一种热插拔电路、接口电路及电子设备制造技术

本发明专利技术提供一种热插拔电路、接口电路及电子设备，所述热插拔电路包括：第一级保护单元，用于消耗并吸收热插拔瞬间产生的瞬态高压尖峰脉冲；及第二级保护单元，与所述第一级保护单元并联，用于当经过所述第一级保护单元消耗吸收后的剩余瞬态高压尖峰脉冲大于预设电压时，消耗并吸收所述剩余瞬态高压尖峰脉冲的同时，对其两端的电压进行钳位。通过本发明专利技术所述热插拔电路、接口电路及电子设备，解决了现有X射线平板探测器在热插拔过程中烧毁后级电路中器件，造成所述X射线平板探测器无法正常工作的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种热插拔电路、接口电路及电子设备
本专利技术属于X射线平板探测器领域，特别是涉及一种热插拔电路、接口电路及电子设备。
技术介绍
X射线探测器经历了百年的发展，由传统的胶片式逐渐发展至当今的数字式，这其中又经历了CR探测器、CCDX射线探测器、CCD拼接式X射线探测器以及目前最为主流的X射线平板探测器。X射线平板探测器可以捕获X光，将被测物体的X射线影像转变为数字图像以便于查看、分析、存储以及传播，其被广泛应用于医疗、生物、材料和工业检测等领域。X射线平板探测器可分为直接成像式和间接成像式两种，直接成像式探测器直接将X射线转变为电信号，而间接成像式探测器结构由闪烁材料或荧光材料层、具有光电二极管作用的非晶硅层以及TFT阵列构成，先采用一层闪烁体或荧光材料将X射线变为可见光，再由可见光探测器将其转变为电信号。在获取电信号后，探测器通过滤波、放大以及模数转换后，将数据按照一定的格式传送给计算机进行显示和存储。由于X射线平板探测器在使用过程中，需要对其进行供电，而现有X射线平板探测器的外部电源线在热插拔(即带电插拔)的瞬间，存在尖峰脉冲电压，连续多次热插拔之后，瞬态尖峰脉冲电压可能会超出后级电路中器件的耐压阈值，进而烧毁X射线平板探测器后级电路中的器件，从而使X射线平板探测器无法正常工作。鉴于此，有必要设计一种新的热插拔电路、接口电路及电子设备用以解决上述技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种热插拔电路、接口电路及电子设备，用于解决现有X射线平板探测器在热插拔过程中烧毁后级电路中器件，造成所述X射线平板探测器无法正常工作的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种热插拔电路，所述热插拔电路包括：第一级保护单元，用于消耗并吸收热插拔瞬间产生的瞬态高压尖峰脉冲；及第二级保护单元，与所述第一级保护单元并联，用于当经过所述第一级保护单元消耗吸收后的剩余瞬态高压尖峰脉冲大于预设电压时，消耗并吸收所述剩余瞬态高压尖峰脉冲的同时，对其两端的电压进行钳位。优选地，所述第一级保护单元包括多个并联电阻，所述多个并联电阻的一端与所述第二级保护单元连接，所述多个并联电阻的另一端与第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地。优选地，多个并联电阻中每个电阻的阻值为1Ω～5Ω，且多个并联电阻的等效阻值为1Ω～5Ω。优选地，并联电阻的个数为2～3个。优选地，所述第一级保护单元包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第二级保护单元连接，所述第一电阻的另一端与第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地。优选地，所述第一电阻的阻值为1Ω～5Ω。优选地，所述第一电容的容值为5μF～20μF。优选地，所述第二级保护单元包括一TVS管，所述TVS管的负极与所述第一级保护单元连接，所述TVS管的正极与第二电容的一端连接，所述第二电容的另一端接地，其中，所述预设电压为TVS管的反向击穿电压。优选地，所述第二电容的容值为20μF～50μF。本专利技术还提供一种接口电路，所述接口电路包括电源输入接口线，及并联于所述电源输入接口线上、如上述任一项所述的热插拔电路。本专利技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括如上所述的接口电路，及与所述接口电路连接的后级电路。优选地，所述电子设备包括X射线平板探测器。如上所述，本专利技术的一种热插拔电路、接口电路及电子设备，具有以下有益效果：1、本专利技术所述热插拔电路，对热插拔过程中产生的瞬态高压尖峰脉冲进行消耗并吸收，同时对后一级保护单元两端的电压进行钳位，实现保护后级电路的同时，实现可随意热插拔，延长了后级电路器件的寿命，降低了X射线平板探测器的使用风险。2、本专利技术所述热插拔电路通过将所述第一级保护单元和第二级保护单元并联设置，实现在所述第一级保护单元对所述瞬态高压尖峰脉冲消耗、吸收不够时，所述第二级保护单元能够及时对所述剩余瞬态高压尖峰脉冲进行消耗、吸收；并且在任一级保护单元出现故障时，另一级保护单元也能够及时对所述瞬态高压尖峰脉冲进行消耗、吸收，起到双重保护的作用。3、本专利技术所述热插拔电路结构简单，易实现，且成本较低。附图说明图1显示为本专利技术所述电子设备的一种结构示意图。图2显示为本专利技术所述电子设备的另一种结构示意图。元件标号说明10热插拔电路11第一级保护单元12第二级保护单元20电源输入接口线30后级电路具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1和图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1和图2所示，本实施例提供一种热插拔电路，所述热插拔电路包括：第一级保护单元11，用于消耗并吸收热插拔瞬间产生的瞬态高压尖峰脉冲；及第二级保护单元12，与所述第一级保护单元11并联，用于当经过所述第一级保护单元消耗、吸收后的剩余瞬态高压尖峰脉冲大于预设电压时，消耗并吸收所述剩余瞬态高压尖峰脉冲的同时，对其两端的电压进行钳位。作为一示例，如图1所示，所述第一级保护单元11包括第一电阻R1，所述第一电阻R1的一端与所述第二级保护单元12连接，所述第一电阻R1的另一端与第一电容C1的一端连接，所述第一电容C1的另一端接地。具体的，所述第一电阻R1的阻值为1Ω～5Ω，所述第一电容C1的容值为5μF～20μF。优选地，所述第一电阻R1的阻值为1Ω～3Ω，所述第一电容C1的容值为5μF～15μF。作为另一示例，如图2所示，所述第一级保护单元包括多个并联电阻，所述多个并联电阻的一端与所述第二级保护单元连接，所述多个并联电阻的另一端与第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地。具体的，多个并联电阻中每个电阻的阻值为1Ω～5Ω，且多个并联电阻的等效阻值为1Ω～5Ω；所述第一电容C1的容值为5μF～20μF。优选地，多个并联电阻的等效阻值为1Ω～3Ω；所述第一电容C1的容值为5μF～15μF。具体的，并联电阻的个数为2～3个；优选地，如图2所示，并联电阻的个数为3个，包括电阻Ra，Rb和Rc。优选地，在本实施例中，采用第一示例所述第一级保护单元的电路结构；其中所述第一电阻R1的阻值为2.7Ω；当然，在其它实施例中，所述第一电阻R1的阻值还可以为1Ω，1.35Ω，1.65Ω,1.95Ω，2.3Ω，2.5Ω或3Ω等；所述第一电容C1的容值为10μF；当然，在其它实施例中，所述第一电容C1的容值还可以为5μF，6μF，7μF，8μF，9μF，11μF，12μF，13μF，14μF或15μF等。作为示例，如图1和图2所示，所述第二级保护单元12包括一TVS管，所述TVS管的负极与所述第一级保护单元11连接，所述TVS管的正极与第二电容C2的一端连接，所述第二电容C2的另一端接地，其中，所述预设电压为TVS管的反向击穿电压。需要说明的是，在本实施例中，所述TVS管为单向T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热插拔电路，其特征在于，所述热插拔电路包括：第一级保护单元，用于消耗并吸收热插拔瞬间产生的瞬态高压尖峰脉冲；及第二级保护单元，与所述第一级保护单元并联，用于当经过所述第一级保护单元消耗吸收后的剩余瞬态高压尖峰脉冲大于预设电压时，消耗并吸收所述剩余瞬态高压尖峰脉冲的同时，对其两端的电压进行钳位。

【技术特征摘要】
1.一种热插拔电路，其特征在于，所述热插拔电路包括：第一级保护单元，用于消耗并吸收热插拔瞬间产生的瞬态高压尖峰脉冲；及第二级保护单元，与所述第一级保护单元并联，用于当经过所述第一级保护单元消耗吸收后的剩余瞬态高压尖峰脉冲大于预设电压时，消耗并吸收所述剩余瞬态高压尖峰脉冲的同时，对其两端的电压进行钳位。2.根据权利要求1所述的热插拔电路，其特征在于，所述第一级保护单元包括多个并联电阻，所述多个并联电阻的一端与所述第二级保护单元连接，所述多个并联电阻的另一端与第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地。3.根据权利要求2所述的热插拔电路，其特征在于，多个并联电阻中每个电阻的阻值为1Ω～5Ω，且多个并联电阻的等效阻值为1Ω～5Ω。4.根据权利要求2所述的热插拔电路，其特征在于，并联电阻的个数为2～3个。5.根据权利要求1所述的热插拔电路，其特征在于，所述第一级保护单元包括第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第二级保护单元连接，所述第一电阻的另一端与第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜婷，尤超勤，马扬喜，
申请(专利权)人：奕瑞影像科技太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32