一种深孔测量方法及装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种半导体存储器制造工艺过程中深孔测量方法和装置，所述方法包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例可以有效提高深孔测量的准确性和效率。

【技术实现步骤摘要】
一种深孔测量方法及装置
本申请实施例涉及半导体
，具体涉及一种半导体存储器制造工艺过程中深孔测量方法及装置。
技术介绍
在半导体
，深孔的弯曲程度和倾斜程度对后续工艺中深孔的填充、刻蚀均匀性具有显著影响。若深孔弯曲程度高、倾斜度大，会影响半导体器件的电学性能。因此，如何准确测量深孔的特性成为一个重要的问题。现有技术中，在测量深孔的弯曲度时，一般通过人眼判断深孔的纵向剖面电镜图，来比较深孔的弯曲度，进而统计弯曲的深孔的个数。申请人经过研究发现，现有技术提供的测量方法存在如下缺点：现有技术提供的方法是通过人眼判断、比较深孔弯曲的个数，存在无法量化定性、主观性强、不准确、效率较低的缺陷。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种深孔测量方法及装置，旨在解决现有技术深孔测量不准确、效率低的缺陷。为此，本申请实施例提供如下技术方案：本申请实施例的第一方面公开了一种深孔测量方法，包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例的第二方面公开了一种深孔测量装置，包括：图像处理单元，用于获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；中心点坐标确定单元，用于根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；基准中心线确定单元，用于选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；弯曲度计算单元，用于计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例的第三方面公开了一种用于深孔测量的装置，包括有存储器，以及一个或者一个以上的程序，其中一个或者一个以上程序存储于存储器中，且经配置以由一个或者一个以上处理器执行所述一个或者一个以上程序包含用于进行以下操作的指令：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例的第四方面，公开了一种机器可读介质，其上存储有指令，当由一个或多个处理器执行时，使得装置执行如第一方面所述的深孔测量方法。本申请实施例提供的深孔测量方法及装置，可以通过对深孔图像进行处理，获得离散化的深孔各边界点坐标，并根据深孔两侧的各边界点坐标计算得到各中心点坐标，并确定基准中心线，计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。本申请实施例通过对深孔图像的离散量化处理获得各边界点坐标，有效提高了计算精度。此外，本申请通过计算中心点坐标与基准中心线的偏离程度衡量深孔的弯曲度，得到更为准确的结果。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请一实施例提供的深孔测量方法流程；图2为本申请实施例提供的深孔横截面示意图；图3为本申请实施例提供的离散量化深孔边界示意图；图4为本申请实施例提供的深孔弯曲度计算方法示意图；图5为本申请一实施例深孔倾斜度示意图；图6为本申请另一实施例深孔弯曲度示意图；图7为本申请一实施例提供的深孔测量装置示意图；图8是根据一示例性实施例示出的一种用于深孔测量装置的框图。具体实施方式下面将参考若干示例性实施方式来描述本申请的原理和精神。应当理解，给出这些实施方式仅仅是为了使本领域技术人员能够更好地理解进而实现本申请，而并非以任何方式限制本申请的范围。相反，提供这些实施方式是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。申请人在研究本申请的过程中发现，现有技术提供的测量方法通过人眼判断、比较深孔弯曲的个数，无法实现量化定性，存在主观性强、不准确、效率低的缺陷。而深孔的特性会影响半导体器件性能，因此需要提供一种深孔测量方法及装置，以有效提高深孔测量的准确性和效率。在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。下面将结合附图1至附图6对本申请示例性实施例示出的深孔测量方法进行介绍。参见图1，为本申请一实施例提供的深孔测量方法流程图。如图1所示，可以包括：S101，获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。具体实现时，所述深孔图像可以包括一个或多个深孔。如图2所示，为本申请实施例提供的深孔横截面示意图。在一幅深孔横截面图像中，可以包括多个深孔。在一些实施方式中，在计算深孔弯曲度时，可以测量多个晶圆包含的深孔的弯曲度值。每个晶圆可以选取不同的测量位置，例如可以选取17个测量位置，每个测量位置测量多个深孔的弯曲度值。例如，每个测量位置测量10个深孔的弯曲度值。需要说明的是，当测量的深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系，以便于后续计算。下面以测量一个深孔的弯曲度值为例进行说明，测量多个深孔的实现可以参照测量一个深孔的实现而进行。在一些实施方式中，，所述获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标包括以下步骤：S101A，获取所述深孔图像的灰度图像。一般地，图像的边缘由图像灰度发生急剧变化的点组成。因此，若拍摄的深孔图像为彩色图像，可以先将其转换为灰度图像。S101B，对所述灰度图像进行降噪处理。具体实现时，可以采用现有技术提供的方法对灰度图像进行图像降噪处理，本申请对具体实现方式不进行限定，例如可以采用高斯滤波器进行降噪处理。S101C，所述降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理，获得所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。需要说明的是，对所述灰度图像进行降噪处理。具体实现时，对降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理可以采用sobel、canny等边缘算子提取边缘的方法，本申请对此不进行限定。在检测得到深孔边界后，即可以获得组成第一边界的各点坐标以及组成第二边界的各点坐标。其中，第一边界具体为深孔的左边界，第二边界具体为深孔的右边界。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深孔测量方法，其特征在于，包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。

【技术特征摘要】
1.一种深孔测量方法，其特征在于，包括：获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标；根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标；选取所述深孔顶部中心点作为第一基准中心点，选取所述深孔底部中心点作为第二基准中心点，根据第一基准中心点和第二基准中心点确定基准中心线；计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值具体通过以下公式：其中，T为弯曲度值，Xi为第i个中心点的横坐标，Xi′为基准中心线上第i个点的横坐标，n为中心点的个数。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：确定第一基准点对应的法线；计算所述法线与所述基准中心线的夹角值，作为所述深孔的倾斜度值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取深孔图像，对所述深孔图像进行处理得到所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标包括：获取所述深孔图像的灰度图像；对所述灰度图像进行降噪处理；对所述降噪处理后的灰度图像进行边缘检测处理，获得所述深孔第一边界各点的坐标以及第二边界各点的坐标。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述深孔第一边界各点的坐标和第二边界各点的坐标计算得到各中心点坐标具体通过以下公式：其中，Xi为第i个中心点的横坐标，XAi为第一边界上第i个点的横坐标，XBi为第二边界上第i个点的横坐标，i为正整数。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述深孔图像为多个，每个深孔图像包括多个深孔时，保存深孔图像、测量位置、晶圆之间的对应关系；所述计算各中心点坐标相对于所述基准中心线在水平方向上的偏离程度值作为所述深孔的弯曲度值包括：获取各测量位置对应的各深...

【专利技术属性】
技术研发人员：芈健，陈子琪，程强，陈世平，郭玉芳，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42