改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺制造技术

本发明专利技术涉及太阳能电池片技术领域，尤其是一种改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺，采用PEVCD对硅片的背面进行镀膜，使用多段式镀膜，每段镀膜过程中的温度均从480‑520℃冷却到380‑420℃，本发明专利技术的改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺因采用了分段式温度递减的循环工艺方案，同时避免了背镀时硅片一直处于高温状态容易翘曲及反应温度持续太低对镀膜质量产生影响的问题，实现背镀后的硅片不易翘曲，且整体膜厚均匀，提高生产效率及后续正镀产能的提升。

【技术实现步骤摘要】
改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺
本专利技术涉及太阳能电池片
，尤其是一种改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺。
技术介绍
目前的太阳能电池
，高效电池技术应用不断进步，例如PERC等高效电池，其电池的转换效率不断的在提升，现有的电池片制备工艺中，通过在硅片上镀氧化铝后，首先进行背面氮化硅镀膜，然后再进行正面镀膜，按此工艺流程生产，由于背镀的膜厚胶厚，镀膜时间较长，硅片长时间处于高温状态下，背镀后的硅片容易发生翘曲，硅片发生弯曲后在做正镀时，容易发生掉片，且石墨舟个别卡点无法卡住片子，导致硅片无法与石墨舟完全贴合，造成较多正镀膜色差片，众所周知，直接降低反应温度可降低硅片的翘曲，但是因反应温度持续偏低会对膜厚均匀性及镀膜质量产生影响，会间接影响电池片功率，所以无法直接通过下调温度来改善硅片背镀时的翘曲。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：为了解决现有技术中硅片背镀时容易发生翘曲的问题，现提供一种改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺，该工艺通过循环降温反应，做到即可减少背镀后的片子弯曲度，同时不影响硅片整体镀膜质量。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺，采用PEVCD对硅片的背面进行镀膜，其特征在于：使用多段式镀膜，每段镀膜过程中的温度均从480‑520℃冷却到380‑420℃。

【技术特征摘要】
1.一种改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺，采用PEVCD对硅片的背面进行镀膜，其特征在于：使用多段式镀膜，每段镀膜过程中的温度均从480-520℃冷却到380-420℃。2.根据权利要求1所述的改善PERC高效电池片翘曲的背镀工艺，其特征在于：该背镀工艺的具体步骤包括：a、入炉：将插装好硅片的石墨舟送进炉腔，关闭炉门；b、升温：开启加热将炉腔内的温度提升至480-520℃；c、单段镀膜：炉腔停止加热，并通入SiN4和NH3，SiN4的流量为650-700sccm，NH3的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高鑫，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32