蓝宝石基光纤F‑P温度压力复合传感器及其制备方法技术

技术编号:17003464 阅读:70 留言:0更新日期:2018-01-11 01:16
本发明专利技术属于微机电系统(MEMS)领域,尤其涉及一种微型高温温度压力复合MEMS传感器。该传感器主要包括蓝宝石基底1,蓝宝石中间层2,蓝宝石敏感膜片3及光纤4;所述具有中心通孔结构的蓝宝石中间层2,与蓝宝石基底1和蓝宝石敏感膜片3构成一密闭真空腔,即测压F‑P腔5,用于测量被测压力;蓝宝石基底1的上下表面构成测温F‑P腔6,用于测量被测温度;在蓝宝石基底1下方,有位置与测压F‑P腔5、测温F‑P腔6中心位置相对应的光纤4,用于测量由于被测压力和被测温度变化引起的光谱变化,即测压F‑P腔5和测温F‑P腔6的腔长变化。

【技术实现步骤摘要】
蓝宝石基光纤F-P温度压力复合传感器及其制备方法(一)
本专利技术属于微机电系统(MEMS)领域,尤其涉及一种微型高温温度压力复合MEMS传感器。(二)
技术介绍
随着我国军事与经济战略的需求与发展,高温环境下的压力、温度等测试技术在航空航天、石油化工、汽车工业等国家重大工程应用中具有迫切需求。基于MEMS技术的温度压力复合传感器,由于其体积小、响应快、对流场干扰小以及可实现温度与压力参数的定点以及阵列化测量,为航空发动机等高焓流场环境的测量提供了重要手段。目前,温度与压力复合传感器主要是采用MEMS工艺将温度与压力敏感模块集成在单个芯片上。专利CN105424090A研制的压阻式温度压力复合传感器,采用硅作为应变电阻和热敏电阻,采用铝或铝硅作为引线,因此,该传感器在高温环境下易出现电阻、导线失效以及高温引起的传感器温漂严重等问题,难以满足高温测量需求;专利CN102221429A采用单晶硅作为应变电阻,金属铂作为热敏电阻,复合传感器的工作温度得到了一定的提升。然而,该复合传感器结构过于复杂,且无法满足400℃以上高温环境下的温度压力测试需求。基于光纤测量的传感器具有高可靠性、耐高温本文档来自技高网...
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【技术保护点】
蓝宝石基光纤F‑P温度压力复合传感器,其特征在于:主要包括蓝宝石基底1,蓝宝石中间层2,蓝宝石敏感膜片3及光纤4;所述蓝宝石中间层2具有中心通孔结构,与蓝宝石基底1和蓝宝石敏感膜片3构成一密闭真空腔,即测压F‑P腔5,用于测量被测压力;蓝宝石基底1的上下表面构成测温F‑P腔6,用于测量被测温度;在蓝宝石基底1下方,有位置与测压F‑P腔5、测温F‑P腔6中心位置相对应的光纤4,用于测量由于被测压力和被测温度变化引起的光谱变化,即测压F‑P腔5和测温F‑P腔6的腔长变化。

【技术特征摘要】
1.蓝宝石基光纤F-P温度压力复合传感器,其特征在于:主要包括蓝宝石基底1,蓝宝石中间层2,蓝宝石敏感膜片3及光纤4;所述蓝宝石中间层2具有中心通孔结构,与蓝宝石基底1和蓝宝石敏感膜片3构成一密闭真空腔,即测压F-P腔5,用于测量被测压力;蓝宝石基底1的上下表面构成测温F-P腔6,用于测量被测温度;在蓝宝石基底1下方,有位置与测压F-P腔5、测温F-P腔6中心位置相对应的光纤4,用于测量由于被测压力和被测温度变化引起的光谱变化,即测压F-P腔5和测温F-P腔6的腔长变化。2.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:马志波苑伟政
申请(专利权)人:西北工业大学
类型:发明
国别省市:陕西,61

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