基于气相TMAH的硅刻蚀系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，包括：控制系统、传送系统、刻蚀系统和水冷系统；其中，水冷系统用于冷凝TMAH气体；刻蚀系统用于产生TMAH气体以及输送刻蚀气体至刻蚀腔体刻蚀硅片，刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度为高于TMAH沸点，使TMAH呈气态的状态下对硅进行刻蚀，并且实现了对硅片非刻蚀面上结构实现了有效的保护，保证了硅刻蚀工艺与以完成工艺之间的兼容性。传送系统用于传输以及清洗所刻蚀硅片；控制系统用于控制水冷系统、刻蚀系统、传送系统的协调工作。实验研究证明，该系统实现了硅高速刻蚀的同时得到了较为光滑刻蚀表面，以及达到了同干法刻蚀一样保护了非刻蚀面结构的效果。与此同时，气相刻蚀可以通过增大刻蚀腔体的气压以进一步提高刻蚀速率。

【技术实现步骤摘要】
基于气相TMAH的硅刻蚀系统
本专利技术属于半导体制造领域，具体是一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统。
技术介绍
MEMS（MicroEIectro-MechanicalSystem，微电子机械系统）技术是在半导体制造技术上发展起来的一种可批量制造微传感器、微执行器、信号处理和控制电路等于一体的制造技术。MEMS技术主要包含光刻、刻蚀、键合、薄膜生长、LIGA、硅微加工、非硅加工等工艺过程。硅刻蚀工艺是MEMS技术中的关键工艺，目前常用的刻蚀方式可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀主要使用KOH和TMAH（TetramethylammoniumHydroxide）等碱性溶液与硅发生化学反应，从而实现对硅的各向异性刻蚀。干法刻蚀主要采用ICP（InductivelyCoupledPlasma）、RIE（ReactiveIonEtching）、DRIE（DeepReactiveIonEtching）等技术对硅进行物理化学刻蚀，主要包括反应离子轰击刻蚀表面以及反应气体与刻蚀表面物质反应。干法刻蚀具有较好的线宽控制，很好的侧壁剖面控制；不过干法刻蚀存在对下层材料的刻蚀选择比较差、等离子体诱导损伤、成本较高等缺点。湿法刻蚀虽然成本较低，但是结构暴露于碱溶液中，存在各步工艺过程难以兼容的问题。尤其是在硅的深刻蚀过程中，以上两种刻蚀技术的缺点将进一步显现，同时还存在刻蚀表面质量较、均匀性较差的问题。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，该刻蚀系统采用一种介于湿法刻蚀和干法刻蚀之间的硅刻蚀技术，主要针对硅基MEMS器件的背腔深刻蚀工艺，可以实现低成本的同时能够很好的保证工艺的兼容性、良好的刻蚀表面、较高的刻蚀速率以及刻蚀均匀性，同时还实现了非刻蚀面结构的保护。本专利技术是采用如下技术方案实现的：一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，包括加热腔和刻蚀腔，所述加热腔顶面采用密封法兰密封，所述刻蚀腔顶面放置晶元夹具、并通过背面保护腔盖合密封；所述加热腔、刻蚀腔及背面保护腔壁外设置有加热丝和保温层。所述背面保护腔内安装背面保护腔温度传感器，所述刻蚀腔内安装刻蚀腔温度传感器和刻蚀腔压力传感器，所述加热腔内安装加热腔温度传感器和加热腔压力传感器。所述加热腔和刻蚀腔通过中间管路连通，即中间管路的上端由刻蚀腔底面伸入、并安装小锥形管，所述小锥形管位于刻蚀腔内晶元夹具的下方，中间管路的下端由密封加热腔的密封法兰伸入、并安装大锥形管，所述大锥形管位于加热腔内TMAH溶液上方；所述中间管路内依次安装刻蚀腔主阀和磁力泵。所述刻蚀腔通过气体回流管与冷凝腔进口连通，所述气体回流管内安装回流阀；所述冷凝腔出口连接液体回流管，所述液体回流管穿过密封法兰后伸入加热腔；所述液体回流管上连接尾气出口接口；所述冷凝腔通过冷却水进水管路和冷却水回水管路连接水冷机。所述冷凝腔进口通过分流管与位于中间管路上刻蚀腔主阀和磁力泵之间的空间连通，所述分流管上安装分流阀。所述冷凝腔进口通过溢流管与加热腔连通，所述溢流管上安装溢流阀。所述刻蚀腔通过氮气管路连接氮气源，所述氮气管路上安装氮气阀。加热腔内装入浓度高于25%的TMAH液体。打开背面保护腔，将晶元夹具放置在刻蚀腔顶面，然后将背面保护腔密封盖合在刻蚀腔上，夹具将背面保护腔和刻蚀腔分隔开。系统工作主要包括开机、初始化、送片、刻蚀、取片5个步骤。其中初始化主要完成各阀门的开关、加热各腔室使刻蚀系统达到相关温度气压要求；以满足下一步刻蚀条件。刻蚀过程主要分为刻蚀初始化以及刻蚀两个过程。刻蚀初始化主要完成刻蚀条件的准备，具体为调节加热丝的加热功率和各阀门的开度，以满足刻蚀所需的温度和压力条件。刻蚀过程主要包含刻蚀时间控制以及稳定刻蚀条件。在开机升温阶段，使用较大的加热功率加热TMAH溶液，并通过加热腔温度传感器和压力传感器实时监测加热腔内的温度和气压，通过对比实际温度与目标温度的差值调整加热功率，从而使温度稳定的升至目标温度；同时调节回流阀开度，使加热腔温度气压维持在一个相对稳定的状态。刻蚀腔温度主要通过调节刻蚀腔周围的加热丝加热功率来保证刻蚀所需温度（110℃-125℃）；刻蚀腔气压主要通过刻蚀腔压力传感器实测气压反馈到控制系统，控制系统通过调节刻蚀腔主阀、回流阀和分流阀开度以稳定刻蚀腔气压。系统稳定后，刻蚀腔内刻蚀温度为（高于TMAH沸点的）110℃-125℃；TMAH气体在磁力泵驱动下，在大锥形管作用下，TMAH气体均匀进入中间管路，通过刻蚀腔主阀进入刻蚀腔，在小锥形管作用下，TMAH气体均匀流出，对硅片进行刻蚀。待刻蚀结束后关闭刻蚀腔主阀，打开氮气阀，通过氮气管路通入氮气，使刻蚀腔内残留的TMAH气体被吹走，为打开刻蚀腔取片做准备。在刻蚀腔主阀门与磁力泵之间设置分流管路，用于将过量的气体通过冷凝系统流回加热腔，同时在刻蚀结束时需要关闭刻蚀腔主阀，过量的TMAH气体经分流管进入冷凝腔，经冷凝后回流加热腔。如果冷凝腔内的TMAH气体太多，则通过溢流管回流至加热腔内上部。加热腔和刻蚀腔分别设置有温度传感器和压力传感器，用于监测刻蚀腔和加热腔的温度和压强，将监测数据回传至控制中心，控制中心通过对数据进行处理，进而控制加热丝的加热功率、磁力泵转速以及阀门状态，以达到稳定刻蚀腔温度和气压的目的。刻蚀腔内TMAH气体通过气体回流管路，进入冷凝腔，经冷凝后流回加热腔。水冷机控制冷却水温度约为20℃，并且提供动力使冷却水通过冷却水循环管路流经冷凝腔外壁，以达到冷凝TMAH气体的目的。冷凝腔主要需要冷却来自刻蚀腔、分流管、溢流管的TMAH气体。冷凝后的TMAH液体通过液体回流管流回加热腔，剩余的尾气（主要包含反应生成H2和吹扫腔室的N2）通过尾气处理管路流入尾气处理装置。本专利技术的气相刻蚀采用TMAH气体作为刻蚀剂，与通常的湿法刻蚀使用60℃至90℃温度区间不同，TMAH气相刻蚀主要利用了高于其沸点（100℃-110℃，TMAH沸点与浓度有关）低于其分解温度（130℃）的温度区间，通常使用110℃-125℃。在高于TMAH沸点的温度区间内，刻蚀表面处于TMAH气体环境中，硅与碱发生化学反应，从而对硅进行各向异性腐蚀。在使用TMAH对<100>晶向单晶硅刻蚀时，在浓度为4%的TMAH溶液中刻蚀速率最大（约为1μm/min），同时刻蚀表面粗糙度也较大（数百纳米）。在TMAH浓度大于4%的条件下，硅的刻蚀速率随TMAH浓度增大而减小，刻蚀表面粗糙度随浓度增加而减小。本专利技术主要使用浓度大于25%的TMAH溶液加热至沸腾产生的TMAH气体与硅发生化学反应。通常，化学反应反应速率随温度呈指数增加；TMAH气相刻蚀使用的刻蚀温度较常规湿法刻蚀高约30℃，速率比同浓度湿法刻蚀高4-8倍。实验研究证明，该系统实现了硅高速刻蚀（大于1.5μm/min），同时刻蚀表面较为光滑（粗糙度Ra<10nm）。与此同时，气相刻蚀可以通过增大刻蚀腔体的气压以进一步提高刻蚀速率。该刻蚀系统通过背面保护腔实现了硅片背面已完成结构与刻蚀面的分离，从而保证了该步硅刻蚀工艺与以完成工艺之间的兼容性。附图说明图1表示TMAH气相刻蚀系统框图。图2表示基于TMAH气相刻蚀系统的结构示意图。图3表示系统工作流程图。图4表示刻蚀系统送片工作流程图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：包括加热腔（27）和刻蚀腔（11），所述加热腔（27）顶面采用密封法兰（30）密封，所述刻蚀腔（11）顶面放置晶元夹具（3）、并通过背面保护腔（5）盖合密封；所述加热腔（27）、刻蚀腔（11）及背面保护腔（5）壁外设置有加热丝（7）；所述背面保护腔（5）内安装背面保护腔温度传感器（8），所述刻蚀腔（11）内安装刻蚀腔温度传感器（10）和刻蚀腔压力传感器（12），所述加热腔（27）内安装加热腔温度传感器（28）和加热腔压力传感器（29）；所述加热腔（27）和刻蚀腔（11）通过中间管路（13）连通，即中间管路（13）的上端由刻蚀腔（11）底面伸入、并安装小锥形管（13a），所述小锥形管（13a）位于刻蚀腔（11）内晶元夹具（3）的下方，中间管路（13）的下端由密封加热腔（27）的密封法兰（30）伸入、并安装大锥形管（13b），所述大锥形管（13b）位于加热腔（27）内TMAH溶液（26）上方；所述中间管路（13）内依次安装刻蚀腔主阀（14）和磁力泵（13）；所述刻蚀腔（11）通过气体回流管（16）与冷凝腔（19）进口连通，所述气体回流管（16）内安装回流阀（15）；所述冷凝腔（19）出口连接液体回流管（23），所述液体回流管（23）穿过密封法兰（30）后伸入加热腔（27）；所述液体回流管（23）上连接尾气出口接口（20）；所述冷凝腔（19）通过冷却水进水管路（21a）和冷却水回水管路（21b）连接水冷机（22）；所述冷凝腔（19）进口通过分流管（25）与位于中间管路（13）上刻蚀腔主阀（14）和磁力泵（31）之间的空间连通，所述分流管（25）上安装分流阀（24）；所述冷凝腔（19）进口通过溢流管（18）与加热腔（27）连通，所述溢流管（18）上安装溢流阀（17）；所述刻蚀腔（11）通过氮气管路（32）连接氮气源，所述氮气管路（32）上安装氮气阀（33）。...

【技术特征摘要】
1.一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统，其特征在于：包括加热腔（27）和刻蚀腔（11），所述加热腔（27）顶面采用密封法兰（30）密封，所述刻蚀腔（11）顶面放置晶元夹具（3）、并通过背面保护腔（5）盖合密封；所述加热腔（27）、刻蚀腔（11）及背面保护腔（5）壁外设置有加热丝（7）；所述背面保护腔（5）内安装背面保护腔温度传感器（8），所述刻蚀腔（11）内安装刻蚀腔温度传感器（10）和刻蚀腔压力传感器（12），所述加热腔（27）内安装加热腔温度传感器（28）和加热腔压力传感器（29）；所述加热腔（27）和刻蚀腔（11）通过中间管路（13）连通，即中间管路（13）的上端由刻蚀腔（11）底面伸入、并安装小锥形管（13a），所述小锥形管（13a）位于刻蚀腔（11）内晶元夹具（3）的下方，中间管路（13）的下端由密封加热腔（27）的密封法兰（30）伸入、并安装大锥形管（13b），所述大锥形管（13b）位于加热腔（27）内TMAH溶液（26）上方；所述中间管路（13）内依次安装刻蚀腔主阀（14）和磁力泵（13）；所述刻蚀腔（11）通过气体回流管（16）与冷凝腔（19）进口连通，所述气体回流管（16）内安装回流阀（15）；所述冷凝腔（19）出口连接液体回流管（23），所述液体回流管（23）穿过密封法兰（30）后伸入加热腔（27）；所述液体回流管（23）上连接尾气出口接口（20）；所述冷凝腔（19）通过冷却水进水管路（21a）和冷却水回水管路（21b）连接水冷机（22）；所述冷凝腔（19）进口通过分流管（25）与位于中间管路（13）上刻蚀腔主阀（14）和磁力泵（31）之间的空间连通，所述分流管（25）上安装分流阀（24）；所述冷凝腔（...

【专利技术属性】
技术研发人员：丑修建，徐方良，何剑，穆继亮，耿文平，侯晓娟，薛晨阳，胡磊，高翔，石树正，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：山西,14