【技术实现步骤摘要】
一种数据存储方法和装置
本申请涉及数据存储领域,尤其涉及一种数据存储方法和装置。
技术介绍
非易失性存储器(Non-VolatileMemory,NVM)是指断电时不会丢失存储的内容的一类存储器,包括闪存(FlashMemory)、铁电介质存储器(FRAM或FeRAM)、磁介质存储器(MRAM)等。在数据存储在非易失性存储器的过程中,可能会因为非易失性存储器的存储单元被损坏或存储单元中的原数据未被事先清除而发生错误,所以可以采用ECC(ErrorCheckingandCorrection,错误检查和纠正)码对产生错误的数据进行纠正。在存储方式上,ECC码和数据一起存储在非易失性存储器的最小读写单元中,即每个最小读写单元都存储有数据和ECC码,数据和ECC码以一定的规律进行存储。以NAND闪存为例,NAND的最小读写单元为页(page),假设在一页中存储有16KByte数据和2KByteECC码,那么存储的形式可以是每存储4KByte数据,存储0.5KByteECC码(参见图1),或者,每存储8KByte数据,存储1KByteECC码(参见图2)。存储数据一般采用地 ...
【技术保护点】
一种数据存储方法,其特征在于,所述方法包括:获取非易失性存储器的第一存储空间的初始存储地址;从所述第一存储空间的初始存储地址开始计数并存储第一数据,每存储一个所述第一数据,均在存储该第一数据对应的存储地址上加1;所述第一存储空间的比特数大于所述第一数据的比特数;当计数达到预设次数时,将存储地址加预设数目,得到第二存储空间中的预设存储地址,以从所述第二存储空间中的预设存储地址开始计数并存储第二数据,第一存储空间中存储地址的标识和第二存储空间中存储地址的标识不同。
【技术特征摘要】
1.一种数据存储方法,其特征在于,所述方法包括:获取非易失性存储器的第一存储空间的初始存储地址;从所述第一存储空间的初始存储地址开始计数并存储第一数据,每存储一个所述第一数据,均在存储该第一数据对应的存储地址上加1;所述第一存储空间的比特数大于所述第一数据的比特数;当计数达到预设次数时,将存储地址加预设数目,得到第二存储空间中的预设存储地址,以从所述第二存储空间中的预设存储地址开始计数并存储第二数据,第一存储空间中存储地址的标识和第二存储空间中存储地址的标识不同。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一数据包括第一待存储数据和第一ECC码;和/或,所述第二数据包括第二待存储数据和第二ECC码。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一存储空间为所述非易失性存储器的最小读写单元中的其中一个子空间;和/或,所述第二存储空间为所述非易失性存储器的所述最小读写单元中的另外一个子空间。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一存储空间为所述非易失性存储器的其中一个最小读写单元;和/或,所述第二存储空间为所述非易失性存储器的另外一个最小读写单元。5.根据权利要求1至4任意一项所述的方法,其特征在于,所述预设数目至少为所述第一存储空间的比特数与所述第一数据的比特数之差。6.一种数据存储装置,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:鲁岩,付祥,曹华敏,刘冰燕,张黄鹏,王颀,
申请(专利权)人:长江存储科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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