MEMS流量传感器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS流量传感器的制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面形成第二氧化硅层；在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层；在所述图形化导电金属层的上表面形成钝化保护层；在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘窗口；在所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中形成背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层对应。本发明专利技术能够增大MEMS流量传感器支撑膜薄厚度，提高器件可靠性。

The manufacturing method of MEMS flow sensor

The invention discloses a manufacturing method of a MEMS flow sensor, which belongs to the technical field of semiconductor devices, including: the surface layer of silicon SOI substrate to adjust the thickness of preset thickness, the preset thickness greater than 1 microns; by thermal oxidation of silicon surface in the SOI base layer is formed on the upper surface of the first silicon oxide layer. The silicon substrate layer of the SOI substrate under the surface to form a layer of silicon dioxide; conductive metal layer on the first silicon oxide layer is formed on the upper surface of the conductive metal layer in the graphics; the graphics is formed on the upper surface of the passivation layer; the passivation layer of the lead pad position forming lead wire welding the window plate formed on the silicon substrate; the back cavity layer of the SOI substrate and the second silicon oxide layer, wherein the back cavity with the location of the patterned conductive metal layer corresponding to. The invention can increase the thin thickness of the support membrane of the MEMS flow sensor and improve the reliability of the device.

【技术实现步骤摘要】
MEMS流量传感器的制造方法
本专利技术涉及半导体器件
，特别涉及一种MEMS流量传感器的制造方法。
技术介绍
与传统的热式质量传感器相比，微机电系统（MicroelectromechanicalSystems，MEMS）流量传感器具有成本低、功耗低、一致性高、可批量制造等优点。MEMS流量传感器通常需要采用支撑膜结构以降低加热功耗、提高灵敏度、避免与环境温度的交叉串扰。目前，通常采用化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition，CVD）生长SiO2层、Si3N4层或者其复合层作为支撑膜，受限于CVD生长物理化学机理，这种方法形成的支撑膜厚度通常不超过1微米，薄的支撑膜结构使得传感器结构强度减弱，容易破损。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种MEMS流量传感器的制造方法，以解决现有技术中MEMS流量传感器支撑膜薄的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案是：一种MEMS流量传感器的制造方法，包括以下步骤：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS流量传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面形成第二氧化硅层，所述第一氧化硅层作为电绝缘层和应力匹配层；在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层；在所述图形化导电金属层的上表面形成钝化保护层；在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘窗口；在所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中形成背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层对应。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS流量传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面形成第二氧化硅层，所述第一氧化硅层作为电绝缘层和应力匹配层；在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层；在所述图形化导电金属层的上表面形成钝化保护层；在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘窗口；在所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中形成背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层对应。2.如权利要求1所述的MEMS流量传感器的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述钝化保护层的上表面形成抗油抗水涂层。3.如权利要求1所述的MEMS流量传感器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层，具体包括：通过光刻工艺在所述第一氧化硅层的上表面形成第一图形化光刻胶层；在所述第一氧化硅层的上表面和所述第一图形化光刻胶层的上表面形成导电金属层；通过光刻剥离工艺去除所述第一图形化光刻胶层和所述第一图形化光刻胶层的上表面覆盖的所述导电金属层，形成图形化导电金属层。4.如权利要求1所述的MEMS流量传感器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层，具体包括：在所述第一氧化硅层的上表面形成导电金属层；通过光刻工艺在所述导电金属层的上表面形成第二图形化光刻胶层，露出导电金属层窗口；通过刻蚀工艺透过所述导电金属层窗口对所述导电金属层进行刻蚀，形成图形化导电金属层。5.如权利要求1所述的MEMS流量传感器的制造方法，其特征在于，所述在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旭辉，徐爱东，卞玉民，杨拥军，
申请(专利权)人：河北美泰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13