基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法。该基板处理装置包括：工艺腔室；位于工艺腔室的内部空间以支撑基板的支撑构件；设置成与工艺腔室的内部连通的排气管线；向排气管线提供吸气压力的排气构件；以及控制器，该控制器用于将基板处理中执行的基板处理步骤划分为第一处理步骤和第二处理步骤时控制排气构件，排气构件在第一处理步骤中向排气管线提供的压力与排气构件在第二处理步骤中向排气管线提供的压力之间产生了差值。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
本公开涉及一种基板处理装置和一种基板处理方法。
技术介绍
为了制造半导体器件或液晶显示器，可以执行光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺、沉积工艺和清洗工艺等各种工艺。在这些工艺中，光刻工艺可在基板上形成所需的图案。在光刻工艺中，按顺序先后执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。涂覆工艺用于在基板上施加化学溶液；曝光工艺用于在涂覆的光刻胶薄膜上形成特定的图案；以及，显影工艺用于去除曝光的光刻胶薄膜中的无用的区域。
技术实现思路
本公开提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，用于有效地处理基板。本专利技术构思的实施例提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，能够缩短处理基板所需的时间。本专利技术构思的实施例提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法，能够提高基板处理质量。在示例性实施例中，基板处理装置包括：工艺腔室；支撑构件，该支撑构件位于工艺腔室的内部空间以支撑基板；排气管线，该排气管线设置成与工艺腔室内部连通；排气构件，该排气构件用于向排气管线提供吸气压力；以及控制器，该控制器用于将基板处理中执行的基板处理步骤划分为第一处理步骤和第二处理步骤时控制排气构件，排气构件在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室；支撑构件，所述支撑构件位于所述工艺腔室的内部空间以支撑基板；排气管线，所述排气管线设置成与所述工艺腔室的内部连通；排气构件，所述排气构件用于向所述排气管线提供吸气压力；以及控制器，所述控制器用于将基板处理中执行的基板处理步骤划分为第一处理步骤和第二处理步骤时控制所述排气构件，所述排气构件在所述第一处理步骤中向所述排气管线提供的压力与所述排气构件在所述第二处理步骤中向所述排气管线提供的压力之间产生了差值。

【技术特征摘要】
2016.06.24 KR 10-2016-00792391.一种基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室；支撑构件，所述支撑构件位于所述工艺腔室的内部空间以支撑基板；排气管线，所述排气管线设置成与所述工艺腔室的内部连通；排气构件，所述排气构件用于向所述排气管线提供吸气压力；以及控制器，所述控制器用于将基板处理中执行的基板处理步骤划分为第一处理步骤和第二处理步骤时控制所述排气构件，所述排气构件在所述第一处理步骤中向所述排气管线提供的压力与所述排气构件在所述第二处理步骤中向所述排气管线提供的压力之间产生了差值。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述支撑构件包括：加热器，所述加热器用于加热所述基板；以及升降销，所述升降销用于在装载和卸载所述基板时支撑所述基板，其中，在装载所述基板的过程中由所述升降销支撑所述基板，与此同时所述控制器控制所述加热器以开启所述加热器的运行。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制器在所述第二处理步骤中控制所述排气构件，使所述排气构件提供的主排气压力大于所述排气构件在所述第一处理步骤中提供的压力的平均值。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述控制器控制所述排气构件，使所述排气构件在所述第一处理步骤中提供副排气压力，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李基胜，朴昶昱，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR