用于至少一个对象的光学检测的检测器制造技术

提出了一种用于至少一个对象的光学检测的检测器。所述检测器包括：‑至少一个纵向光学传感器(114)，其中所述纵向光学传感器(114)具有至少一个传感器区域(130)，其中所述纵向光学传感器(114)被设计成以取决于通过光束(132)的所述传感器区域(130)的照射的方式生成至少一个纵向传感器信号，其中给定相同的照射总功率，所述纵向传感器信号呈现对所述传感器区域(130)中的所述光束(132)的束横截面的依赖性(130)，其中，所述纵向传感器信号由包括在所述传感器区域(130)中的至少一个半导体材料(134)生成，其中高阻材料存在于所述半导体材料(134)的表面的一部分上，其中所述高阻材料呈现等于或超过所述半导体材料(134)的电阻的电阻；以及‑至少一个评估装置(150)，其中所述评估装置(150)被设计成通过评估所述纵向光学传感器(114)的所述纵向传感器信号来生成关于所述对象(112)的纵向位置的至少一个信息项。因此，提供了用于精确确定空间中的至少一个对象的位置的简单且仍然有效的检测器。

A detector for optical detection of at least one object

A detector for optical detection of at least one object is proposed. The detector comprises at least one longitudinal optical sensor (114), wherein the longitudinal optical sensor (114) has at least one sensor area (130), wherein the longitudinal optical sensor (114) is designed to depend on the beam (132) of the sensor (130) of the region the irradiation generates at least one longitudinal sensor signal, which given the same total radiation power, the longitudinal sensor signal presented to the sensor region (130) of the beam (132) beam cross-section dependence (130), wherein, the longitudinal sensor signal by including in the the sensor (130) at least one of the semiconductor materials (134) generation, including high resistance material in the semiconductor material (134) part of the surface, wherein the material exhibits high resistance is equal to or exceeds the semiconductor material (134). The resistance of the resistor; and at least one evaluation device (150), wherein the evaluation device (150) is designed through the evaluation of the longitudinal optical sensor (114) of the longitudinal sensor signal to generate on the object (112) at least one information item of the longitudinal position. Therefore, a simple and still effective detector for accurately determining the position of at least one object in the space is provided.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于至少一个对象的光学检测的检测器
本专利技术涉及一种用于至少一个对象的光学检测的检测器，特别是用于确定至少一个对象的位置，特别是关于对象的深度或深度以及对象的宽度二者。此外，本专利技术涉及人机接口、娱乐装置、跟踪系统和相机。此外，本专利技术涉及一种用于光学检测至少一个对象的方法以及检测器的各种用途。这样的装置、方法和用途可以用于例如日常生活、游戏、交通技术、空间测图、生产技术、安全技术、医疗技术或科学领域的各个领域。然而，进一步的应用是可能的。
技术介绍
用于光学检测至少一个对象的各种检测器在光学传感器的基础上是已知的。WO2012/110924A1公开了一种包括至少一个光学传感器的检测器，其中光学传感器展现出至少一个传感器区域。这里，光学传感器被设计成以取决于传感器区域的照射的方式生成至少一个传感器信号。根据所谓的“FiP效应”，给出相同的照射总功率的传感器信号因此呈现对照射的几何形状的依赖性，特别是对传感器区域上的照射的光束横截面。检测器还具有至少一个评估装置，其被指定为从传感器信号生成至少一个几何信息项，特别是关于照射和/或对象的至少一个几何信息项。作为示例，光学传感器可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于至少一个对象(112)的光学检测的检测器(110)，包括：‑至少一个纵向光学传感器(114)，其中所述纵向光学传感器(114)具有至少一个传感器区域(130)，其中所述纵向光学传感器(114)被设计成以取决于光束(132)对所述传感器区域(130)的照射的方式生成至少一个纵向传感器信号，其中给定相同的照射总功率，所述纵向传感器信号呈现对所述传感器区域(130)中的所述光束(132)的束横截面的依赖性，其中所述纵向传感器信号由包括在所述传感器区域(130)中的至少一个半导体材料(134)生成，其中高阻材料存在于所述半导体材料(134)的表面的一部分处，其中所述高阻材料呈现等于或超过所述半...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.22 EP 15164653.61.一种用于至少一个对象(112)的光学检测的检测器(110)，包括：-至少一个纵向光学传感器(114)，其中所述纵向光学传感器(114)具有至少一个传感器区域(130)，其中所述纵向光学传感器(114)被设计成以取决于光束(132)对所述传感器区域(130)的照射的方式生成至少一个纵向传感器信号，其中给定相同的照射总功率，所述纵向传感器信号呈现对所述传感器区域(130)中的所述光束(132)的束横截面的依赖性，其中所述纵向传感器信号由包括在所述传感器区域(130)中的至少一个半导体材料(134)生成，其中高阻材料存在于所述半导体材料(134)的表面的一部分处，其中所述高阻材料呈现等于或超过所述半导体材料(134)的电阻的电阻；和-至少一个评估装置(150)，其中所述评估装置(150)被设计成通过评估所述纵向光学传感器(114)的所述纵向传感器信号来生成关于所述对象(112)的纵向位置的至少一个信息项。2.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中所述高阻材料通过边界、界面和/或结(190)中的至少一个与所述半导体材料(134)分离，和/或其中所述边界、所述界面和/或所述结(190)中的至少一个包括高阻材料。3.根据前述权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中所述半导体材料(134)以半导体层(136)的形式而提供，其中半导体层(136)包括两个相对的表面区域(160，162)。4.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中所述半导体层(136)包括半导体微晶针，其中所述针的至少一部分被垂直于所述半导体层(136)的所述表面区域(160，162)而定向。5.根据前述两项权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中所述半导体层(136)的两个所述表面区域(160，162)中的至少一个与高阻层(164)相邻，其中所述高阻层(164)的电阻超过相邻的所述半导体层(136)的电阻。6.根据前述三项权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中所述半导体层(136)的两个所述表面区域(160，162)中的至少一个与金属层相邻，其中，在所述半导体层(136)和相邻的所述金属层之间存在高阻耗尽区。7.根据前述五项权利要求中任一项所述的检测器(10)，其中，所述半导体材料(134)包括至少一个n型半导体材料(186)和至少一个p型半导体材料(188)，其中所述至少一个结(190)位于所述n型半导体材料(186)和所述p型半导体材料(188)之间。8.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中i型半导体材料位于在所述n型半导体材料(186)和所述p型半导体材料(188)之间的所述结(190)处。9.根据前述两项权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中多个结(190)位于所述半导体材料(134)内。10.根据前述三项权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中两个相邻结(190)由绝缘层(200)分开。11.根据前述八项权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中所述半导体层(136)嵌入在至少两个电极层(166，168)之间。12.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中跨所述两个电极层(166，168)施加偏置电压。13.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中所述偏置电压被配置为调整所述纵向传感器信号对所述传感器区域(130)中的所述光束(132)的所述束横截面的依赖性。14.根据前述三项权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中所述半导体层(136)的所述表面区域(160，162)中的一个与所述高阻层(164)相邻，并且所述半导体层(136)的所述表面区域(160，162)的另一个与所述电极层(166，168)中的一个相邻。15.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中所述高阻层(164)与所述电极层(166、168)中的另一个相邻。16.根据前述五项权利要求中任一项所述的检测器(110)，其中所述电极层(166，168)中的一个是分离电极(172)，其中所述分离电极(172)包括至少两个分开的部分电极(174，176)。17.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中，所述至少两个部分电极(174，176)被布置在中阻层(178)上的不同位置处，其中所述中阻层(178)与所述高阻层(164)相邻，其中所述中阻层(178)的电阻率超过所述部分电极(172)的电阻率但低于所述高阻层(164)的电阻率。18.根据前述权利要求所述的检测器(110)，其中所述至少两个部分电极(174、176)被施加在所述中阻层(178)的相同侧上。19.根据前述三项...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·森德，I·布鲁德，S·瓦鲁施，
申请(专利权)人：特里纳米克斯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE