一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置。所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型掺杂；二极管区域，位于所述半导体衬底中，所述二极管区域具有第二导电类型掺杂；第一离子注入层，所述第一离子注入层位于所述半导体衬底的表面并且覆盖所述二极管区域，所述第一离子注入层中注入有第一导电类型离子和第二导电类型离子。通过所述改变可以显著降低所述CMOS图像传感器的耗尽电压Vpin，同时不会降低像素满阱容量(FullWell Capacity,FWC)，解决了像素满阱容量(FullWell Capacity,FWC)和耗尽电压Vpin呈正比的增加的矛盾，显著提高了CMOS图像传感器的电子迁移率，有效改善拖影现象，提高了CMOS图像传感器的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种CMOS图像传感器及其制备方法和电子装置。
技术介绍
在半导体
中，图像传感器是一种能将光学图像转换成电信号的CMOS图像传感器。图像传感器大体上可以分为电荷耦合元件(CCD)和互补金属氧化物半导体图像传感器(CMOSImageSensor，CIS)。CCD图像传感器的优点是对图像敏感度较高，噪声小，但是CCD图像传感器与其他器件的集成比较困难，而且CCD图像传感器的功耗较高。相比之下，CMOS图像传感器由于具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点而逐渐取代CCD的地位。目前CMOS图像传感器被广泛应用于数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置(例如胃镜)、车用摄像装置等领域之中。目前在高速CIS像素设计中存在以下两个主要问题：第一由于曝光时间非常短，为了增加灵敏度需要很大的像素满阱容量(FullWellCapacity,FWC)。第二为电压因素包括耗尽电压Vpin以及浮置扩散的(FloatingDiffusion，FD)漂移，所述两种电压与耗尽电压Vp本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型掺杂；二极管区域，位于所述半导体衬底中，所述二极管区域具有第二导电类型掺杂；第一离子注入层，所述第一离子注入层位于所述半导体衬底的表面并且覆盖所述二极管区域，所述第一离子注入层中注入有第一导电类型离子和第二导电类型离子。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型掺杂；二极管区域，位于所述半导体衬底中，所述二极管区域具有第二导电类型掺杂；第一离子注入层，所述第一离子注入层位于所述半导体衬底的表面并且覆盖所述二极管区域，所述第一离子注入层中注入有第一导电类型离子和第二导电类型离子。2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一离子注入层中所述第一导电类型离子的注入能量为10-30Kev，注入剂量为2.5E13-3.5E13原子/cm3。3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一离子注入层中所述第二导电类型离子的注入能量为40-60Kev，注入剂量为1.5E12-2.5E12原子/cm3。4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述二极管区域的离子注入能量为400-600Kev，注入剂量为1.5E11-2.5E11原子/cm3。5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器还包括：MOS晶体管，位于所述半导体衬底上方并且部分地位于所述二极管区域的上方；第二离子注入层，所述第二离子注入层的一侧位于所述MOS晶体管的下方，所述第二离子注入层的另一侧覆盖或部分地覆盖所述二极管区域。6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器还包括：浮置扩散区，位于所述半导体衬底表面下方，部分所述浮置扩散区位于所述MOS晶体管的下方；第一导电类型阱区，位于所述半导体衬底中，以隔离所述二极管区域。7.一种CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑大燮，陈德艳，施雪捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11