置。另外，本专利技术涉及一种利用本专利技术的基板处理装置在形成有超微图案的基板上形成均匀和致密薄膜的基板处理方法。
技术介绍
通常，为了制造太阳能电池(SolarCell)、半导体元件、平板显示设备等，需要在基板表面上应形成规定的薄膜层、薄膜电路图案、或光学图案。为此，执行半导体制造工艺，并且半导体制造工艺的实例包括将具有特定材料的薄膜沉积于基板上的薄膜沉积工序，通过使用感光材料选择性暴露薄膜的感光工序，去除选择性暴露部分的薄膜以形成图案的蚀刻工序等。这样的半导体制造工艺在基板处理装置内执行，这种基板处理装置基于为相应工序的最佳环境而设计，并且近来，大量使用用于执行基于等离子的沉积或蚀刻处理的基板处理装置。基于等离子的基板处理装置的实例包括：通过使用等离子形成薄膜的PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition：等离子增强的化学气相沉积)装置，以及用于对薄膜蚀刻和形成图案的等离子蚀刻装置等。在现有的半导体制造工艺和装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室；基座，设置于所述腔室的底部，至少一个基板安置于该基座上；腔室盖，设置于所述基座上部；第一源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；第二源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；以及第一吹扫气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射吹扫气体，所述第一吹扫气体喷射器设置于所述第一源气体喷射器和第二源气体喷射器之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.28 KR 10-2015-0059987;2016.04.15 KR 10-2011.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室；基座，设置于所述腔室的底部，至少一个基板安置于该基座上；腔室盖，设置于所述基座上部；第一源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；第二源气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射源气体；以及第一吹扫气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射吹扫气体，所述第一吹扫气体喷射器设置于所述第一源气体喷射器和第二源气体喷射器之间。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述源气体包括含硅(Si)气体、含钛(Ti)前体、锆(Zr)、铝(Al)、铪(Hf)、以及钽(Ta)中的任意一种。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，设置于所述腔室盖中的所述第一源气体喷射器、所述第二源气体喷射器、所述第一吹扫气体喷射器以所述腔室盖的中心部为基准朝向外周部的方向设置成放射状。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，设置于所述腔室盖中的所述第一源气体喷射器和所述第一吹扫气体喷射器之间的中心部位置处的间隔，短于所述第一源气体喷射器和所述第一吹扫气体喷射器之间的外周部位置处的间隔。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括：第二吹扫气体喷射器以及第三吹扫气体喷射器，设置于所述腔室盖中，用于喷射吹扫气体。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，第二吹扫气体喷射器或第三吹扫气体喷射器的气体喷射区域宽于所述第一吹扫气体喷射器的气体喷射区域。7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，第二吹扫气体喷射器或第三吹扫气体喷射器的气体喷射流量大于所述第一吹扫气体喷射器的气体喷射流量。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩泰晟，姜大凤，郭在灿，金卡兰，金斗荣，徐东源，李相斗，李圣光，赵炳夏，千东硕，黃喆周，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR