一种LED芯片制作方法技术

本发明专利技术公开一种LED芯片制作方法，包括如下步骤：S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延片；S102、将芯片固定在支架座上；S103、正面涂胶保护层；S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶；S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶；S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶；S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻；S108、镀膜，剥离，切割。本发明专利技术工艺步骤简单，易实施，成本低，且制作效率高。

A method of making LED chip

The invention discloses a manufacturing method of a LED chip, which comprises the following steps: S101 sedimentary facies and the production method of epitaxial films by metal organic chemical vapor; S102, the chip is fixed on the bracket seat; S103, positive glue protective layer; S104, the casting machine, expanding machine solid crystal, transparent electrode pattern; S105 go, corrosion, glue; S106, platform graphics lithography, dry etching, stripping; S107, annealing, SiO2 deposition, window graphics lithography; S108, coating, stripping, cutting. The invention has the advantages of simple process, easy implementation, low cost and high production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片制作方法
本专利技术涉及LED芯片制作
，尤其涉及一种LED芯片制作方法。
技术介绍
发光二极管简称为LED。由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。随着相关技术的发展，在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。但是，目前LED芯片的制作成本高，工艺过程复杂，效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种LED芯片制作方法，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种LED芯片制作方法，其包括如下步骤：S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延片；S102、将芯片固定在支架座上；S103、正面涂胶保护层；S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶；S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶；S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶；S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻；S108、镀膜，剥离，切割。特别地，所述步骤S108中退火之前还包括：SiO2腐蚀，去胶，N极图形光刻，预清洗，镀膜，剥离，退火，P极图形光刻。本专利技术提出的LED芯片制作方法工艺步骤简单，易实施，成本低，且制作效率高。附图说明图1为本专利技术实施例提供的LED芯片制作方法流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容，除非另有定义，本文所使用的所有技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，不是旨在于限制本专利技术。请参照图1所示，图1为本专利技术实施例提供的LED芯片制作方法流程图。本实施例中LED芯片制作方法具体包括如下步骤：S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延。S102、将芯片固定在支架座上。S103、正面涂胶保护层。S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶。S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶。S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶。S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻。S108、镀膜，剥离，切割。所述步骤S108中退火之前还包括：SiO2腐蚀，去胶，N极图形光刻，预清洗，镀膜，剥离，退火，P极图形光刻。本专利技术的技术方案工艺步骤简单，易实施，成本低，且制作效率高。注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延片；S102、将芯片固定在支架座上；S103、正面涂胶保护层；S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶；S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶；S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶；S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻；S108、镀膜，剥离，切割。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延片；S102、将芯片固定在支架座上；S103、正面涂胶保护层；S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶；S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶；S106、平台图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：许斌，
申请(专利权)人：许斌，
类型：发明
国别省市：江苏,32